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公开(公告)号：CN103107278B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201210541111.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4‑xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04‑0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热‑电转换器件制作。
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公开(公告)号：CN105552202B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510894693.8
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu3(1‑x)Te3，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。可通过调节TmCu3(1‑x)Te3体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美。
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公开(公告)号：CN103258949B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310174940.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及Ag1‑xCuSe(x=0.01‑0.03)热电材料及其制备和用途。采用高温固相法合成Ag1‑xCuSe的熔融体，将得到熔融体研磨成粉体进行热压烧结可得到目标块体材料。Ag空位Ag1‑xCuSe热电材料的热电优值ZT最高达到1.4，在高温区间其ZT值约为0.6，且随温度基本不变化，该材料可用于高效热‑电转换器件制作。
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公开(公告)号：CN107022793A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610071451.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外非线性光学晶体、其制备方法和应用。该红外非线性光学晶体具有如下所示的分子式：A18X21Y6M48，其中，A为Ba、Sr或Pb；X为Zn、Cd或Mn；Y为Ga、In或Al；M为S、Se或Te。该晶体属于三方晶系，空间群为R3。其中的晶体Ba18Zn21Ga6S48是I型相位匹配非线性光学材料，在150～210μm颗粒度范围，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别是商用材料AgGaS2的0.5倍和28倍，其它晶体具有相同或相似的结构和光学等性能，在军事和民用上有着重要的应用前景，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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公开(公告)号：CN106653991A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710035154.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及三元稀土铜碲晶体材料用作热电材料的用途。该晶体材料分子通式为RECuTe2且空间群为RE为Tb或Dy。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，在750K时热导率为0.44–0.49W/m·K，电导可达93–120S/cm，塞贝克系数可达226–248μV/K，ZT值为0.95–1.0，可与目前被广泛研究甚至商业化的中温热电材料相媲美。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103050618B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110315433.2
申请日：2011-10-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种热电材料及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用无机高温固相一步合成法进行合成。本发明合成的CsxRE2Cu6-xTe6化合物属六方晶系，空间群为P63/m。CsxRE2Cu6-xTe6(RE＝La，Ce，Pr)初步热电性能测试表明该系列化合物有相对高电导率，中等Seebeck系数和相对低热导，其ZT值：0.26(La，614K)，0.17(Ce，660K)和0.23(La，660K)。它们可能具有潜在的热电应用价值。
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公开(公告)号：CN104766922A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510177777.X
申请日：2015-04-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种柔性热电器件的制备方法以及制得的柔性热电器件。所述方法采用具有高导电性能的紫铜丝网作为电极材料，直接把紫铜丝网固定在模具基板上，以耐高温的硅胶作为柔性基板替代传统陶瓷基板，把P-N热电粒子交替落入栅格模具装置中实现整体焊接的基础上，在冷热端面进行设计图案的线路切割，使得彼此每对P-N半导体热电粒子在电学上串联热学上并联的彼此独立结构；并在上胶厚度可调的装置上进行耐高温柔性绝缘基本的固化操作，得到柔性器件。本发明的柔性器件，可以实现大角度弯折，不改变半导体材料本体，没有影响到进行掺杂改性后的半导体材料成分，拓宽了热电器件的应用场合，不再局限于平面场合，释放了热电器件工作过程产生的热应力。
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公开(公告)号：CN102403445B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110242610.9
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种碲化铋基热电材料Bi38-x(InSb)xTe62及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在780℃反应2至3天，然后缓慢降温至530℃即获得。本发明中，化合物Bi38-x(InSb)xTe62的特征在于铋碲中碲的名义成分为62%，并在铋位掺杂了少量的In和Sb，其中0.6≤x≤0.8。本发明的优点是：制备方法简单——传统简单的固熔和掺杂方法，直接得到具有高致密度的块体材料，且本发明得到的热电材料Bi38-δ(InSb)δTe62的ZT值在323K时可达到1.108。
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公开(公告)号：CN102191544B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010116351.0
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种无机非线性光学材料碘硼酸铅晶体及其制备方法和用途，既属于无机化学领域也属于材料科学领域。碘硼酸铅的化学式为Pb2B5O9I，分子量为739.35，属正交晶系，空间群Pnn2，单胞参数为alpha＝90°，beta＝90°，gamma＝90°，Z＝4。碘硼酸铅晶体采用自助熔法一步合成：以氧化铅、碘化铅及氧化硼为原料，摩尔比在PbO∶PbI∶B2O3＝3∶1∶5的基础上将PbO与B2O3过量50-150％作为自助熔剂，混合物置于真空密封的容器中，在700-900℃保温5-48h后以小于10℃/h的速度缓慢降至室温得到终产物碘硼酸铅晶体。该晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频效应(SHG)系数为KTP的1.4倍。
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公开(公告)号：CN102874827A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210371924.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B35/18
Abstract: 本发明提供碘方硼石的固相制备方法。以MO、M2O3、M3O4中任意一种金属氧化物与B2O3、B、I2混合置于真空氛围，加热，恒温，降至室温，即可得碘方硼石M3B7O13I的多晶粉体。所述方法具有成本低廉、操作简单、无毒气泄漏等优点。
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