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公开(公告)号：CN107824793B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201711052370.X
申请日：2017-10-31
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: B22F9/08
Abstract: 一种制备超细单分散金属微球的装置及方法，所述装置包括坩埚腔室、动作部件、微孔部件、降落管、超声雾化单元及收集仓；其中：所述动作部件位于所述坩埚腔室内，能够上下作动，将所述坩埚腔室内的熔体挤入所述微孔部件的微孔中，得到的液滴随后在所述降落管中被所述超声雾化单元破碎成微液滴，所述微液滴凝固成球形粒子，落入所述收集仓中。本发明的制备超细单分散金属微球的装置及方法主要结合脉冲小孔喷射法和超声雾化法，有效解决了传统制备球形粒子中存在的问题，能够巧妙制备出超细，粒径分布均一、圆球度好、氧化度低、组织分布均匀以及成品率高的球形金属粉末。
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公开(公告)号：CN107824793A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711052370.X
申请日：2017-10-31
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: B22F9/08
Abstract: 一种制备超细单分散金属微球的装置及方法，所述装置包括坩埚腔室、动作部件、微孔部件、降落管、超声雾化单元及收集仓；其中：所述动作部件位于所述坩埚腔室内，能够上下作动，将所述坩埚腔室内的熔体挤入所述微孔部件的微孔中，得到的液滴随后在所述降落管中被所述超声雾化单元破碎成微液滴，所述微液滴凝固成球形粒子，落入所述收集仓中。本发明的制备超细单分散金属微球的装置及方法主要结合脉冲小孔喷射法和超声雾化法，有效解决了传统制备球形粒子中存在的问题，能够巧妙制备出超细，粒径分布均一、圆球度好、氧化度低、组织分布均匀以及成品率高的球形金属粉末。
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公开(公告)号：CN104550943B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510043642.4
申请日：2015-01-28
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种球形铜包覆钨复合粉体、制备方法及其用途，所述铜包覆钨复合粉体为核壳结构，外壳为铜镀层，内核为钨粉，铜包覆钨复合粉体中钨元素和铜元素的质量比为5～95:95～5；其具有分散性好、流动性好、成分均匀、纯度高等特点。所述制备方法为：将普通钨粉采用等离子球化技术处理，然后采用间歇式电镀铜工艺使铜均匀沉积在钨粉表面，将镀铜后的复合粉体清洗、干燥。本发明通过等离子球化和间歇式电镀相结合的工艺来制备球形铜包覆钨复合粉体，方法简单可靠、易于操作，并且可以实现电镀速度、镀层厚度、铜含量范围的有效调节，可有效提高钨铜复合材料综合性能，具有广泛的应用前景，可用于工业化的大量生产。
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公开(公告)号：CN104368808A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410546468.0
申请日：2014-10-15
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种厚度均匀可控的铜包覆钼复合粉体、制备方法及其用途，该铜包覆钼复合粉体外观为铜红色，其颗粒呈不规则形状或完整球形。该复合粉体为核壳结构，内核为粒度分布均匀的钼，外壳为厚度均匀的铜，钼铜质量比是10～90:90～10。该铜包覆钼复合粉体的制备方法为：将处理后的钼粉加入到镀液中，采用间歇式电镀铜工艺使铜均匀沉积在钼粉表面，将镀后的复合粉体清洗、干燥、还原。本发明通过间歇式电镀的方法制备了铜包覆钼复合粉体，方法简单可靠、易于操作，可以实现电镀速度、镀层厚度、铜含量范围的有效调节，有效地提高了钼铜复合材料综合性能，具有广泛的应用前景，并可用于工业化的大量生产。
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公开(公告)号：CN107915481B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201711171921.4
申请日：2017-11-22
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构YAG基透明陶瓷材料、其制备方法及用途。所述透明陶瓷具有由YAG和Al2O3构成的纳米复相结构，且YAG晶相和Al2O3晶相的晶粒尺寸均小于100nm。本发明通过对非晶块体玻璃前驱体进行热处理制备YAG基透明陶瓷，热处理过程中，块体玻璃前驱体中的一部分氧化铝与氧化钇反应，生成YAG晶相，生成的YAG晶相和剩余的氧化铝晶相构成复相纳米结构。该YAG基透明陶瓷材料表现出媲美甚至优于YAG单晶的硬度和弹性模量，在可见光至中红外波段光学透明，经发光激活离子掺杂后可表现出优异的光致发光性能，在激光、荧光、闪烁发光、光学透镜、工艺品及珠宝饰品等领域有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107552779B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710811986.4
申请日：2017-09-11
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种间歇式电沉积制备微米级和/或毫米级包覆型粉体的装置及其处理方法，装置包括电镀槽、动力组件、阴极板、阳极板和电源；电镀槽槽体一侧设置动力组件，阴极板铺设于电镀槽底部，阳极板设于电镀槽顶部且与阴极板相对设置，电源通过导线与阴极板和阳极板相连。本发明结合微米级和/或毫米级球形粉体自身的特点，通过电镀槽绕中心轴进行左右往复转动，使微米级和/或毫米级粉体得到充分搅拌，镀层厚度均匀可控。在此基础上结合法拉第电流定律，使装置可以用于大规模生产微米级和/或毫米级包覆型金属粉体。该生产微米级和/或毫米级包覆型粉体的装置和方法具有低成本，可循环，易操作且可大规模生产特点，以满足工业生产中的需求。
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公开(公告)号：CN101642858B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910091758.X
申请日：2009-08-27
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 一种电子封装用核壳结构无铅焊锡球及其制备方法，属于锡基无铅钎料技术领域。焊锡球化学成分为焊锡球化学成分为47～68％Bi、19～32％Cu、13～21％Sn；外加0.01～1％的稀土金属，均为质量分数。焊锡球直径在0.10～0.76mm。具有核壳结构，核心为富Cu相，外壳均匀包裹一层富Sn-Bi合金。该种核壳结构的焊锡球能够应用于BGA封装。焊接时外围的低熔点Sn-Bi合金主要起连接元器件的作用，而内部高电导率Cu基合金则承担电路连接的功能，可以满足电子封装高连接强度、高电导率和高热导率的要求。
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公开(公告)号：CN107915481A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711171921.4
申请日：2017-11-22
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
CPC classification number: C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/781 , C04B2235/96 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构YAG基透明陶瓷材料、其制备方法及用途。所述透明陶瓷具有由YAG和Al2O3构成的纳米复相结构，且YAG晶相和Al2O3晶相的晶粒尺寸均小于100nm。本发明通过对非晶块体玻璃前驱体进行热处理制备YAG基透明陶瓷，热处理过程中，块体玻璃前驱体中的一部分氧化铝与氧化钇反应，生成YAG晶相，生成的YAG晶相和剩余的氧化铝晶相构成复相纳米结构。该YAG基透明陶瓷材料表现出媲美甚至优于YAG单晶的硬度和弹性模量，在可见光至中红外波段光学透明，经发光激活离子掺杂后可表现出优异的光致发光性能，在激光、荧光、闪烁发光、光学透镜、工艺品及珠宝饰品等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107513750A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710735384.5
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
CPC classification number: C25D17/02 , C25D5/18 , C25D7/00 , C25D7/006 , C25D17/10 , C25D21/10 , C25D21/12
Abstract: 本发明提供了一种间歇式电沉积核壳式粉体电镀装置及其处理方法，所述电镀装置包括电镀槽、电机、电机传动轴、阴极板、搅拌结构、夹持结构、阳极板和电源；其中，电机位于电镀槽外的底部，电机上设置电机传动轴，电机传动轴贯穿电镀槽，电镀槽内铺设阴极板，搅拌结构通过夹持结构固定于电机传动轴上并置于电镀槽内，阳极板固定在电机传动轴上并沿电机传动轴上下移动，阳极板位于电镀槽上方，电源与阴极板和阳极板相连。本发明通过该装置得到的核壳式粉体具有镀层厚度可控、镀层成分均匀、无杂质等特点可广泛应用于粉末冶金、3D打印、冷喷涂等大批量用粉领域。
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公开(公告)号：CN104550943A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510043642.4
申请日：2015-01-28
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种球形铜包覆钨复合粉体、制备方法及其用途，所述铜包覆钨复合粉体为核壳结构，外壳为铜镀层，内核为钨粉，铜包覆钨复合粉体中钨元素和铜元素的质量比为5～95∶95～5；其具有分散性好、流动性好、成分均匀、纯度高等特点。所述制备方法为：将普通钨粉采用等离子球化技术处理，然后采用间歇式电镀铜工艺使铜均匀沉积在钨粉表面，将镀铜后的复合粉体清洗、干燥。本发明通过等离子球化和间歇式电镀相结合的工艺来制备球形铜包覆钨复合粉体，方法简单可靠、易于操作，并且可以实现电镀速度、镀层厚度、铜含量范围的有效调节，可有效提高钨铜复合材料综合性能，具有广泛的应用前景，可用于工业化的大量生产。
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