-
公开(公告)号：CN111647180A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010418538.X
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种大口径光学成像级聚酰亚胺薄膜制备方法，为了提高大口径薄膜厚度均匀性减小波前误差，达到薄膜衍射系统要求的成像质量，通过预先给胶液施加一环向均匀、径向呈梯度分布的温度来调控其粘度，从而控制胶液径向厚度分布，经控温/常温叠加多次旋涂，直至得到所需厚度的聚酰亚胺薄膜，薄膜厚度≥20μm，薄膜口径≥Φ400mm，薄膜透射波前RMS≤1/25λ，满足系统成像质量要求。本发明有益的技术效果：缩小了与国外差距，提高薄膜元件制作工艺水平，扩展我国薄膜元件的实际应用领域，特别是透明光学薄膜衍射成像系统领域。
-
公开(公告)号：CN111647180B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010418538.X
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种大口径光学成像级聚酰亚胺薄膜制备方法，为了提高大口径薄膜厚度均匀性减小波前误差，达到薄膜衍射系统要求的成像质量，通过预先给胶液施加一环向均匀、径向呈梯度分布的温度来调控其粘度，从而控制胶液径向厚度分布，经控温/常温叠加多次旋涂，直至得到所需厚度的聚酰亚胺薄膜，薄膜厚度≥20μm，薄膜口径≥Φ400mm，薄膜透射波前RMS≤1/25λ，满足系统成像质量要求。本发明有益的技术效果：缩小了与国外差距，提高薄膜元件制作工艺水平，扩展我国薄膜元件的实际应用领域，特别是透明光学薄膜衍射成像系统领域。
-
公开(公告)号：CN113113283A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110376609.9
申请日：2021-04-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法，利用对等离子体放电密度分布的实时监测反馈，对进气气流分布进行即时调控，从而调控等离子体密度分布乃至等离子体放电状态。该发明可以实时、精确调控等离子体放电状态，获得需要的等离子体密度分布，或者基于闭环控制维持稳定的等离子体放电状态。调控原理简单，易于实现，适用于半导体行业等离子体均匀去除或者光学加工领域的等离子体稳定去除工艺。
-
公开(公告)号：CN111561835A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010418941.2
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种快速形成径向温度梯度分布的工装，所述工装包括圆形底部、传热主体、圆形工作平台、保温层、石英基片、导热硅脂等构成。其中水平圆形底部用于连接热源提供恒定温度，传热主体依靠本身的导热特性及与外界环境的热交换从而达到动态温度平衡，其侧面采用的是保温层进行隔热保温，赋予圆形工作平台的温度呈环向均匀分布、径向呈一定温度梯度分布，为了减小接触热阻，石英片通过导热硅脂与工作平台形成面接触，最后赋予石英基片表面温度呈环向均匀分布、径向呈一定温度梯度分布。本发明可以快速实现圆形水平基片径向温度连续梯度分布，且温度分布可控、操作方便可靠。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
