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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102980857B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210472804.2
申请日：2012-11-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种利用频率光梳实现太赫兹快速成像的太赫兹时域光谱系统，该系统利用周期结构的透射特性，把不同结构单元复合到同一区域内，得到透射峰叠加的透射谱，叠加后的透射谱将在频谱上形成频率光梳。成像光梳的透射特性与周期结构的空间排列位置有关，利用这一相关性，可以使用大光斑太赫兹光束入射到成像光梳和待测物体上，使用点探测收集透射信号。经过数据处理提取出待测物体的透射特征空间分布信息，实现快速成像。本发明适用于宽频段太赫兹成像，相对于传统的逐点扫描成像，大大节省了成像时间，为太赫兹成像检测提供了一种新思路，对太赫兹安检及识别的大规模化实用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN102981272A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210523639.9
申请日：2012-12-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜，其中包括：镜面，为一矩形的平板镜面；上电极，为一矩形的平板上电极；梁，是含有四根矩形的柱体梁；两个锚点，分别固接于每根梁的两个端部，且两个锚点分别位于每根梁相互垂直的平面上；硅基底，在其内部是一凹形体，在凹形体的底部有一通孔；绝缘层，固接于硅基底的凹形体的表面上形成一行程腔；在行程腔的凹底部设置有下电极，下电极的导线贯穿于硅基底的通孔中；梁平行放置于上电极板和绝缘层的上部之间，上电极板通过梁和锚点固定在行程腔的上面，上电极板与镜面平行，支撑柱位于上电极板和镜面之间，上电极板通过支撑柱支撑变形镜的镜面。
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公开(公告)号：CN102980857A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210472804.2
申请日：2012-11-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种利用频率光梳实现太赫兹快速成像的太赫兹时域光谱系统，该系统利用周期结构的透射特性，把不同结构单元复合到同一区域内，得到透射峰叠加的透射谱，叠加后的透射谱将在频谱上形成频率光梳。成像光梳的透射特性与周期结构的空间排列位置有关，利用这一相关性，可以使用大光斑太赫兹光束入射到成像光梳和待测物体上，使用点探测收集透射信号。经过数据处理提取出待测物体的透射特征空间分布信息，实现快速成像。本发明适用于宽频段太赫兹成像，相对于传统的逐点扫描成像，大大节省了成像时间，为太赫兹成像检测提供了一种新思路，对太赫兹安检及识别的大规模化实用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN102981271A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210461758.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
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公开(公告)号：CN102981271B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210461758.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
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