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公开(公告)号：CN117851108A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211211230.3
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于插入电压态辅助LDPC译码的方法及系统，该基于插入电压态辅助LDPC译码的方法在对每一个物理页进行编码的过程中，每个物理页对应的三个逻辑页同时增加冗余位，将适当数量的电压态插入到编码好的第一码字中，插入的电压态作为辅助来反映本物理页中这些插入的电压态的误码率情况，在译码的过程中由于已知插入电压态的位置，则可以通过与原写入的电压态进行异或计算即可得到插入的每个电压态对应的误码率，之后对原始误码率查找表中电压态的误码率进行修正得到目标误码率查找表，再基于目标误码率查找表计算每个电压态对应的LLR信息，进而提升LDPC的译码性能。
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公开(公告)号：CN115132261A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210654608.0
申请日：2022-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种三维存储器数据刷新方法、装置、系统和介质，方法包括：根据闪存块中误码率最大的存储页确定弱存储页的数据刷新周期，根据弱存储页的数据刷新周期对弱存储页进行数据刷新，当强存储页的误码率大于预设阈值时，将误码率大于预设阈值的强存储页更新标记为弱存储页，并进行数据刷新，根据强存储页的中误码率最大的存储页确定强存储页的数据刷新周期，根据强存储页的数据刷新周期对强存储页进行数据刷新。从而将同一闪存块的数据刷新分为弱存储页数据刷新和强存储页数据刷新两部分来完成，可降低整体的刷新频率，减少系统开销，且动态修改强存储页的标记，避免强存储页经历多个刷新周期后误码超过误差校正码纠正上限而没来得及刷新。
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公开(公告)号：CN115035936A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210794132.0
申请日：2022-07-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请实施例提供了一种存储器的译码方法及装置，对存储器内多个存储单元以页为单位进行数据读取操作，读取得到目标页的第一数据，利用通过历史LLR值进行修正后的包括正确译码部分的第二数据以及从目标页读取出的第一数据，得到包括正确译码部分的第二数据转移为第一数据的转移概率，利用转移概率计算新的目标LLR值，这种计算目标LLR值的方式计算速度较高，计算开销较低，无需多次读取数据，能够降低译码失败后再次进行译码的时间，更新后的目标LLR值可以辅助对第二数据进行译码，以提高第二数据译码成功的概率，提高译码性能，提高闪存器件的性能。
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公开(公告)号：CN103681458A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210321441.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/73253 , H01L25/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，包括：选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，实现多个芯片的堆叠；对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。
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公开(公告)号：CN115035935A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210790234.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请实施例提供了一种存储器的译码方法及装置，对存储器内多个存储单元以页为单位进行数据读取操作，传输多个页中每个页的至少一次感测数据和每个页的多次感测数据的异或数据，同一页中感测数据在异或数据之前或同时传输，不仅传输出多次感测数据的异或数据，还传输出至少一次感测数据本身，可以根据感测数据和异或数据对每个页的存储单元进行译码，利用每个页的感测数据辅助进行译码，感测数据是在读取操作时进行传出的，无需在译码失败之后再次重新利用新的读取电压进行再次数据读取得到异或数据后继续译码，极大的降低了译码失败后再次译码的时间，在每个页的异或数据传输的同时或之前传输感测数据，能够提高译码性能，提高闪存器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118035128A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211422835.7
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种闪存数据读取错误预测管理方法、装置、系统和介质，获取训练集：历史闪存的字线数、码字数和页类型作为历史闪存的位置信息，历史闪存的编程、擦除循环数和数据保持时间作为历史闪存的条件信息，历史闪存的数据读取错误数量等级；利用训练集学习历史闪存的位置信息和历史闪存的条件信息，与历史闪存的数据读取错误数量等级的总映射关系；根据总映射关系确定深度神经网络模型的模型参数；将当前闪存的位置信息和当前闪存的条件信息输入训练的深度神经网络模型，输出当前闪存的数据读取错误数量等级。通过将对给定的输入参数输入预先训练的深度神经网络模型，可以准确预测闪存块的错误数量等级，以便及时安排解码策略来应对出错情况。
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公开(公告)号：CN103117252A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310058620.6
申请日：2013-02-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对二维封装柔性基板进行三维折叠封装的方法，包括：采用两个开口相对的U型真空槽对一个二维封装柔性基板进行折叠，并将该二维封装柔性基板真空吸附于该两个U型真空槽内壁，形成一个三维折叠封装单元；将多个该三维折叠封装单元开口向上密集排布于底板上，形成三维折叠封装单元阵列；从该三维折叠封装单元阵列中每个三维折叠封装单元开口内的空间对该三维折叠封装单元阵列加注灌封材料，灌封材料加满后将该三维折叠封装单元阵列置于热板上加热固化；释放真空，形成多个柔性基板三维封装体。本发明实现二维封装柔性基板的三维折叠封装，可在同一设备上完成柔性基板的弯折和灌封工艺，大大简化和优化了传统的封装工艺。
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公开(公告)号：CN102593016A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210074113.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/1461 , H01L2924/15192 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种在柔性基板上安装薄芯片的方法。该方法包括：将厚芯片的待减薄面朝外，安装于柔性基板上；在柔性基板上放置具有挖空部的掩模板，该挖空部对应柔性基板上厚芯片的位置，用来暴露厚芯片的待减薄面，同时遮挡住柔性基板上除芯片以外的其他区域；减薄厚芯片至所需厚度；移除掩模板，从而完成薄芯片在柔性基板上的安装。本发明在柔性基板上安装薄芯片的方法中，由于采用了先安装芯片后减薄的方法，从而实现薄芯片的简易拿持、安装和精确对准键和，成品率高。
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公开(公告)号：CN117215476A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210620343.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明涉及一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法，属于存储器技术领域，解决了现有NAND Flash数据处理方法的数据可靠性较低的问题。包括获取待写入NAND Flash数据；选取m个逻辑页进行移位操作，将待写入的NAND Flash数据划分为各子数据，各子数据由各逻辑页子数据表征，每个逻辑页子数据均包括数据位数据，在选取的进行移位的逻辑页中增设标识冗余位数据；对各子数据中选取的逻辑页子数据的数据位数据进行循环移位，得到各子数据最小的数据可靠性评分；将各子数据最小的数据可靠性评分对应的m个移位逻辑页子数据的数据位数据和移位次数作为各子数据编码后的相应m个逻辑页子数据的数据位数据和标识冗余位数据，得到编码后的各子数据，进而得到编码后NAND Flash数据。
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公开(公告)号：CN114283866A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111592435.6
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C16/04
Abstract: 本申请提供了一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质，该方法包括：采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，将读取结果之间进行同或得到初始译码结果，根据初始译码结果得到TLC NAND第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值，根据多次读取结果对初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，根据修正LLR值对TLC NAND闪存进行译码。即利用同一物理页中的本逻辑页的数据来修正LLR值，无需利用其他逻辑页的数据来修正LLR值，以完成TLC NAND闪存正确译码，实现上简单，提高了效率和用户使用体验。
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