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公开(公告)号：CN103258949B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310174940.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及Ag1‑xCuSe(x=0.01‑0.03)热电材料及其制备和用途。采用高温固相法合成Ag1‑xCuSe的熔融体，将得到熔融体研磨成粉体进行热压烧结可得到目标块体材料。Ag空位Ag1‑xCuSe热电材料的热电优值ZT最高达到1.4，在高温区间其ZT值约为0.6，且随温度基本不变化，该材料可用于高效热‑电转换器件制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403445B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110242610.9
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种碲化铋基热电材料Bi38-x(InSb)xTe62及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在780℃反应2至3天，然后缓慢降温至530℃即获得。本发明中，化合物Bi38-x(InSb)xTe62的特征在于铋碲中碲的名义成分为62%，并在铋位掺杂了少量的In和Sb，其中0.6≤x≤0.8。本发明的优点是：制备方法简单——传统简单的固熔和掺杂方法，直接得到具有高致密度的块体材料，且本发明得到的热电材料Bi38-δ(InSb)δTe62的ZT值在323K时可达到1.108。
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公开(公告)号：CN116024667A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111238403.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请包括一种无机化合物晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Cs5Ga9S16，其晶体结构属于单斜晶系，空间群为Pc，具有三维类金刚石网格结构；所述三维类金刚石网格结构主要是由[Ga9S20]多面体基团作为基本的重复单元，通过共用顶点S相互连接；碱金属元素Cs分散填充在所述三维类金刚石网格结构之中，作为电荷平衡。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质,在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的75倍。
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公开(公告)号：CN116024667B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111238403.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请包括一种无机化合物晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Cs5Ga9S16，其晶体结构属于单斜晶系，空间群为Pc，具有三维类金刚石网格结构；所述三维类金刚石网格结构主要是由[Ga9S20]多面体基团作为基本的重复单元，通过共用顶点S相互连接；碱金属元素Cs分散填充在所述三维类金刚石网格结构之中，作为电荷平衡。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质,在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的75倍。
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公开(公告)号：CN103258949A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310174940.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及Ag1-xCuSe(x = 0.01-0.03)热电材料及其制备和用途。采用高温固相法合成Ag1-xCuSe的熔融体，将得到熔融体研磨成粉体进行热压烧结可得到目标块体材料。Ag空位Ag1-xCuSe热电材料的热电优值ZT最高达到1.4，在高温区间其ZT值约为0.6，且随温度基本不变化，该材料可用于高效热-电转换器件制作。
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公开(公告)号：CN102403445A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110242610.9
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种碲化铋基热电材料Bi38-x(InSb)xTe62及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在780℃反应2至3天，然后缓慢降温至530℃即获得。本发明中，化合物Bi38-x(InSb)xTe62的特征在于铋碲中碲的名义成分为62%，并在铋位掺杂了少量的In和Sb，其中0.6≤x≤0.8。本发明的优点是：制备方法简单——传统简单的固熔和掺杂方法，直接得到具有高致密度的块体材料，且本发明得到的热电材料Bi38-δ(InSb)δTe62的ZT值在323K时可达到1.108。
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