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公开(公告)号：CN102981271B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210461758.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
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公开(公告)号：CN102981271A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210461758.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
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公开(公告)号：CN102866497A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210407660.2
申请日：2012-10-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明是平行度可调的微机电系统法布里珀罗腔波长可调谐滤波器，微桥部的桥面作为法布里珀罗腔的上电极；光栅位于微桥部的桥面的中央处；基底为最下层；多个下电极，平行对称的分布在微桥部的下面，分别固定在两个绝缘层上面；两个绝缘层覆盖在基底上，将多个下电极与上电极之间的电绝缘；两个矩形孔位于微桥部的两边；前腔面位于光栅的区域所对应桥面的下表面；后腔面位于光栅下方的在两绝缘层之间的基底的上表面，用作法布里珀罗腔的后腔面；在多个下电极和上电极之间加入不同的电压并形成复杂的静电场，使法布里珀罗腔的可动腔面向下移动的过程中，调整可动腔面的形貌，用于调整法布里珀罗腔前腔面与后腔面之间的平行度。
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公开(公告)号：CN102866497B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210407660.2
申请日：2012-10-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明是平行度可调的微机电系统法布里珀罗腔波长可调谐滤波器，微桥部的桥面作为法布里珀罗腔的上电极；光栅位于微桥部的桥面的中央处；基底为最下层；多个下电极，平行对称的分布在微桥部的下面，分别固定在两个绝缘层上面；两个绝缘层覆盖在基底上，将多个下电极与上电极之间的电绝缘；两个矩形孔位于微桥部的两边；前腔面位于光栅的区域所对应桥面的下表面；后腔面位于光栅下方的在两绝缘层之间的基底的上表面，用作法布里珀罗腔的后腔面；在多个下电极和上电极之间加入不同的电压并形成复杂的静电场，使法布里珀罗腔的可动腔面向下移动的过程中，调整可动腔面的形貌，用于调整法布里珀罗腔前腔面与后腔面之间的平行度。
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公开(公告)号：CN102981272A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210523639.9
申请日：2012-12-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜，其中包括：镜面，为一矩形的平板镜面；上电极，为一矩形的平板上电极；梁，是含有四根矩形的柱体梁；两个锚点，分别固接于每根梁的两个端部，且两个锚点分别位于每根梁相互垂直的平面上；硅基底，在其内部是一凹形体，在凹形体的底部有一通孔；绝缘层，固接于硅基底的凹形体的表面上形成一行程腔；在行程腔的凹底部设置有下电极，下电极的导线贯穿于硅基底的通孔中；梁平行放置于上电极板和绝缘层的上部之间，上电极板通过梁和锚点固定在行程腔的上面，上电极板与镜面平行，支撑柱位于上电极板和镜面之间，上电极板通过支撑柱支撑变形镜的镜面。
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