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公开(公告)号：CN106206323B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610794235.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明通过离子注入在第三P阱区形成温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区，温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区形成PN结二极管。通过在碳化硅VDMOS器件P阱中集成PN结温度传感器，实现了碳化硅器件内部温度的即时检测，并且可以应用于高温时的温度检测，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销，和现有的VDMOS制作工艺有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN107658215A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710880833.5
申请日：2017-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/046 , H01L29/1033 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件制作方法，其中包括：步骤一、提供N+-SiC衬底，在N+-SiC衬底上形成N--SiC外延层，在N--SiC外延层两端离子注入形成P阱；步骤二、在器件表面外延N型沟道层；步骤三、在器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在器件表面生长栅氧化层，在栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在器件的正面和反面形成源电极和漏电极。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明能够保证导电沟道深度，抑制注入工艺带来的接触界面粗糙，并且简化器件制备工艺流程。
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公开(公告)号：CN106206323A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610794235.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/78
CPC classification number: H01L29/66712 , H01L29/7817
Abstract: 本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明通过离子注入在第三P阱区形成温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区，温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区形成PN结二极管。通过在碳化硅VDMOS器件P阱中集成PN结温度传感器，实现了碳化硅器件内部温度的即时检测，并且可以应用于高温时的温度检测，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销，和现有的VDMOS制作工艺有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN106158985A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610819460.6
申请日：2016-09-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/6606
Abstract: 一种碳化硅结势垒肖特基二极管，包括：碳化硅N型衬底；碳化硅N型漂移区、碳化硅P型层，依次层叠于所述碳化硅N型衬底的上表面上；在所述碳化硅P型层顶部垂直向下开设有多个凹槽，所述凹槽的深度d满足d2＜d＜d1+d2，其中d1为所述碳化硅N型漂移区的厚度，d2为所述碳化硅P型层的厚度；P+注入层，设置于所述多个凹槽底部；以及阳极电极，至少形成于所述多个凹槽的侧壁上，该碳化硅结势垒肖特基二极管利用侧壁的面积优势增大电流导通面积，增大导通的电流，节省芯片面积，且加强了耗尽夹断的能力，降低了反偏时的泄漏电流，提高了反偏时的器件可靠性。
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