公开(公告)号：CN1075831A

公开(公告)日：1993-09-01

申请号：CN92113809.1

申请日：1992-12-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 袁诗鑫 ,  李杰 ,  彭中灵 ,  陈新禹 ,  俞锦陛 ,  郭世平 ,  乔怡敏 ,  于梅芳 ,  谢钦熙

IPC: H01S3/18 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的Zn1-xCdzSySc1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。

公开(公告)号：CN1025526C

公开(公告)日：1994-07-20

申请号：CN92113809.1

申请日：1992-12-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 袁诗鑫 ,  李杰 ,  彭中灵 ,  陈新禹 ,  俞锦陛 ,  郭世平 ,  乔怡敏 ,  于梅芳 ,  谢钦熙

IPC: H01S3/18 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的Zn1-xCdxSySe1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。