公开(公告)号：CN111253159A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010058459.2

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 胡建宝 ,  祝泉 ,  董绍明 ,  杨金山 ,  张翔宇 ,  丁玉生 ,  高乐

IPC: C04B35/569 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  C04B35/81 ,  B33Y70/10 ,  C04B38/00 ,  C30B29/36 ,  C30B29/62 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明涉及一种有序无序SiC纳米线/晶须结构体及其制备方法，所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体的制备方法包括：（1）选用增材制造方式，实现一维碳化硅纳米线/晶须定向有序排列，得到有序结构体；（2）通过催化原位生长方式，在所得有序结构体上实现非定向无序碳化硅纳米线/晶须结构的生长，得到所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体。

公开(公告)号：CN110903103A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811069742.4

申请日：2018-09-13

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 胡建宝 ,  祝泉 ,  董绍明 ,  杨金山 ,  丁玉生 ,  张翔宇 ,  阚艳梅

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/565 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10

Abstract: 本发明涉及一种轻质高强SiC多孔材料及其制备方法，该制备方法包括：通过3D打印方式将含有SiC一维纳米材料的水凝胶浆料挤出并逐层叠加成型，得到坯体；将所得坯体经脱脂排胶后，置于保护气氛中，在1750～2100℃下烧结1～3小时，得到所述轻质高强SiC多孔材料。

公开(公告)号：CN110903099A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811069130.5

申请日：2018-09-13

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 胡建宝 ,  祝泉 ,  董绍明 ,  杨金山 ,  丁玉生 ,  张翔宇 ,  阚艳梅

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/81 ,  B29C64/118 ,  B29C64/106 ,  B29C64/379 ,  B33Y40/20 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00 ,  C08K7/10 ,  C08K7/26 ,  C22C1/10

Abstract: 本发明涉及一种由定向排布的一维纳米材料构成的多孔体及其制备方法，该制备方法包括：通过3D打印方式将含有一维纳米材料的浆料挤出并逐层叠加成型，得到多孔体坯体；将所得多孔体坯体经热解处理，得到由定向排布的一维纳米材料构成的多孔体。