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公开(公告)号：CN109112628A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811275309.6
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供一种Ga掺杂的K3Ba3Li2Al4B6O20F单晶、制法及K3Ba3Li2Al4B6O20F变频器件，涉及人工晶体领域。使用该助熔剂体系有效避免了包裹体的产生，明显减少了晶体生长条纹，从而稳定的生长出厘米级、高光学质量的单晶。同时，利用相位匹配法制作出K3Ba3Li2Al4B6O20F单晶变频器件，当通光方向与晶体的结晶学C轴成大约30.5°～44.2°或67.5°～90°角，即可制成倍频器件或四倍频器件；通过和频方式有望得到355nm和213nm的K3Ba3Li2Al4B6O20F单晶变频器件，扩展了该变频器件的应用波长范围，在激光变频领域表现出良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105839185B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610331423.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体易长大且透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低、易于获得较大尺寸晶体等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号：CN107792842B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201710889137.0
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种CsCdPO4化合物、CsCdPO4非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号：CN106495121A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610895740.5
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C01B25/45 , C01P2002/72 , C30B9/12 , C30B29/14
Abstract: 本发明涉及一种CsLiCdP2O7化合物、CsLiCdP2O7非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号：CN109056064A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811020390.3
申请日：2018-09-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂及利用该助熔剂的晶体生长方法，采用Rb2O‑P2O5体系作为Rb2Ba(PO3)5晶体生长的助熔剂体系，所述的Rb2O‑P2O5体系的原料中包含Rb2O和P2O5，所述的Rb2Ba(PO3)5粉末、Rb2O和P2O5的摩尔比为1～2:1:1～2。使用该助熔剂体系生长该晶体，有效的降低了晶体的生长温度，增大了晶体的析晶温度区间，有利于晶体生长过程中溶质传输，有效地避免了包裹体的产生，从而可以稳定的生长出厘米级，高光学质量的Rb2Ba(PO3)5单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106800297A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710043512.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C01B33/20 , C01P2002/72 , C30B9/08 , C30B28/02 , C30B29/34 , G02F1/3551
Abstract: 本发明提供Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制备方法和用途，涉及非线性光学晶体材料领域；Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的0.5倍，其紫外吸收截止边短于200nm，且不吸潮；采用助熔剂法，以Rb2O‑B2O3作助熔剂可以生长出具有一定尺寸的透明的Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体；Rb2ZnSi3O8晶体物理化学性质稳定、硬度适中，易于加工、保存和使用，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外与深紫外波段的非线性光学应用。
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公开(公告)号：CN106542505B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610905163.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及Bi3TeO6OH(NO3)2化合物、Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体及其制法和用途。所获得的Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体不吸潮，具有较宽的光学透过范围、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定等优点；该Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号：CN107792842A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710889137.0
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种CsCdPO4化合物、CsCdPO4非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号：CN106542505A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610905163.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C01B19/002 , C30B7/14 , C30B29/22 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及Bi3TeO6OH(NO3)2化合物、Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体及其制法和用途。所获得的Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体不吸潮，具有较宽的光学透过范围、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定等优点；该Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号：CN106800297B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710043512.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制备方法和用途，涉及非线性光学晶体材料领域；Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的0.5倍，其紫外吸收截止边短于200nm，且不吸潮；采用助熔剂法，以Rb2O‑B2O3作助熔剂可以生长出具有一定尺寸的透明的Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体；Rb2ZnSi3O8晶体物理化学性质稳定、硬度适中，易于加工、保存和使用，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外与深紫外波段的非线性光学应用。
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