Rb4Cd2I8·H2O化合物、非线性光学晶体及其制法和用途

    公开(公告)号:CN109208076B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201811101365.8

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 本发明涉及一种Rb4Cd2I8·H2O化合物、Rb4Cd2I8·H2O非线性光学晶体、Rb4Cd2I8·H2O晶体的制法和Rb4Cd2I8·H2O晶体用于制作非线性光学器件的用途;Rb4Cd2I8·H2O非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的5倍,其透过范围为0.32‑2.78,2.85‑6.20 and 6.56‑41μm属于中红外波段。此外本发明还有如下有益效果:具有操作简便、成本低、污染少、原料毒性低、生长周期短等优点;所获得的晶体具有高的激光损伤阈值以及较高的非线性光学效应、机械性能好等优点,而且还具有能够长出高质量、大尺寸的单晶满足商业化需要;该晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光红外光谱仪、激光雷达、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

    Rb4Cd2I8·H2O化合物、非线性光学晶体及其制法和用途

    公开(公告)号:CN109208076A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201811101365.8

    申请日:2018-09-20

    CPC classification number: C30B29/12 C01G11/00 C01P2002/72 C30B7/14

    Abstract: 本发明涉及一种Rb4Cd2I8·H2O化合物、Rb4Cd2I8·H2O非线性光学晶体、Rb4Cd2I8·H2O晶体的制法和Rb4Cd2I8·H2O晶体用于制作非线性光学器件的用途;Rb4Cd2I8·H2O非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的5倍,其透过范围为0.32-2.78,2.85-6.20 and 6.56-41μm属于中红外波段。此外本发明还有如下有益效果:具有操作简便、成本低、污染少、原料毒性低、生长周期短等优点;所获得的晶体具有高的激光损伤阈值以及较高的非线性光学效应、机械性能好等优点,而且还具有能够长出高质量、大尺寸的单晶满足商业化需要;该晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光红外光谱仪、激光雷达、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

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