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公开(公告)号：CN103837102B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410091461.4
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明公开一种测量圆形光学平面表面粗糙度的取样方法，包括步骤：步骤S1：根据圆形光学平面的尺寸和精度要求，设定取样区域的数目为m，每个取样区域取一个采样点则共有m个取样点；步骤S2：确定每个取样区域中心在极坐标系下的角度坐标；步骤S3：确定每个取样区域中心对应的极轴坐标；步骤S4：由步骤2和步骤3，得到每个取样区域中心在极坐标系下的坐标；步骤S5：在圆形光学平面上以圆心为极点，从圆心任取一条射线作为极轴，从极轴沿逆时针为正方向建立极坐标系，在圆形光学平面上标记步骤S4取样区域中心在极坐标系下的坐标；步骤S6：使用粗糙度测量仪器在步骤5标记的取样区域测量粗糙度。本发明广泛应用于平面光学元件粗糙度的测量中。
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公开(公告)号：CN103567866A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310581418.1
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B24B49/00
CPC classification number: B24B49/00
Abstract: 本发明为去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，步骤S1：利用第j-1次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSDj-1、PSDj，构建出平滑谱函数H模型即去除函数归一化后的傅里叶变换；步骤S2：将平滑谱函数H两端同时乘以得到关系式(2)：步骤S3：对关系式(2)进行m项求和相加运算，构建出第m次抛光工艺的误差抑制能力计算模型HModified；步骤S4：对n次抛光中的误差抑制能力计算模型进行取平均值计算，构建计算机控制表面成形抛光中去除函数在确定抛光条件下对不同频段误差抑制能力HTIF模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103837102A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410091461.4
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明公开一种测量圆形光学平面表面粗糙度的取样方法，包括步骤：步骤S1：根据圆形平面的尺寸和精度要求，设定取样区域的数目为m，每个取样区域取一个采样点则共有m个取样点；步骤S2：确定每个取样区域中心在极坐标系下的角度坐标；步骤S3：确定每个取样区域中心对应的极轴坐标；步骤S4：由步骤2和步骤3，得到每个取样区域中心在极坐标系下的坐标；步骤S5：在圆形平面上以圆心为极点，从圆心任取一条射线作为极轴，从极轴沿逆时针为正方向建立极坐标系，在圆形平面上标记步骤S4取样区域中心在极坐标系下的坐标；步骤S6：使用粗糙度测量仪器在步骤5标记的取样区域测量粗糙度。本发明广泛应用于平面光学元件粗糙度的测量中。
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公开(公告)号：CN103302604A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310254837.4
申请日：2013-06-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明为一种抑制光学表面全频段误差的抛光磨盘，具有一转轴连接端位于基底的外上部中心位置；一基底具有环状凸台位于侧壁的外侧，环状凸台上具有一组固接螺孔，一组固接螺孔中心对称于转轴连接端；一法兰环，为圆环柱体，且具有一组固接螺孔；一隔膜密封膜片，为上端开口的桶形结构；一磁流变橡皮泥置于由隔膜密封膜片的内壁、上表面和基底的底部形成的一密封空腔中，隔膜密封膜片的凸台通过法兰环和螺栓与基底的环形凸台固定连接；一抛光垫，与隔膜密封膜片的下表面固定连接；一磁场发生器，置于磨盘外基底的外上部的上表面，控制密封空腔中的磁场分布，磁场发生器产生平行于转轴方向的磁场，调节控制磁流变橡皮泥的储能模量和损耗模量。
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公开(公告)号：CN103395000B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310315171.9
申请日：2013-07-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B24B49/00
Abstract: 本发明CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法，所述方法的步骤如下：步骤S1：利用光学元件抛光前后的功率谱密度函数PSDbef、PSDaft，构建出平滑谱函数H与PSDaft、PSDbef的公式(1)PSDaft＝(1-H)(1-H)*·PSDbef，其中(1-H)*为(1-H)的共轭，*为求共轭的运算符；步骤S2：根据复数运算法则，对公式(1)两边取模得到抛光后面形数据的功率谱密度函数表达式(2)PSDaft＝|(1-H)|2·PSDbef；步骤S3：由于平滑谱函数H为去除函数归一化后的傅里叶变换，所以根据|H|＜1，求解公式(2)，构建出平滑谱函数H的公式(3)公式(3)将CCOS抛光工艺抑制不同频段误差的能力表示为频率的归一化函数，利用抛光前后得到的PSDbef、PSDaft计算平滑谱函数曲线，根据平滑谱函数曲线值的大小来评价CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的大小。
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公开(公告)号：CN103567866B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310581418.1
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B24B49/00
Abstract: 本发明为去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，步骤S1：利用第j-1次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSDj-1、PSDj，构建出平滑谱函数H模型即去除函数归一化后的傅里叶变换；步骤S2：将平滑谱函数H两端同时乘以得到关系式(2)：步骤S3：对关系式(2)进行m项求和相加运算，构建出第m次抛光工艺的误差抑制能力计算模型HModified；步骤S4：对n次抛光中的误差抑制能力计算模型进行取平均值计算，构建计算机控制表面成形抛光中去除函数在确定抛光条件下对不同频段误差抑制能力HTIF模型。
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公开(公告)号：CN103395000A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310315171.9
申请日：2013-07-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B24B49/00
Abstract: 本发明CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法，所述方法的步骤如下：步骤S1：利用光学元件抛光前后的功率谱密度函数PSDbef、PSDaft，构建出平滑谱函数H与PSDaft、PSDbef的公式(1)PSDaft＝(1-H)(1-H)*·PSDbef，其中(1-H)*为(1-H)的共轭，*为求共轭的运算符；步骤S2：根据复数运算法则，对公式(1)两边取模得到抛光后面形数据的功率谱密度函数表达式(2)PSDaft＝|(1-H)|2·PSDbef；步骤S3：由于平滑谱函数H为去除函数归一化后的傅里叶变换，所以根据|H|＜1，求解公式(2)，构建出平滑谱函数H的公式(3)公式(3)将CCOS抛光工艺抑制不同频段误差的能力表示为频率的归一化函数，利用抛光前后得到的PSDbef、PSDaft计算平滑谱函数曲线，根据平滑谱函数曲线值的大小来评价CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的大小。
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