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公开(公告)号：CN103940551A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410146644.1
申请日：2014-04-11
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
IPC: G01M3/04
Abstract: 本发明公开了一种射频高功率同轴传输线内导体密封漏水检测装置，包括焊接快接、活动快接，焊接快接与活动快接之间设有导向骨架，焊接快接、活动快接与导向骨架的中心相通，且活动快接的底部密封，红外发射极、红外接收极分别安装在活动快接的底部对心孔内；导向骨架的外壁上设有环形凹槽，焊接快接的下端面和活动快接的上端面分别设有导向槽，O型密封圈固定在导向骨架的环形凹槽内，O型密封圈整体放置在焊接快接和活动快接的导向槽内，焊接快接和活动快接通过卡箍卡紧固定。采用本发明可以节省大量的人力、时间去探查漏水点；同时本发明结构简单，方便安装实施，已应用到大型超导托卡马克核聚变实验装置EAST射频加热系统中。
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公开(公告)号：CN101315814B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200810022381.8
申请日：2008-06-28
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种离子回旋共振加热天线真空馈口陶瓷封结结构，包括有陶瓷管，陶瓷管左、右端面为金属化端面，其特征在于：所述的陶瓷管左、右端内壁套装有第一、第二无氧铜法兰，所述的第一、第二无氧铜法兰有环形外、内翻边沿经过真空焊接于陶瓷管左端金属化端面上，第一、第二不锈钢封结法兰焊接于第一、第二无氧铜法兰的环形外、内翻边沿上；第一、第二不锈钢封结法兰分别有环形外、内翻边，所述的环形外、内翻边外端逐步由厚变薄为锥形结构。法兰外端为锥形结构目的是通过延长传热路径和减少传热面积，从而达到减少陶瓷封接部件和内外导体焊接时对陶瓷的导热量，最终减少焊接时不锈钢法兰和陶瓷之间的热应力，保证陶瓷封接部件和内外导体成功焊接。
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公开(公告)号：CN1278018A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00112333.5
申请日：2000-06-12
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁的镀膜工艺。由高频发射机作为高频波源;高频波经馈线输送至安装在超导磁约束聚变装置内的回旋天线;超导磁约束聚变装置抽成真空后充入硼化气体;硼化气体被高频电磁波电离、分解产生高能硼原子和硼化合物分子,对超导磁约束聚变装置第一壁进行轰击、沉积、形成硼膜。与常规的直流辉光放电硼化工艺相比,其膜的寿命提高10倍以上,整个硼化的过程缩短5—8倍,具有较高的经济效益。
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公开(公告)号：CN104102192A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410300942.1
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
IPC: G05B19/418 , H04B1/04 , H03K19/00
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明公开了一种宽带高功率射频发射机调机方法，在宽带高功率射频发射机短脉冲运行时，利用数据采集系统监控发射机各级电子管放大器工作状态，通过分析采集到的电子管各参数来反馈调整发射机的各调谐元件，使发射机电子管放大器达到最佳的工作状态和最大功率输出。该方法采用短脉冲运行模式调试发射机，具有耗能低的优点；同时数据采集系统以数据图表的形式科学准确地反映发射机电子管放大器的工作状态，有效保证电子管放大器的安全运行；另外若发射机出现故障，短脉冲模式可保证发射机部件损耗度降到最低，通过数据采集系统的数据可明确故障原因，并针对性地拟定解决方案。采用该方法调机，其安全性和准确性较传统方式都大大提高。
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公开(公告)号：CN102543223B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210034495.0
申请日：2012-02-15
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
IPC: G21B1/11
Abstract: 本发明公开了一种法拉第屏蔽冷却管可调角度的ICRF天线结构，包括有内导体、外导体、法拉第屏蔽，法拉第屏蔽上设有冷却管，法拉第屏蔽两端分别固定电热带，外导体固定套装有固定法兰、移动法兰，固定法兰的外侧固定设有支撑箱体，支撑箱体的端部固定安装有外导体分度盘，法拉第屏蔽的端部固定安装有过渡连接段，外导体分度盘上开有弧形固定槽、外角度定位孔，过渡连接段上开有与弧形固定槽相对应的螺栓孔，过渡连接段上设有与外角度定位孔相对应的内角度定位孔，外角度定位孔与内角度定位孔之间插接有销轴。可以使一个法拉第屏蔽在装置总磁场与环向切线角度不同的条件下通过旋转调节法拉第屏蔽冷却管与环向切线角度重复使用，提高法拉第屏蔽使用效率，降低法拉第屏蔽制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101533679A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910116592.2
申请日：2009-04-20
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
CPC classification number: Y02E30/128
Abstract: 本发明公开了一种离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，根据磁约束装置内碳和氢共同沉积的特点，使用等离子体辅助化学清除方法，在HT－7超导托卡马克和与ITER相似位型的EAST装置上，纵向磁场保持在1.5－2.0T的情况下，在壁温为400～470K的情况下，采用离子回旋等离子体技术，采用与碳和氢都易于发生化学反应的氧气，形成离子回旋氧等离子体，实现第一壁碳氢再沉积层的清除，从而有效地清除滞留在装置第一壁上的氢滞留。该种技术是一个独特和有效的技术方法，为清除第一壁再沉积层、降低装置内氢滞留，降低粒子再循环，为核聚变装置高效运行创造很好的壁条件，为未来核聚变装置减少放射性氚在第一壁滞留导致的安全和环境问题。同时这种对第一壁的处理可在纵场线圈不退磁的情况下进行，是更适合于今后国际热核聚变实验堆ITER及未来聚变反应堆的一种对第一壁的处理模式。
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公开(公告)号：CN1273280A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN00112274.6
申请日：2000-05-15
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁表面的镀膜工艺,其特征是:射频波由发射机提供;射频波经馈线输送到离子回旋天线,该天线呈半圆形状,置于磁约束聚变装置的内部;该装置抽成真空后,充入硅烷和氦气;射频波将予充在装置中的硅烷气体电离,产生高能的硅原子和硅化合物分子并对壁表面进行沉积,形成硅膜。利用这种工艺所形成的硅膜均匀,硬度高,粘滞性强,抗轰击,与常规的直流辉光放电技术所获得的膜质量相比,其使用寿命提高5倍以上。
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公开(公告)号：CN1272407A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00112273.8
申请日：2000-05-15
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
IPC: B08B9/027
Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁的清洗工艺,其特征是:离子回旋天线置于磁约束聚变装置内,该装置内预充有氦气;由射频发射机提供所需的射频波;射频波经阻抗匹配系统耦合到离子回旋天线,使该天线激发射频电磁波;射频电磁波电离产生等离子,轰击面向等离子的磁约束聚变装置第一壁表面,解吸吸附在该壁表面的杂质;用大抽速的真空泵将解吸出来的杂质分子抽出,实现快速、高效清洗磁约束聚变装置第一壁的目的。
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公开(公告)号：CN103943958B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410146637.1
申请日：2014-04-11
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
IPC: H01Q1/50
Abstract: 本发明公开了一种面向等离子体耦合阻抗快速变化的共轭天线结构，包括有箱体，箱体上固定有法拉第屏蔽，箱体与法拉第屏蔽之间装有天线电流带，天线电流带包括有极向二条电流带、环向二条电流带，极向二条电流带的馈入端分别连接一个匹配电容，极向二条电流带的另一端接地，所述的匹配电容采用可调真空电容，两个匹配电容通过一个T形板与一根真空传输线连接，T形板的中心点处的阻抗虚部为零；极向二条电流带由同一根真空传输线分别通过匹配电容馈入射频功率，形成共轭结构；箱体两侧分别设有保护限制器。本发明使得整个系统处于完美的匹配状态。
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公开(公告)号：CN1108398C
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN00112274.6
申请日：2000-05-15
Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁表面的镀膜工艺，其特征是：射频波由发射机提供；射频波经馈线输送到离子回旋天线，该天线呈半圆形状，置于磁约束聚变装置的内部；该装置抽成真空后，充入硅烷和氦气；射频波将予充在装置中的硅烷气体电离，产生高能的硅原子和硅化合物分子并对壁表面进行沉积，形成硅膜。利用这种工艺所形成的硅膜均匀，硬度高，粘滞性强，抗轰击，与常规的直流辉光放电技术所获得的膜质量相比，其使用寿命提高5倍以上。
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