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    反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片
    1.
    发明公开
    反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片 审中-实审

    公开(公告)号：CN114429991A

    公开(公告)日：2022-05-03

    申请号：CN202011185825.7

    申请日：2020-10-29

    Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

    Inventor： 安佑松 ,  赵劼 ,  杨涛 ,  张欣 ,  李俊峰 ,  王文武

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

    Abstract: 本公开提供一种反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元、存储单元阵列、芯片，该反熔丝晶体管包括：半导体衬底及形成于其内的浅槽隔离层；形成于半导体衬底和浅槽隔离层之上的栅极氧化层；形成于栅极氧化层之上的栅极，栅极的底面宽度大于浅槽隔离层的上表面宽度，浅槽隔离层的上表面边缘位于栅极的底面边缘以内。本公开实施例通过浅槽隔离层将一个反熔丝晶体管分隔为两个独立的反熔丝结构，能够缩小存储器件尺寸。本公开还将栅极氧化层设计为圆弧状，使电场集中在栅极氧化层的圆弧部分，使击穿位置能够控制在很小区域内，使击穿后的电阻值能位于一定阻值范围内，有利于简化反熔丝晶体管的读取电路，提高使用该反熔丝晶体管的存储器件的可靠性。

    一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备
    4.
    发明公开
    一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN114695361A

    公开(公告)日：2022-07-01

    申请号：CN202011606730.8

    申请日：2020-12-28

    Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

    Inventor： 李相惇 ,  安佑松 ,  申靖浩 ,  赵劼 ,  杨涛 ,  张欣

    IPC: H01L27/112 ,  G11C17/16

    Abstract: 本公开提供了一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备。其中，该反熔丝存储单元包括半导体基底、栅氧化层、字线和位线等。半导体基底上形成有晶体管，本公开一个反熔丝存储单元只包含一个晶体管。晶体管包括栅极、源极和漏极。栅氧化层处于半导体基底与栅极之间，栅氧化层的厚度为一个固定值，即整个栅氧化层的厚度不随位置的变化而变化。字线与栅极连接，位线与源极和漏极连接。本公开的反熔丝最小存储单元只需使用一个晶体管，占据的空间更小。因此，本公开提供的技术方案有助于半导体器件的集成化和小尺寸要求，提高了数据存储密度，具有非常广阔的市场前景。本公开能够明显降低加工难度和成本，提高产品良率。

    半导体结构、制造方法及电子设备
    5.
    发明公开
    半导体结构、制造方法及电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN113903737A

    公开(公告)日：2022-01-07

    申请号：CN202010575082.8

    申请日：2020-06-22

    Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

    Inventor： 叶甜春 ,  安佑松 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

    IPC: H01L27/108 ,  H01L29/06

    Abstract: 本公开公开了一种半导体结构、制造方法及电子设备，半导体结构，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的突起结构；位于所述突起结构两侧的侧墙叠层，该侧墙叠层包括位于所述突起结构侧壁上部的第一侧墙，位于所述第一侧墙外侧的第二侧墙，其中，所述突起结构、所述第一侧墙与所述第二侧墙之间具有空气隙。本公开提供的半导体结构，在突起结构、第一侧墙与第二侧墙之间具有空气隙，能够达到较低的位线电容，使用时能确保达到较好的感应裕度，能够很好地满足实际应用的需要。

    一种半导体器件、动态随机存取存储器及电子设备
    6.
    发明公开
    一种半导体器件、动态随机存取存储器及电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN114361160A

    公开(公告)日：2022-04-15

    申请号：CN202011089769.7

    申请日：2020-10-13

    Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

    Inventor： 安佑松 ,  李俊杰 ,  周娜

    IPC: H01L27/108

    Abstract: 本公开提供了一种半导体器件、动态随机存取存储器及电子设备，该半导体器件包括半导体基底、沟槽隔离层、栅氧化层、第一阻挡层、第二阻挡层、第一导电层及第二导电层等。在半导体基底上设置有第一凹槽和第二凹槽，沟槽隔离层贴附于第一凹槽的底壁和侧壁上，栅氧化层贴附于第二凹槽的底壁和侧壁上。第一阻挡层沉积于沟槽隔离层上，第二阻挡层沉积于栅氧化层上，第一阻挡层上表面的高度小于第二阻挡层上表面的高度。第一导电层填充于第一阻挡层围成的第一空间内，第二导电层填充于第二阻挡层围成的第二空间内。该存储器包括本公开的半导体器件，该电子设备包括存储器。本公开能够通过全新的半导体器件结构有效抑制栅诱导漏极泄漏电流的问题。

    一种半导体结构、制造方法及电子设备
    8.
    发明公开
    一种半导体结构、制造方法及电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN113903736A

    公开(公告)日：2022-01-07

    申请号：CN202010575073.9

    申请日：2020-06-22

    Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

    Inventor： 安佑松 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

    IPC: H01L27/108 ,  H01L29/06

    Abstract: 本申请公开了一种半导体结构、制造方法及电子设备，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的若干突起结构；位于所述突起结构两侧的侧墙叠层；所述侧墙叠层包括位于所述突起结构侧壁上的第一侧墙和位于所述第一侧墙外侧的第二侧墙；所述第二侧墙上部与所述第一侧墙上部相接；所述第二侧墙下部与所述第一侧墙下部之间具有空气隙；至少部分所述突起结构的空气隙延伸至所述半导体基底表面以下。本申请提供的半导体结构，包括半导体基底和突起结构，突起结构第二侧墙上部位于第一侧墙上部，第二侧墙下部与第一侧墙下部之间具有空气隙，该空气隙侧墙结构介电常数低，大大降低了突起结构的电容。

    一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片
    9.
    发明公开
    一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 审中-实审

    公开(公告)号：CN114429957A

    公开(公告)日：2022-05-03

    申请号：CN202011181916.3

    申请日：2020-10-29

    Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

    Inventor： 安佑松 ,  赵劼 ,  杨涛 ,  高建峰

    IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

    Abstract: 本公开提供了一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片，存储单元包括：半导体衬底、选择晶体管和反熔丝晶体管；反熔丝晶体管形成于半导体衬底表面之下，包括下电极层、中间介质层和上电极层，下电极层复用为选择晶体管的第一源/漏区，中间介质层形成在半导体衬底中，下电极层形成于中间介质层的一侧，上电极层被中间介质层包围。本公开实施例中反熔丝晶体管采用埋栅结构，克服了相关技术中反熔丝晶体管的栅极宽度的尺寸限制，能显著地减小反熔丝晶体管在存储单元中所占的面积，缩小存储单元的尺寸，进而能缩小采用该存储单元的存储器件的尺寸。一个反熔丝晶体管可用于形成两个存储单元，使存储单元的排列更加紧凑，缩小存储器件的尺寸。

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