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公开(公告)号：CN116666250A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210147283.7
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆加工处理设备，其包括：机箱、处理仓、去除仓和传送件；所述处理仓和所述去除仓均与所述机箱连通，所述传送件位于所述机箱内；所述处理仓用于为晶圆进行加工处理提供空间；所述去除仓用于为晶圆去除残留物提供密闭的空间；所述传送件用于将晶圆在所述处理仓和去除仓之间进行传递；所述去除仓固定连接有输气管，所述输气管用于向所述去除仓内充入稳定气体，以吹除晶圆上的残留物。本发明能够在晶圆进行加工处理前和/或加工处理后，快速的去除晶圆上的残留物。
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公开(公告)号：CN114653651A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555813.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗装置及清洗方法，其中晶圆清洗装置包括：至少一个输液管；所述至少一个输液管沿长度方向上设置有多个喷嘴；所述至少一个输液管开设有多个进液口，其中，所述多个进液口中的两个进液口分别位于所述输液管的两端。本发明能够保证同一输液管上的所有喷嘴对晶圆的清洗效果，提高晶圆清洗装置内不同晶圆间的腐蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN114824075A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110111288.X
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供一种电容器及其制备方法，其中电容器包括：基底，所述基底上形成有着陆焊盘，所述着陆焊盘的材料包括：钨，所述着陆焊盘的顶部开设有连接槽，所述连接槽经由碱性刻蚀液去除所述着陆焊盘顶端的氧化物而形成；下电极，所述下电极的底部通过所述连接槽与所述着陆焊盘接触。本发明能够降低着陆焊盘的电阻值。
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公开(公告)号：CN114798591A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110113769.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种基于晶片清理仓的气压调控装置及方法，其中基于晶片清理仓的气压调控装置包括：清理仓、排气管道和第一气压反馈调节模块；清理仓开设有排气口，排气口与排气管道连通；第一气压反馈调节模块包括：第一测压单元、第一气压调控单元和第一反馈控制单元；第一测压单元和第一气压调控单元均与第一反馈控制单元通信连接；第一测压单元用于监测排气管道内的气压大小；第一气压调控单元用于调控排气管道内的气压大小；第一反馈控制单元用于根据第一测压单元监测到的排气管道内的气压大小，控制第一气压调控单元，以将排气管道内的气压大小调控至预设的目标值。本发明能够防止排气管道中的气体回流至清理仓内。
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公开(公告)号：CN114695161A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011558371.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。本发明公开的半导体设备，解决了现有技术中管线堵塞导致半导体设备产能下降的问题，能够有效降低管线堵塞的概率和使得产能得以提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114798591B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202110113769.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种基于晶片清理仓的气压调控装置及方法，其中基于晶片清理仓的气压调控装置包括：清理仓、排气管道和第一气压反馈调节模块；清理仓开设有排气口，排气口与排气管道连通；第一气压反馈调节模块包括：第一测压单元、第一气压调控单元和第一反馈控制单元；第一测压单元和第一气压调控单元均与第一反馈控制单元通信连接；第一测压单元用于监测排气管道内的气压大小；第一气压调控单元用于调控排气管道内的气压大小；第一反馈控制单元用于根据第一测压单元监测到的排气管道内的气压大小，控制第一气压调控单元，以将排气管道内的气压大小调控至预设的目标值。本发明能够防止排气管道中的气体回流至清理仓内。
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公开(公告)号：CN115020409A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110245765.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一硬掩模和第二硬掩模，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域包括第一图形化结构；在第二区域上形成光刻胶图案，以光刻胶图案为掩模对第二区域进行刻蚀，以在第二区域形成第二图形化结构；在第二图形化结构上形成氧化隔离层；去除第二硬掩模；通过增加掩模的方式，在形成第二图形化结构时，尽管消耗第二图形化结构上方的第二硬掩模，可去除第一图形化结构上的第二硬掩模，使第一图形化结构上的第一硬掩模的高度与第二图形化结构上的第一硬掩模的高度相等，以改善图形化侵蚀缺陷，以便于后续工艺的进行。
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公开(公告)号：CN114678290A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011555811.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆化学处理装置及晶圆化学处理方法，其中晶圆化学处理装置包括：槽体、槽盖、测压器和气压调控模块；所述槽体的上表面开设有开口，所述开口用于提供晶圆进行化学处理的腔室；所述槽盖与所述槽体连接，所述槽盖与所述开口适配，所述槽盖用于将所述腔室形成密闭的空间；所述测压器固定设置在所述腔室内；所述气体调控模块用于根据测压器的测量结果，调节所述腔室内的压强。本发明能够通过调节腔室内的压强，以稳定化学液的沸腾状态，从而提高晶圆进行化学处理的效果。
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公开(公告)号：CN114551315A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011344660.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆定位装置、方法以及半导体工艺设备，包括旋转驱动机构、承托机构和晶圆对中装置，承托机构支撑于旋转驱动机构上，晶圆对中装置包括：升降驱动机构以及与升降驱动机构连接的多个倾斜对中块，通过升降驱动机构支撑每个倾斜对中块在承托机构上方的外围区域，升降驱动机构用于带动每个倾斜对中块的升降；其中，每个倾斜对中块的倾斜滑动面朝向承托机构，且距离承托机构中心的距离相同。通过本发明简化了对中过程，缩短了对中动作时间，提高了产能。
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公开(公告)号：CN114496720A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011259994.0
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明的一种半导体的制造方法及工艺室，在蚀刻工艺中控制室内反应压力至第一压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度降低至第一温度范围以改善反应性和选择比，减少附产物的产出，在清洗工艺中控制室内反应压力从所述第一压力降低至第二压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围来加快附产物的去除速度。通过重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量。可见本发明的方法从改善反应性和选择比和加快附产物的去除速度两方面对附产物进行针对性处理，故而能够有效的去除清洗工艺中产生的附产物，能够提高清洗生产效率。
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