公开(公告)号：CN113480320A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110752247.9

申请日：2021-07-02

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 阚艳梅 ,  董绍明 ,  陈小武 ,  靳喜海 ,  胡建宝 ,  孙小凡

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：在碳化硅纤维预制体的纤维表面沉积界面层；在所述的覆有界面相的碳化硅纤维预制体中引入碳基体和氮化硅粉体，获得SiCf/C‑Si3N4熔渗体；将Al‑Si合金熔体在高温下熔渗到SiCf/C‑Si3N4熔渗体中，经高温原位反应生成AlN和SiC，得到高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN118515487A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202310137641.0

申请日：2023-02-20

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 董绍明 ,  孙小凡 ,  靳喜海 ,  陈小武 ,  阚艳梅 ,  胡建宝 ,  廖春景

IPC: C04B35/573 ,  C04B35/581

Abstract: 本发明涉及一种利用吸氧导流层促进反应熔渗制备AlN‑SiC复相陶瓷的方法。所述制备方法包括：(1)将氮化硅粉体、碳源、粘结剂和溶剂球磨混合，得到浆料；将浆料通过流延工艺获得浆料片，经干燥、裁剪、加压固化、热解处理，获得熔渗预制体；(2)将熔渗预制体置于石墨坩埚中，在其表面依次铺一层陶瓷粉体和纤维，在预制体表面制备吸氧导流层；(3)将Al‑Si合金块放置在吸氧导流层上面，经过高温反应烧结获得致密的AlN‑SiC复相陶瓷。

公开(公告)号：CN113480320B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110752247.9

申请日：2021-07-02

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 阚艳梅 ,  董绍明 ,  陈小武 ,  靳喜海 ,  胡建宝 ,  孙小凡

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：在碳化硅纤维预制体的纤维表面沉积界面层；在所述的覆有界面相的碳化硅纤维预制体中引入碳基体和氮化硅粉体，获得SiCf/C‑Si3N4熔渗体；将Al‑Si合金熔体在高温下熔渗到SiCf/C‑Si3N4熔渗体中，经高温原位反应生成AlN和SiC，得到高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料。