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公开(公告)号：CN105203852B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201410256680.3
申请日：2014-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于集成无源器件的测试板，包括测试结构和校准结构，其特征在于：所述校准结构与所述测试结构位于同一块PCB板上，并且与所述测试结构的布局相同。依照本发明的用于集成无源器件的测试结构，在测试板上设计了IPD芯片的高频测试连接端口和误差校准结构，实现了测试点的连接，又通过校准结构的设计巧妙地消除测试链路中的误差，方便地进行IPD高频测试的校准和测试，提供了一种便捷准确的测量方式，满足IPD芯片研发工作中的测试需求。
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公开(公告)号：CN104637927B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201310560310.4
申请日：2013-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明主要涉及一种基于柔性基板的三维封装结构及其针对本发明专利的制作方法，该方法主要包括：提供一种可弯折连续柔性基板，基板形状由芯片的大小，数量，形状确定，并在基板表面布线以实现层间电连接；将被封装芯片焊接到可弯折连续柔性基板上；采用底填胶对芯片与基板间的缝隙进行填充；将基板向中心弯折，使周边的各芯片分别于与位于中心的芯片平行重合，并用粘合胶对两层平行芯片进行粘合。与现有发明相比，本发明采用柔性基板作为封装衬底，可以更好的满足现在封装中高密度高集成的要求，实现封装的小型化、兼容性和高性能的芯片封装。
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公开(公告)号：CN104637927A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310560310.4
申请日：2013-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5387 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06558 , H01L2924/15311 , H01L2224/16225 , H01L2924/00
Abstract: 本发明主要涉及一种基于柔性基板的三维封装结构及其针对本发明的制作方法，该方法主要包括：提供一种可弯折连续柔性基板，基板形状由芯片的大小，数量，形状确定，并在基板表面布线以实现层间电连接；将被封装芯片焊接到可弯折连续柔性基板上；采用底填胶对芯片与基板间的缝隙进行填充；将基板向中心弯折，使周边的各芯片分别于与位于中心的芯片平行重合，并用粘合胶对两层平行芯片进行粘合。与现有发明相比，本发明采用柔性基板作为封装衬底，可以更好的满足现在封装中高密度高集成的要求，实现封装的小型化、兼容性和高性能的芯片封装。
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公开(公告)号：CN104459420B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410841720.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C‑V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104459420A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410841720.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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公开(公告)号：CN105203852A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410256680.3
申请日：2014-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于集成无源器件的测试板，包括测试结构和校准结构，其特征在于：所述校准结构与所述测试结构位于同一块PCB板上，并且与所述测试结构的布局相同。依照本发明的用于集成无源器件的测试结构，在测试板上设计了IPD芯片的高频测试连接端口和误差校准结构，实现了测试点的连接，又通过校准结构的设计巧妙地消除测试链路中的误差，方便地进行IPD高频测试的校准和测试，提供了一种便捷准确的测量方式，满足IPD芯片研发工作中的测试需求。
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公开(公告)号：CN104244686A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410452814.9
申请日：2014-09-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种封装工艺及电子系统产品，封装工艺包括：封装电子系统形成一封装半成品；在封装半成品表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成一屏蔽介质层，其中，合成电磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。从而避免了电子系统工作在腔体内的谐振频率的问题，能保护好电子系统。
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公开(公告)号：CN103117252A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310058620.6
申请日：2013-02-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对二维封装柔性基板进行三维折叠封装的方法，包括：采用两个开口相对的U型真空槽对一个二维封装柔性基板进行折叠，并将该二维封装柔性基板真空吸附于该两个U型真空槽内壁，形成一个三维折叠封装单元；将多个该三维折叠封装单元开口向上密集排布于底板上，形成三维折叠封装单元阵列；从该三维折叠封装单元阵列中每个三维折叠封装单元开口内的空间对该三维折叠封装单元阵列加注灌封材料，灌封材料加满后将该三维折叠封装单元阵列置于热板上加热固化；释放真空，形成多个柔性基板三维封装体。本发明实现二维封装柔性基板的三维折叠封装，可在同一设备上完成柔性基板的弯折和灌封工艺，大大简化和优化了传统的封装工艺。
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公开(公告)号：CN203950019U
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201420307393.6
申请日：2014-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于集成无源器件的测试板以及测试系统。一种用于集成无源器件的测试板，包括测试结构和校准结构，其特征在于：所述校准结构与所述测试结构位于同一块PCB板上，并且与所述测试结构的布局相同。依照本实用新型的用于集成无源器件的测试结构，在测试板上设计了IPD芯片的高频测试连接端口和误差校准结构，实现了测试点的连接，又通过校准结构的设计巧妙地消除测试链路中的误差，方便地进行IPD高频测试的校准和测试，提供了一种便捷准确的测量方式，满足IPD芯片研发工作中的测试需求。
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