公开(公告)号：CN1278018A

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN00112333.5

申请日：2000-06-12

Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所

Inventor： 李建刚 ,  赵燕平 ,  罗家融 ,  万宝年 ,  龚先祖 ,  李成富 ,  辜学茂 ,  王小明 ,  罗南昌 ,  李生发 ,  胡建生

IPC: C23C14/32 ,  G21B1/00

Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁的镀膜工艺。由高频发射机作为高频波源;高频波经馈线输送至安装在超导磁约束聚变装置内的回旋天线;超导磁约束聚变装置抽成真空后充入硼化气体;硼化气体被高频电磁波电离、分解产生高能硼原子和硼化合物分子,对超导磁约束聚变装置第一壁进行轰击、沉积、形成硼膜。与常规的直流辉光放电硼化工艺相比,其膜的寿命提高10倍以上,整个硼化的过程缩短5—8倍,具有较高的经济效益。

公开(公告)号：CN1108398C

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN00112274.6

申请日：2000-05-15

Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所

Inventor： 李建刚 ,  龚先祖 ,  赵燕平 ,  万宝年 ,  辜学茂 ,  罗家融

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁表面的镀膜工艺，其特征是：射频波由发射机提供；射频波经馈线输送到离子回旋天线，该天线呈半圆形状，置于磁约束聚变装置的内部；该装置抽成真空后，充入硅烷和氦气；射频波将予充在装置中的硅烷气体电离，产生高能的硅原子和硅化合物分子并对壁表面进行沉积，形成硅膜。利用这种工艺所形成的硅膜均匀，硬度高，粘滞性强，抗轰击，与常规的直流辉光放电技术所获得的膜质量相比，其使用寿命提高5倍以上。

公开(公告)号：CN1273280A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00112274.6

申请日：2000-05-15

Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所

Inventor： 李建刚 ,  龚先祖 ,  赵燕平 ,  万宝年 ,  辜学茂 ,  罗家融

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁表面的镀膜工艺,其特征是:射频波由发射机提供;射频波经馈线输送到离子回旋天线,该天线呈半圆形状,置于磁约束聚变装置的内部;该装置抽成真空后,充入硅烷和氦气;射频波将予充在装置中的硅烷气体电离,产生高能的硅原子和硅化合物分子并对壁表面进行沉积,形成硅膜。利用这种工艺所形成的硅膜均匀,硬度高,粘滞性强,抗轰击,与常规的直流辉光放电技术所获得的膜质量相比,其使用寿命提高5倍以上。

公开(公告)号：CN1272407A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00112273.8

申请日：2000-05-15

Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所

Inventor： 赵燕平 ,  李建刚 ,  辜学茂 ,  龚先祖 ,  罗家融 ,  胡建生

IPC: B08B9/027

Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁的清洗工艺,其特征是:离子回旋天线置于磁约束聚变装置内,该装置内预充有氦气;由射频发射机提供所需的射频波;射频波经阻抗匹配系统耦合到离子回旋天线,使该天线激发射频电磁波;射频电磁波电离产生等离子,轰击面向等离子的磁约束聚变装置第一壁表面,解吸吸附在该壁表面的杂质;用大抽速的真空泵将解吸出来的杂质分子抽出,实现快速、高效清洗磁约束聚变装置第一壁的目的。