公开(公告)号：CN107658215A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710880833.5

申请日：2017-09-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  郭元旭 ,  白云 ,  邓小川 ,  陈宏 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  田晓丽 ,  王文 ,  刁绅 ,  徐少东

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件制作方法，其中包括：步骤一、提供N+-SiC衬底，在N+-SiC衬底上形成N--SiC外延层，在N--SiC外延层两端离子注入形成P阱；步骤二、在器件表面外延N型沟道层；步骤三、在器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在器件表面生长栅氧化层，在栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在器件的正面和反面形成源电极和漏电极。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明能够保证导电沟道深度，抑制注入工艺带来的接触界面粗糙，并且简化器件制备工艺流程。