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公开(公告)号:CN106892437B
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201610922131.4
申请日:2016-10-21
Applicant: 吉恩特恩斯有限公司
Abstract: 本发明涉及利用轻石合成沸石的制备方法,更详细地涉及如下合成沸石的制备方法:以粉末状混合粉碎的轻石和碱性物质之后,进行加热来均匀地融合,使已融合的粉末状的融合物与含铝物质及沸石晶种一同在水中进行混合,并通过熟成、结晶化及干燥过程来生产沸石,作为上述粉碎的轻石,将作为结晶化妨碍物质的CaO含量减少到规定水平以下后,与碱性物质进行混合,从而进行结晶化,由此提高结晶化度来可进行批量生产,并且能够以规定的水平维持沸石的品质。
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公开(公告)号:CN104508192B
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201380031210.0
申请日:2013-04-12
Applicant: 泽克泰克光子学有限公司
Inventor: 亚历山大·约瑟福维奇·扎古缅内 , 尤里·德米特里韦凯·扎瓦尔特夫 , 谢尔盖·亚历山德罗维奇·库托沃伊 , 瓦伦丁·阿列克谢耶维奇·科兹洛夫 , 法齐·阿卜杜勒穆奈梅·泽鲁克 , 米哈伊尔·瓦西列维奇·扎韦尔特亚耶夫
CPC classification number: C09K11/7795 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , C09K11/7792 , C30B15/00 , C30B17/00 , C30B29/34 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一组基于稀土硅酸盐的固溶体的多掺杂铈活化闪烁材料,其包含镥并且其组成由化学式(Lu2‑w‑x+2yAwCexSi1‑y)1‑zMezJjOq和(Lu2‑w‑x‑2yAwCexSi1+y)1‑zMezJjOq表示。本发明用于如下领域:核工业高能物理中基本粒子和核子的探测;医学,正电子发射断层摄影(TOF PET扫描仪和DOI PET扫描仪)和单光子发射计算机断层摄影(SPECT),具有磁共振成像的正电子发射断层摄影(PET/MR);X射线计算机荧光摄影;固态结构无损测试,包括机场保安系统、用于检查卡车和货物集装箱的伽马射线系统。
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公开(公告)号:CN103249805B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201180055193.5
申请日:2011-11-16
Applicant: 圣戈班晶体及检测公司
CPC classification number: C09K11/7781 , C09K11/7772 , C09K11/7773 , C09K11/7774 , C30B13/24 , C30B15/00 , C30B29/34
Abstract: 成像设备中的电离粒子检测器中。本发明涉及一种材料,其包含经不同于Ln的元素B掺杂的稀土(Ln)硅酸盐,B是从Ce、Pr、Tb中选出,其中B至少部分地呈其4+氧化态(B4+),所述材料中的B4+的量以质量计包含于介于0.0001%与0.1%之间。这种材料可能是闪烁材料,并且相对于在X射线照射期间所测量的强度,其在100ms之后可能呈现一般小于200ppm的余
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公开(公告)号:CN105986320A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201610087236.2
申请日:2016-02-16
Applicant: 安徽火天晶体科技有限公司 , 皖江新兴产业技术发展中心
IPC: C30B29/34
CPC classification number: C30B29/34
Abstract: 本发明公开了Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法,分子式为Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5和Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5。对于Sc2xCe2yLu2(1-x-y)SiO5,将Sc2O3、CeO2、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后,压制成形,高温烧结后,用作晶体生长初始原料;对于Sc2xCe2yY2zLu2(1-x-y-z)SiO5,将Sc2O3、CeO2、Y2O3、Lu2O3、SiO2按比例配制并充分混合好后,压制成形,高温烧结后,用作晶体生长初始原料;将生长初始原料加热熔化后,用提拉法、坩埚下降法进行生长,获闪烁体单晶。
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公开(公告)号:CN105887202A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610230259.4
申请日:2016-04-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/34 , C30B15/00 , H01S3/1658
Abstract: 本发明涉及一种掺Ln3+稀土激活离子硅酸镁钙激光晶体的生长方法和用途,Ln3+=Nd、Yb,Tm,Dy,Er和Ho。该晶体属于单斜晶系,空间群为C12/c1,晶胞参数为β=105.97°,Z=4,Dc=3.271g/cm3。三价稀土离子能取代晶体中二价钙离子的格位。该化合物为同成分熔化化合物,熔点1500℃,易于用提拉法生长出高光学质量和大尺寸的晶体。该类晶体可作为激光晶体。用该晶体制成的激光器有望产生高效激光,在社会生产、军事、医学、科学等领域有重要的应用。
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公开(公告)号:CN105780120A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610064293.9
申请日:2016-01-29
Applicant: 陕西科技大学
CPC classification number: C30B29/34 , C30B25/005 , C30B29/62
Abstract: 本发明公开了一种Y2Si2O7晶须的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域,包括以下步骤:1)取Y(NO)3·6H2O和TEOS,搅拌均匀后,加入无水乙醇,并在加热条件下搅拌均匀,制得透明的硅酸钇前驱体混合液;2)将透明的硅酸钇前驱体混合液在80~120℃下,反应12~24h,制得硅酸钇湿凝胶;3)将硅酸钇湿凝胶烘干后,在300~500℃下热处理,制得硅酸钇干凝胶粉;4)将硅酸钇干凝胶粉与混合复盐按照1:1~3的比例,混合均匀后,在700~900℃下热处理;其中,混合复盐是由钼酸钠与硫酸钠按1:1的质量比混合而成;5)将步骤4)处理后的产物依次经水洗、酸洗,然后干燥,制得Y2Si2O7晶须。该方法制备工艺简单、反应周期短;经该方法制得的Y2Si2O7晶须,形貌可控,晶须尺寸分布均一,长径比合适。
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公开(公告)号:CN103282556B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201180061324.0
申请日:2011-12-23
Applicant: 并木精密宝石株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用铂制坩埚制成且不含有铅,也不会发生质量恶化且批量生产率高,并且IL(插入损耗)在0.10dB以下的石榴石单晶;在具有以R3-xBixFe5-wAwO12(R是选自由Tb、Y、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Tm、La、Sm、Dy、Er、Ce、Pr组成的组中的一种或两种以上的稀土类元素且一定包含Tb,A是选自由Ga、Al、In、Sc、Co、Ni、Cr、V、Ti、Si、Ge、Mg、Zn、Nb、Ta、Sn、Zr、Hf、Pt、Rh、Te、Os、Ce、Lu组成的组中的一种或两种以上的元素,x为0.7<x≤1.5、w为0<w≤1.5)表示的组成的Bi置换稀土类铁石榴石单晶中,不含有Pb而含有Pt,进而含有Mn或第二族元素中的至少一种元素,在将Mn或第二族元素中的至少一种元素表示为M、将Bi置换稀土类铁石榴石单晶中的M浓度(atppm)表示为[M]、Pt浓度(atppm)表示为[Pt]、且将[M]与[Pt]的关系式Δ表示为Δ=[M]-(α×[Pt])时,将系数α设定为0.91±0.05的数值范围内的任意值,且将Δ值设定为-7.23atppm以上1.64atppm以下。
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公开(公告)号:CN103025658B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201180032111.5
申请日:2011-06-28
Applicant: UniZeo株式会社 , 国立大学法人东京大学
Inventor: 板桥庆治 , 大久保达也 , 上村佳大 , 帕拉尼·依兰戈万·尚穆根
CPC classification number: C01B39/46 , C01B39/02 , C01B39/026 , C01B39/26 , C01B39/36 , C01B39/365 , C01B39/38 , C01B39/42 , C30B5/00 , C30B29/34
Abstract: 提供一种沸石的制造方法,所述沸石的制造方法为无须使用有机结构导向剂(有机SDA)而可容易且廉价地制造目标沸石的方法。该方法是使包含氧化硅源、氧化铝源、碱源及水的凝胶与沸石晶种反应,制造具有与该沸石同种骨架结构的沸石的方法。所述凝胶使用如下组成的凝胶:在仅仅由该凝胶而合成沸石时,所合成的该沸石成为包含目标沸石的复合结构单元中的至少1种作为其复合结构单元的沸石。
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公开(公告)号:CN103180492A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180049364.3
申请日:2011-10-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/183 , C04B35/18 , C04B35/195 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B15/08 , C30B29/34 , H01L41/18
Abstract: 本发明的目的是稳定地得到具有所希望的表面状态及外形的具有硅酸镓镧型结构的氧化物材料。通过对作为所希望的氧化物材料的制造所使用的组合物的原材料添加作为添加元素的Ir、Pt、Au或Rh之中的至少一种,能够控制坩埚下端的模具部和原材料的熔液之间的润湿性,一边控制从坩埚孔漏出的原材料熔液的润湿扩展状态一边实施氧化物材料的稳定的制作。
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公开(公告)号:CN1926217B
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN200580006295.2
申请日:2005-01-05
Applicant: 克利斯托光子学公司
Inventor: B·柴
IPC: C09K11/08
CPC classification number: C04B35/16 , C04B2235/3224 , C04B2235/3427 , C04B2235/76 , C04B2235/9646 , C09K11/7774 , C30B29/34 , C30B31/06 , C30B33/02
Abstract: 增强铈掺杂正硅酸镥(LSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法,包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LSO单晶体。
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