公开(公告)号：CN1278018A

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN00112333.5

申请日：2000-06-12

Applicant: 中国科学院等离子体物理研究所

Inventor： 李建刚 ,  赵燕平 ,  罗家融 ,  万宝年 ,  龚先祖 ,  李成富 ,  辜学茂 ,  王小明 ,  罗南昌 ,  李生发 ,  胡建生

IPC: C23C14/32 ,  G21B1/00

Abstract: 本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁的镀膜工艺。由高频发射机作为高频波源;高频波经馈线输送至安装在超导磁约束聚变装置内的回旋天线;超导磁约束聚变装置抽成真空后充入硼化气体;硼化气体被高频电磁波电离、分解产生高能硼原子和硼化合物分子,对超导磁约束聚变装置第一壁进行轰击、沉积、形成硼膜。与常规的直流辉光放电硼化工艺相比,其膜的寿命提高10倍以上,整个硼化的过程缩短5—8倍,具有较高的经济效益。