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公开(公告)号：CN113193857B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110392534.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明涉及一种能效张弛振荡器，通过调节高、低阈值电压(VA、VB)，从而调节比较器I1的阈值电压，从而实现振荡器频率的可编程。并且通过基准电压VREFP和VREFN分别对电容C1的下极板和电容C2的上极板充电，调节M2，M3的过驱动电压，由于该电路的功耗与gm/Id成反比，其值越高，功耗越低，因此通过调节基准电压VREFP和VREFN的值来降低该振荡器电路的整体功耗，提高该振荡器电路的能效。本发明进一步提高能效使用率、降低功耗。
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公开(公告)号：CN102674239A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142982.9
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种混成式三维神经元探针阵列的制备方法，属于微机电系统技术领域。该三维神经元探针阵列在制备的过程中，在硅衬底与信号读出电路衬底之间倒焊互连后，通过在硅衬底的正面上切割形成多行多列的V形沟槽、以在所述硅衬底的正面形成锥形台阵列；将硅衬底铣切以形成分离的用于形成探针阵列的硅柱阵列，锥形台的锥角或部分锥角保留在所述硅柱之上用于形成探针的针尖。因此，该混成式三维神经元探针阵列的制备成品率高，并且制备工艺相对简单，适合大规模制备。
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公开(公告)号：CN102670193A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142795.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种混成式三维神经元探针阵列，它包括：信号读出电路衬底，与所述信号读出电路衬底倒焊互连的探针阵列；所述探针阵列的每个探针包括：针尖，针身，以及针底座；相邻探针之间的针底座之间相互分离；相邻所述探针的所述针底座之间的间距范围为25至75微米，针尖由两个相邻交接的斜面和两个相互垂直交接的垂直面围成，两个所述垂直面垂直于所述硅衬底，所述斜面与所述垂直面之间的夹角为V形沟槽的两个斜面的夹角的1/2。该混成式三维神经元探针阵列的制备成品率高，并且制备工艺相对简单，适合大规模制备。
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公开(公告)号：CN112953543B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110100803.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明涉及一种工作模式可编程的全动态比较器，全动态比较器Comparator分别设有时钟信号接口CLK和CLKB、输入端电压接口VIP和VIN、工作模式控制信号VN和VNB、输出信号接口OUTP和OUTN，Comparator由预放大器Pre_AmpSA和动态锁存器SA‑Latch组成，Pre_AmpSA一端分别连接VIP、VIN、VN、VNB、CLK，另一端通过信号接口op和on分别连接SA‑Latch，SA‑Latch分别连接CLKB、OUTP、OUTN。本发明工作模式可编程、灵活选择其工作在低噪声模式或者低功耗模式、低功耗、低噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101298314A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810038328.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法。具体工艺方法是在微桥阵列的衬底上先涂一层牺牲层，在其上制备微桥阵列，然后将读出电路和微桥阵列倒转互连，最后去掉牺牲层，使微桥阵列的衬底自动脱离。该方法可以避免去除微桥阵列衬底过程中的芯片保护和终点监测问题，快速高效地实现大规模微桥阵列的转移。
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公开(公告)号：CN113193857A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110392534.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明涉及一种能效张弛振荡器，通过调节高、低阈值电压(VA、VB)，从而调节比较器I1的阈值电压，从而实现振荡器频率的可编程。并且通过基准电压VREFP和VREFN分别对电容C1的下极板和电容C2的上极板充电，调节M2，M3的过驱动电压，由于该电路的功耗与gm/Id成反比，其值越高，功耗越低，因此通过调节基准电压VREFP和VREFN的值来降低该振荡器电路的整体功耗，提高该振荡器电路的能效。本发明进一步提高能效使用率、降低功耗。
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公开(公告)号：CN112953543A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110100803.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明涉及一种工作模式可编程的全动态比较器，全动态比较器Comparator分别设有时钟信号接口CLK和CLKB、输入端电压接口VIP和VIN、工作模式控制信号VN和VNB、输出信号接口OUTP和OUTN，Comparator由预放大器Pre_AmpSA和动态锁存器SA‑Latch组成，Pre_AmpSA一端分别连接VIP、VIN、VN、VNB、CLK，另一端通过信号接口op和on分别连接SA‑Latch，SA‑Latch分别连接CLKB、OUTP、OUTN。本发明工作模式可编程、灵活选择其工作在低噪声模式或者低功耗模式、低功耗、低噪声。
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公开(公告)号：CN101570311A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910052996.X
申请日：2009-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种高占空比绝热微桥结构及其实现方法，该微桥结构将桥面和桥腿从功能上分离，桥面为吸收结构，桥腿为支撑结构、导电结构和绝热结构，桥腿和桥面的重叠接触部分为敏感结构，将桥腿置于桥面下方，在不提高桥面热质量的前提下，提高器件的占空比。并给出一种有效而简便的实现方法，可以制备大规模微桥阵列。
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