公开(公告)号：CN103107278B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201210541111.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴立明 ,  林志盛 ,  陈玲

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4‑xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04‑0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热‑电转换器件制作。

公开(公告)号：CN103022336B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210539358.2

申请日：2012-12-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴立明 ,  林志盛 ,  陈玲

IPC: H01L35/18 ,  C22C12/00 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3(x=0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。

公开(公告)号：CN103022336A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210539358.2

申请日：2012-12-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴立明 ,  林志盛 ,  陈玲

IPC: H01L35/18 ,  C22C12/00 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3 (x = 0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、 Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、 Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。

公开(公告)号：CN103107278A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210541111.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴立明 ,  林志盛 ,  陈玲

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4-xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04-0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热-电转换器件制作。