-
公开(公告)号：CN102253486B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110224471.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种偏转轴可以自由变换的二维MEMS倾斜镜，其上电极单边非对称的固定在基底上，通过在倾斜镜的不同排布方式的下电极块上加相同的电压值或在相同排布方式的下电极块上加不同的电压值，或将以上两种方案综合使用，完成二维MEMS倾斜镜的偏转轴的自由变换。本发明的倾斜镜灵活性高，有效提高了倾斜镜的光路转换效率和质量，降低了使用成本，有利于促进倾斜镜在光通讯、投影显示、光学成像以及激光共焦显微等领域的进一步应用。
-
公开(公告)号：CN102981271A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210461758.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
-
公开(公告)号：CN102288226B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110216686.4
申请日：2011-07-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明是一种压强、温度和组分浓度同时检测的多态气液光纤传感器，其由宽波段光源、光谱分析仪器、回光导光光纤、第一导光光纤，光纤耦合器、第二导光光纤和传感光纤探头组成，在传感光纤探头上加工有对被测液体、气体温度进行检测的温度腔、对被测液体、气体压强进行检测的压力腔以及对被测液体、气体组分浓度进行检测的组分浓度腔，温度腔和压力腔中设置有反射波长不同的布拉格光纤光栅，通过检测各布拉格光纤光栅反射波长的变化测得被测液体或气体的温度及压强信息。在组分浓度腔中的光纤段上加工有消逝场传感区，利用消逝场与被测液体、气体的相互作用，通过监测光纤中相应波长段光强的衰减程度得到被测液体、气体组分浓度的大小。
-
公开(公告)号：CN102866497A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210407660.2
申请日：2012-10-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明是平行度可调的微机电系统法布里珀罗腔波长可调谐滤波器，微桥部的桥面作为法布里珀罗腔的上电极；光栅位于微桥部的桥面的中央处；基底为最下层；多个下电极，平行对称的分布在微桥部的下面，分别固定在两个绝缘层上面；两个绝缘层覆盖在基底上，将多个下电极与上电极之间的电绝缘；两个矩形孔位于微桥部的两边；前腔面位于光栅的区域所对应桥面的下表面；后腔面位于光栅下方的在两绝缘层之间的基底的上表面，用作法布里珀罗腔的后腔面；在多个下电极和上电极之间加入不同的电压并形成复杂的静电场，使法布里珀罗腔的可动腔面向下移动的过程中，调整可动腔面的形貌，用于调整法布里珀罗腔前腔面与后腔面之间的平行度。
-
公开(公告)号：CN102411003A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110209294.5
申请日：2011-07-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明公开了一种远场光纤消逝场的传感方法，该方法包括：用微纳粒子对被测物液体进行修饰，将微纳粒子悬浮分布在传感光纤敏感段周围，利用微纳粒子在消逝场激励下形成的微纳效应将近场的消逝场能量传递到远场，增强了光纤消逝场传感器的探测范围，提高了光纤消逝场传感器检测非均匀介质时检测结果的全面性和保真性，并提高了传感器的灵敏度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101515065A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910078194.6
申请日：2009-02-26
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开了一种基于杠杆放大原理的MEMS变形镜，包含至少两个杠杆放大静电驱动器，至少两个连接梁，一个支撑结构和一个镜面；杠杆放大静电驱动器通过连接梁与支撑结构连接，支撑结构通过连接体与镜面相连；所述的杠杆放大静电驱动器由锚点，悬臂梁，长臂，上极板和下极板组成；其长臂与连接梁相连，其短臂用作上极板，锚点和下极板固定在同一平面上。本发明基于杠杆放大的静电驱动MEMS变形镜不仅具有一般MEMS器件的优点，体积小、重量轻、无滞后效应、可批量生产和可阵列化，还可以通过杠杆放大作用降低静电拉入现象的影响，提高行程，可广泛适用于自适应光学领域。
-
公开(公告)号：CN101382652A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810224988.4
申请日：2008-10-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/06
Abstract: 无偏振液晶像差校正单元，包括两个液晶波前校正器和一个1/2波片，1/2波片置于两个平行放置的液晶波前校正器的中央；第一液晶波前校正器对入射自然光中的P偏振光进行校正并反射，对S偏振光直接被反射；反射后的P偏振光、S偏振光通过1/2波片变成S偏振光和P偏振光；第二液晶波前校正器对变换后的P偏振光校正并反射，对S偏振光直接反射；经过无偏振像差校正单元，自然光的两个偏振分量均被校正；并将至少两个上述无偏振像差校正单元级联使用于一种液晶级联自适应光学闭环系统，本发明所设计的无偏振像差校正单元校正动态范围大、校正精度高，使用该装置可以实现无偏振损失的液晶自适应光学闭环系统。
-
公开(公告)号：CN101256283A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103498.9
申请日：2008-04-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其中SOI晶片从上到下包括硅器件层、二氧化硅层、硅衬底层，其特征在于：镜面位于SOI晶片的硅器件层之上；镜面和SOI晶片之间是通过连接杆来连接；上极板形成在SOI晶片的硅器件层上；下极板所在的硅或玻璃衬底位于SOI晶片下方；SOI晶片的硅衬底层通过键合物键合到下极板所在衬底上构成变形镜的驱动结构的支撑部分；硅器件层下面的二氧化硅层和硅衬底层被掏空作为驱动器的行程空间；本发明的静电驱动MEMS变形镜不会受到静电拉入(pull－in)现象的影响，能够获得大的行程，能够应用于各种自适应光学系统，提高光学系统的成像质量，具有十分重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN102981271B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210461758.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。
-
公开(公告)号：CN102279438B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110209241.3
申请日：2011-07-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，包括保留包层和包层替换的光纤消逝场传感光纤，通过在光纤包层上打微纳孔，控制微纳孔的尺寸特征、分布方式及孔底与纤芯界面的距离，并在微纳孔内填充被测物质进行折射率调制。包层替换的新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤是将待处理光纤段的包层除掉，填充替换介质层，控制其折射率，并在上面修饰微纳孔，在微纳孔内填充被测物质，调控被测物质的折射率。本发明采用保留传感光纤包层并在其上打微纳孔和用介质层替换包层并在其上打微纳孔的方法制作了新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，使高阶模式的消逝场能量最大化的参与反应，提高传感器灵敏度，利于光纤消逝场传感器小型化、集成化的发展。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.041 seconds)
