公开(公告)号：CN119451191A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411396937.5

申请日：2024-10-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张青竹 ,  桑冠荞 ,  曹磊 ,  李庆坤 ,  蒋任婕 ,  王鹏 ,  李恋恋 ,  钱文涛 ,  殷华湘

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/01 ,  H10D30/62

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、栅极绝缘层、环绕式栅极和源漏功能部，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括沿衬底的厚度方向间隔排列的多个功能层组，功能层组包括沿衬底的厚度方向层叠设置的沟道层和至少一层保护层，功能层组的长度方向垂直于衬底的厚度方向，功能层组包括沿长度方向排列的第一区、中间区和第二区，保护层至少位于中间区，沟道层位于第一区、中间区和第二区；栅极绝缘层沿围绕功能层组的长度方向的方向环绕中间区；环绕式栅极沿围绕功能层组的长度方向的方向环绕栅极绝缘层。本申请提供的半导体器件的性能得到显著提升。