-
公开(公告)号：CN116199519B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310057159.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：采用低温或者高温化学气相沉积工艺在纤维预制体表面沉积第一层BN界面层并在沉积结束后对纤维预制体进行第一次热处理，或者仅采用高温化学气相沉积工艺在预先制备好的纤维预制体表面沉积第一层BN界面层，得到沉积第一层BN界面层的纤维预制体；采用化学气相沉积工艺在所述沉积第一层BN界面层的纤维预制体表面连续依次沉积第二层BN界面层和陶瓷基体，得到沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体；对所述沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体进行第二次热处理；致密化，得到所述双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料。
-
公开(公告)号：CN115772037B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111057806.0
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用短切纤维构造熔渗预制体制备碳化硅陶瓷基复合材料的方法，包括：1）将短切纤维、碳化硅粉体、粘结剂和溶剂混合，得到碳化硅浆料；（2）将碳纤维布或碳化硅纤维布进入所得碳化硅浆料中，得到纤维浸浆片后，依次经烘干、裁剪、叠层、固化、热解，得到熔渗预制体；（3）将硅粉或硅合金粉置于熔渗预制体周围，再经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。
-
公开(公告)号：CN115404465A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110578415.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种连续纤维表面制备复合界面的设备，包括用于在纤维表面沉积界面的互相独立的多个主体、向主体供给反应气体的供气系统和排出主体中的反应尾气的排气系统；主体包括：内部设置有放卷装置和多个导向轮的放卷室；内部设置有收卷装置和多个导向轮的收卷室；以及连接放卷室和收卷室的沉积室；任意两个相邻的主体在放卷室之间和收卷室之间分别设置有通道和能开闭通道的多个阀门；通过调节多个阀门在设备中形成使连续纤维在多个主体中依次进行界面沉积的连续走丝通路或使多根连续纤维在多个主体中分别进行界面沉积的多个独立走丝通路。
-
公开(公告)号：CN113480320A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752247.9
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：在碳化硅纤维预制体的纤维表面沉积界面层；在所述的覆有界面相的碳化硅纤维预制体中引入碳基体和氮化硅粉体，获得SiCf/C‑Si3N4熔渗体；将Al‑Si合金熔体在高温下熔渗到SiCf/C‑Si3N4熔渗体中，经高温原位反应生成AlN和SiC，得到高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
-
公开(公告)号：CN111320475A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811542938.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/515
Abstract: 本发明涉及一种Si-B-C三组元相的高通量制备方法，包括：（1）将多片基板分别放入到沉积反应室中的不同区域内；（2）抽真空、充入惰性气体再抽真空；（3）加热所述沉积反应室中的所述不同区域至不同的设定温度以使所述不同区域处于不同的温度场；（4）通入SiCH3Cl3、BCl3、和H2，反应规定时间，以在各基板表面沉积形成Si-B-C三元相。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110903103A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811069742.4
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/638 , C04B35/64 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明涉及一种轻质高强SiC多孔材料及其制备方法，该制备方法包括：通过3D打印方式将含有SiC一维纳米材料的水凝胶浆料挤出并逐层叠加成型，得到坯体；将所得坯体经脱脂排胶后，置于保护气氛中，在1750～2100℃下烧结1～3小时，得到所述轻质高强SiC多孔材料。
-
公开(公告)号：CN110903099A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811069130.5
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/81 , B29C64/118 , B29C64/106 , B29C64/379 , B33Y40/20 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , C08K7/10 , C08K7/26 , C22C1/10
Abstract: 本发明涉及一种由定向排布的一维纳米材料构成的多孔体及其制备方法，该制备方法包括：通过3D打印方式将含有一维纳米材料的浆料挤出并逐层叠加成型，得到多孔体坯体；将所得多孔体坯体经热解处理，得到由定向排布的一维纳米材料构成的多孔体。
-
公开(公告)号：CN106747477B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510833913.6
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/624 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Cf/SiC‑ZrC‑ZrB2超高温陶瓷基复合材料的制备方法，所述制备方法包括：（1）制备含有H3BO3和聚乙烯醇的溶胶溶液；（2）利用真空浸渍将所述溶胶溶液引入碳纤维预制体，凝胶化得到Cf/聚硼酸乙酯；（3）Cf/聚硼酸乙酯在惰性气体下裂解，得到Cf/B2O3‑C；（4）在惰性气体下对所得Cf/B2O3‑C进行碳热还原反应得到Cf/B4C‑C；（5）将熔融的ZrSi2渗入Cf/B4C‑C中进行熔渗反应原位生成SiC、ZrC、ZrB2，得到所述Cf/SiC‑ZrC‑ZrB2超高温陶瓷基复合材料。本发明的方法简便易行，制备的Cf/SiC‑ZrC‑ZrB2具有超高温相（ZrC、ZrB2）含量高、分布均匀，显著改善了材料的耐烧蚀性能、抗氧化性能和力学性能。
-
公开(公告)号：CN109251049A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811067670.X
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/84 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种限制复合材料基体内部裂纹扩展的方法，包括：（1）采用化学气相沉积方法在表面原位生长SiC纳米线的纤维预制体的表面制备层状PyC界面，得到SiCNWs/PyC纤维预制体；（2）采用化学气相渗透法CVI、先驱体浸渍裂解法PIP、反应溶体渗透法RMI中的至少一种，在SiCNWs/PyC纤维预制体中填充陶瓷基体，得到所述SiCNWs/PyC协同增强的陶瓷基复合材料；所述陶瓷基体为SiC、Si-C-N、Si-B-C-N中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN107353004A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710586771.7
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/52 , C04B35/632 , C04B35/634 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y70/00 , B28B1/00
Abstract: 本发明涉及一种直接挤出型3D打印制备三维石墨烯的方法，包括：将石墨稀、分散剂分散于乙醇中，得到石墨烯悬浮液；将增稠剂和石墨烯悬浮液混合后，在70～90℃下水浴加热1～2小时，得到石墨烯浆料；将所得石墨烯浆料转移至打印成型设备中，根据三维模型逐层打印，得到所述三维石墨烯。本发明采用3D打印的方式可以对模型进行设计，获得周期性结构的多孔三维石墨烯，而且成型速度快，周期短，具有规模化的潜力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.044 seconds)
