-
公开(公告)号:CN106893108B
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201710080972.X
申请日:2017-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用可见光敏化近红外稀土发光的钌‑钕双金属配位聚合物材料({Nd2[Ru(dcbpy)3]}·2ClO4‑)的制法及用途。本发明有如下有益效果:聚合物晶体材料易于合成,简单溶剂热即可得到;所获得的晶体材料在紫外可见光区具有宽范围的光吸收,光稳定等优点;该晶体材料中Ru基元可通过吸收可见光敏化近红外稀土Nd离子发光,成功检测到其离子发射峰。本发明为有效利用太阳能敏化实现近红外稀土发光提供实验技术基础。
-
公开(公告)号:CN106554326B
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201610896334.0
申请日:2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C07D295/023 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5,属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近,在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能,可以用于制作光电导探测器,在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值;本发明的合成制备方法实用性较强,路线简单,易于操作,无需复杂的生产设备,制造成本低,适用于批量生产。
-
公开(公告)号:CN106542505B
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201610905163.3
申请日:2016-10-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及Bi3TeO6OH(NO3)2化合物、Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体及其制法和用途。所获得的Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体不吸潮,具有较宽的光学透过范围、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定等优点;该Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
-
公开(公告)号:CN106866990A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201710080908.1
申请日:2017-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C08G83/008 , B01J31/2243 , B01J2531/38 , B01J2531/821
Abstract: 本发明涉及一种具有可见光催化还原CO2性能的钌配位聚合物及其合成与用途。本发明有如下有益效果:聚合物晶体材料易于合成,简单溶剂热即可得到,且晶体尺寸大小和形貌可控;所获得的晶体材料在紫外可见光区具有宽范围的光吸收,光稳定等优点;该晶体材料表现出优异的可见光催化还原CO2效果,光转化效率为110μmol(g of Cat.)‑1h‑1。本发明为有效利用太阳能实现绿色催化提供实验技术基础。
-
公开(公告)号:CN106542505A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610905163.3
申请日:2016-10-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C01B19/002 , C30B7/14 , C30B29/22 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及Bi3TeO6OH(NO3)2化合物、Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体及其制法和用途。所获得的Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体不吸潮,具有较宽的光学透过范围、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定等优点;该Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
-
公开(公告)号:CN106521632A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201610888730.9
申请日:2016-10-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/54 , C30B7/04 , C30B7/08 , C30B7/14 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及无机-有机杂化的超分子型非线性光学晶体[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]及其制备方法和用途,属于光电功能材料领域;[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]晶体属于单斜晶系,P21空间群,其晶胞参数为β=105.226ClO4-]·[18-crown-6]非线性光学晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)晶体的1.2倍,且能够实现相位匹配;采用溶液降温法,以18-冠醚-6作为添加剂改善晶体生长习性,可以生长大尺寸的[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]非线性光学晶体,晶体尺寸为10×8×3mm3;[(C6H4NO2NH3+)ClO4-]·[18-crown-6]晶体具有较稳定的物化性能,易于切割加工,可用于制作非线性光学倍频器件。(7)°, Z=2;[(C6H4NO2NH3+)
-
公开(公告)号:CN106480506A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610888927.2
申请日:2016-10-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/54 , C30B7/14 , C07C211/07 , C07C209/00 , C07C209/56 , C07C53/18 , C07C51/41 , C07C51/43
CPC classification number: C30B29/54 , C07C53/18 , C07C211/07 , C30B7/14
Abstract: 本发明涉及有机分子铁电晶体二正丁胺二氟一氯乙酸盐及其制法和用途,通过Sawyer-Tower电路测试本发明有机分子铁电晶体材料二正丁胺二氟一氯乙酸盐的电滞回线,结果表明:它在铁电相展现了良好的铁电性能,具有较大的饱和极化强度,达到3.9μC/cm2,适中的矫顽场,约为12.4kV cm-1。变温非线性测结果表明,该材料在顺电相没有明显的二阶非线性倍频信号,当温度降至居里温度(243K)时,出现明显的二阶非线性倍频信号,随着温度的降低,非线性信号强度值达到饱和,在整个测试温度范围内展现了优异的非线性“开”“关”性能,开关比达到~28,且重复性较好。反应简单,条件温和。
-
公开(公告)号:CN106543103B
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201610888725.8
申请日:2016-10-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07C209/00 , C07C211/35 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种发白光的有机‑无机杂化半导体材料[C5H9–NH3]4CdBr6(其中C5H9–NH3为环戊胺阳离子)、晶体及其制备方法和用途。本发明生长出发白光的有机‑无机杂化半导体[C5H9–NH3]4CdBr6的晶体。其具有优异的发白光特性,色坐标为(0.33,0.33),显色指数为92.5;其具有良好的半导体性能。
-
公开(公告)号:CN106554326A
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201610896334.0
申请日:2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C07D295/023 , G01J1/42
CPC classification number: C07D295/027 , C07B2200/13 , C07D295/023 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5,属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近,在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能,可以用于制作光电导探测器,在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值;本发明的合成制备方法实用性较强,路线简单,易于操作,无需复杂的生产设备,制造成本低,适用于批量生产。
-
公开(公告)号:CN106543103A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610888725.8
申请日:2016-10-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: C07C209/00 , C07B2200/13 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , H01L51/005
Abstract: 本发明涉及一种发白光的有机-无机杂化半导体材料[C5H9–NH3]4CdBr6(其中C5H9–NH3为环戊胺阳离子)、晶体及其制备方法和用途。本发明生长出发白光的有机-无机杂化半导体[C5H9–NH3]4CdBr6的晶体。其具有优异的发白光特性,色坐标为(0.33,0.33),显色指数为92.5;其具有良好的半导体性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-