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公开(公告)号：CN119181677A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411614197.8
申请日：2024-11-13
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括基底布线层、第一芯片、散热盖、第一散热胶层、封装模块和焊球，第一芯片的正面贴设在基底布线层的一侧；散热盖设置在基底布线层上；第一散热胶层填充在散热盖的容纳槽中；封装模块包括模块衬底、第二芯片、第三芯片和塑封体，第二芯片的背面贴合于第一散热胶层，塑封体设置在模块衬底的另一侧，并包覆于第三芯片。相较于现有技术，本发明实施例提供的芯片封装结构，能够大幅提升散热效果，并且无需在外围额外设计散热盖，减小了器件体积，并且能够减小布线层之间的寄生效应和电容效应，提升了产品性能。
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公开(公告)号：CN119181677B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411614197.8
申请日：2024-11-13
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括基底布线层、第一芯片、散热盖、第一散热胶层、封装模块和焊球，第一芯片的正面贴设在基底布线层的一侧；散热盖设置在基底布线层上；第一散热胶层填充在散热盖的容纳槽中；封装模块包括模块衬底、第二芯片、第三芯片和塑封体，第二芯片的背面贴合于第一散热胶层，塑封体设置在模块衬底的另一侧，并包覆于第三芯片。相较于现有技术，本发明实施例提供的芯片封装结构，能够大幅提升散热效果，并且无需在外围额外设计散热盖，减小了器件体积，并且能够减小布线层之间的寄生效应和电容效应，提升了产品性能。
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公开(公告)号：CN119133139B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411604387.1
申请日：2024-11-12
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供的一种高密度衬底叠层封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该高密度衬底叠层封装结构包括第一芯片、导电线弧、第一塑封体和第一介质层。第一芯片具有第一焊盘。导电线弧的两端连接于同一第一焊盘。第一塑封体包覆第一芯片；第一介质层内设有与导电线弧电连接的第一布线层。第一介质层覆盖在第一塑封体靠近第一焊盘的一侧。第一介质层表面设有与第一布线层电连接的第一凸点。可减小研磨过程中芯片受到的剪切力，防止芯片受损或出现隐裂。
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公开(公告)号：CN119133139A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411604387.1
申请日：2024-11-12
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供的一种高密度衬底叠层封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该高密度衬底叠层封装结构包括第一芯片、导电线弧、第一塑封体和第一介质层。第一芯片具有第一焊盘。导电线弧的两端连接于同一第一焊盘。第一塑封体包覆第一芯片；第一介质层内设有与导电线弧电连接的第一布线层。第一介质层覆盖在第一塑封体靠近第一焊盘的一侧。第一介质层表面设有与第一布线层电连接的第一凸点。可减小研磨过程中芯片受到的剪切力，防止芯片受损或出现隐裂。
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公开(公告)号：CN119008565B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411230840.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该扇出型封装结构包括封装芯片、塑封体、引脚导电层和重布线层，封装芯片的两侧分别具有功能面和非功能面；塑封体包覆在封装芯片外；引脚导电层设置在塑封体靠近功能面的一侧表面，且引脚导电层的中部形成有露出塑封体表面的第一布线凹槽，以使引脚导电层的边缘区域形成第一引脚凸块；重布线层设置在第一布线凹槽内；第一引脚凸块远离重布线层的一侧边缘形成有引脚凹槽。相较于现有技术，本发明利用第一引脚凸块与重布线层连接，实现电性输出，避免了常规技术中在布线层上电镀锡球的工艺，避免了锡球带来的技术问题，同时能够保证焊接可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117976637A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410383634.3
申请日：2024-04-01
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片基底、保护组合层、导电金属层、导电柱、焊接熔融层和焊接填充块，芯片基底的一侧表面设置有导电焊盘；保护组合层设置在芯片基底上；导电金属层设置在保护组合层上；导电柱设置在导电金属层上；焊接熔融层设置在导电柱上；焊接填充块设置在焊接熔融层上。相较于现有技术，本发明通过增设焊接填充块，可以在焊接时处于游离状态并填充在包覆焊球中，从而在同等焊接体积的用料下减少焊接熔融层的用料，并减少传统锡层焊接时形成的空洞现象，大幅提升到导电柱与基板之间的结合力。
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公开(公告)号：CN119008564A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411230838.X
申请日：2024-09-04
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及片封装技术领域，该扇出型封装结构包括封装芯片、引脚导电块、塑封体、重布线层和保护层，引脚导电块设置在封装芯片周围；塑封体包覆在封装芯片的周围，并至少包覆于引脚导电块靠近封装芯片的一侧的侧壁；重布线层设置在塑封体远离非功能面的一侧表面；保护层设置在重布线层远离封装芯片的一侧表面；其中，引脚导电块部分外露于塑封体，并用于与外部导电胶或导电焊料接触。相较于现有技术，本发明无需采用电镀焊球实现输出，因此可以避免电镀焊球使用过程中存在的分层甚至掉落现象，保证了电连接的性能。同时也避免了焊球焊接凸点工艺存在的桥接以及空洞现象。
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公开(公告)号：CN117976637B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410383634.3
申请日：2024-04-01
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片基底、保护组合层、导电金属层、导电柱、焊接熔融层和焊接填充块，芯片基底的一侧表面设置有导电焊盘；保护组合层设置在芯片基底上；导电金属层设置在保护组合层上；导电柱设置在导电金属层上；焊接熔融层设置在导电柱上；焊接填充块设置在焊接熔融层上。相较于现有技术，本发明通过增设焊接填充块，可以在焊接时处于游离状态并填充在包覆焊球中，从而在同等焊接体积的用料下减少焊接熔融层的用料，并减少传统锡层焊接时形成的空洞现象，大幅提升到导电柱与基板之间的结合力。
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公开(公告)号：CN117790424A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410199735.5
申请日：2024-02-23
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型封装结构包括扇出布线基底层、至少一个第一芯片、至少一个第二芯片、至少一个伪结构芯片和塑封体，首先实现第一芯片、第二芯片以及伪结构芯片的贴装，使得第一芯片、第二芯片以及伪结构芯片均贴装在扇出布线基底层上，第一芯片和第二芯片沿第一方向并排间隔设置，然后利用塑封体实现包覆保护。通过设置伪结构芯片，且伪结构芯片沿第一方向贴设在扇出布线基底层上，一方面能够起到支撑扇出布线基底层的作用，提升器件的结构强度，压合扇出布线基底层以防止发生翘曲，另一方面伪结构芯片还能够对扇出布线基底层进行散热，提升器件的散热性能。
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公开(公告)号：CN119008565A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411230840.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该扇出型封装结构包括封装芯片、塑封体、引脚导电层和重布线层，封装芯片的两侧分别具有功能面和非功能面；塑封体包覆在封装芯片外；引脚导电层设置在塑封体靠近功能面的一侧表面，且引脚导电层的中部形成有露出塑封体表面的第一布线凹槽，以使引脚导电层的边缘区域形成第一引脚凸块；重布线层设置在第一布线凹槽内；第一引脚凸块远离重布线层的一侧边缘形成有引脚凹槽。相较于现有技术，本发明利用第一引脚凸块与重布线层连接，实现电性输出，避免了常规技术中在布线层上电镀锡球的工艺，避免了锡球带来的技术问题，同时能够保证焊接可靠性。
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