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公开(公告)号：CN103484939B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201310469418.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及红外非线性光学晶体Ba3BSbS6及其制备方法，属于无机非线性光学材料领域。采用高温固相法合成，合成红外非线性光学晶体Ba3BSbS6，属于六方晶系，空间群为化合物Ba3BSbS6在2.05μm激光激发下,其粉末倍频强度为AgGaS2的3倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105603531B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410658470.7
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种具有强的红外倍频响应的非线性晶体材料、其制备方法和应用。其该非线性晶体材料具有如下所示的分子式：Ba4MGa4Se10Cl2其中，M为金属元素，选自IIB族金属元素、VIIB族金属元素、VIII族金属元素中的至少一种或M由IB族金属元素中的至少一种与IIIA族金属元素中的至少一种组成；该晶体属于四方晶系，空间群为材料的粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的59倍，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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公开(公告)号：CN107022793B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201610071451.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外非线性光学晶体、其制备方法和应用。该红外非线性光学晶体具有如下所示的分子式：A18X21Y6M48，其中，A为Ba、Sr或Pb；X为Zn、Cd或Mn；Y为Ga、In或Al；M为S、Se或Te。该晶体属于三方晶系，空间群为R3。其中的晶体Ba18Zn21Ga6S48是I型相位匹配非线性光学材料，在150～210μm颗粒度范围，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别是商用材料AgGaS2的0.5倍和28倍，其它晶体具有相同或相似的结构和光学等性能，在军事和民用上有着重要的应用前景，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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公开(公告)号：CN105603531A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410658470.7
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种具有强的红外倍频响应的非线性晶体材料、其制备方法和应用。其该非线性晶体材料具有如下所示的分子式：Ba4MGa4Se10Cl2其中，M为金属元素，选自IIB族金属元素、VIIB族金属元素、VIII族金属元素中的至少一种或M由IB族金属元素中的至少一种与IIIA族金属元素中的至少一种组成；该晶体属于四方晶系，空间群为材料的粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的59倍，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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公开(公告)号：CN107022793A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610071451.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外非线性光学晶体、其制备方法和应用。该红外非线性光学晶体具有如下所示的分子式：A18X21Y6M48，其中，A为Ba、Sr或Pb；X为Zn、Cd或Mn；Y为Ga、In或Al；M为S、Se或Te。该晶体属于三方晶系，空间群为R3。其中的晶体Ba18Zn21Ga6S48是I型相位匹配非线性光学材料，在150～210μm颗粒度范围，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别是商用材料AgGaS2的0.5倍和28倍，其它晶体具有相同或相似的结构和光学等性能，在军事和民用上有着重要的应用前景，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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