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公开(公告)号：CN112953543B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110100803.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明涉及一种工作模式可编程的全动态比较器，全动态比较器Comparator分别设有时钟信号接口CLK和CLKB、输入端电压接口VIP和VIN、工作模式控制信号VN和VNB、输出信号接口OUTP和OUTN，Comparator由预放大器Pre_AmpSA和动态锁存器SA‑Latch组成，Pre_AmpSA一端分别连接VIP、VIN、VN、VNB、CLK，另一端通过信号接口op和on分别连接SA‑Latch，SA‑Latch分别连接CLKB、OUTP、OUTN。本发明工作模式可编程、灵活选择其工作在低噪声模式或者低功耗模式、低功耗、低噪声。
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公开(公告)号：CN104362992A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546517.0
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H03F1/26 , H03F1/301 , H03F3/45192 , H03F2200/372 , H03F2203/45054
Abstract: 本发明公开了一种CMOS低温低噪声运放电路，其偏置电路部分采用多级电流镜套构的方式，参考电流基准采用两个二极管连接的MOS管有源电阻生成，使放大器的参考电流具有较好的温度特性；放大部分采用差分输入的折叠共源共栅结构，一级放大就能使放大器的开环增益大于80dB，克服了传统的二级放大使用的米勒补偿电容在低温77K下容易引起振荡的缺点；差分输入对管采用宽长比大于100的大管子，有利于CMOS放大器噪声性能地提高，该差分运算放大器在常温和低温77K之间都能正常工作，可作为低温CMOS电路设计的标准放大器模块使用，既可以应用在光伏红外探测器电路，也可应用在长波红外光导探测器电路。
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公开(公告)号：CN115694500A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211411336.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03M1/12 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种栅压自举开关电路。一种栅压自举开关电路，包括一栅压自举电路、一采样用晶体管M10、输入端、输出端和时钟信号CLK；栅压自举电路包括晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M8、M9、M11和M12，电容C1。本发明通过对栅压自举电路的改进设计，加快了栅压自举电路输入端的采样速度，从而使得与传统的栅压自举开关电路相比，本发明具有更高的采样速度和精度。
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公开(公告)号：CN115694177A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211446600.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种高能效的电荷泵电路及其控制方法。其中，高能效的电荷泵电路，包括：第一晶体管，栅极连接第二控制信号，源极连接电源电位；第二晶体管，栅极连接第一控制信号；第一电容，上极板连接第一晶体管的漏极、第二晶体管的源极，下极板连接地电位；第三晶体管，栅极连接第二控制信号；第二电容，上极板连接第二晶体管的漏极、第三晶体管的漏极并作为输出端，下极板连接地电位；第四晶体管，栅极连接第一控制信号，源极连接地电位；第三电容，上极板连接第三晶体管的源极、第四晶体管的漏极，下极板连接地电位。本发明的第二晶体管和第三晶体管的过驱动电压均减小，大大提高了电荷泵电路的能效。
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公开(公告)号：CN113193857A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110392534.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明涉及一种能效张弛振荡器，通过调节高、低阈值电压(VA、VB)，从而调节比较器I1的阈值电压，从而实现振荡器频率的可编程。并且通过基准电压VREFP和VREFN分别对电容C1的下极板和电容C2的上极板充电，调节M2，M3的过驱动电压，由于该电路的功耗与gm/Id成反比，其值越高，功耗越低，因此通过调节基准电压VREFP和VREFN的值来降低该振荡器电路的整体功耗，提高该振荡器电路的能效。本发明进一步提高能效使用率、降低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112953543A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110100803.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明涉及一种工作模式可编程的全动态比较器，全动态比较器Comparator分别设有时钟信号接口CLK和CLKB、输入端电压接口VIP和VIN、工作模式控制信号VN和VNB、输出信号接口OUTP和OUTN，Comparator由预放大器Pre_AmpSA和动态锁存器SA‑Latch组成，Pre_AmpSA一端分别连接VIP、VIN、VN、VNB、CLK，另一端通过信号接口op和on分别连接SA‑Latch，SA‑Latch分别连接CLKB、OUTP、OUTN。本发明工作模式可编程、灵活选择其工作在低噪声模式或者低功耗模式、低功耗、低噪声。
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公开(公告)号：CN119172654A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411148217.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 江苏集萃智能感知科技有限公司 , 中国科学院上海技术物理研究所
Inventor： 陈世军
Abstract: 本发明属于CMOS图像传感器领域，提供一种全局快门CMOS图像传感器像素电路及其控制方法，包括：PD型光电二极管、采样电容CH、全局复位管M1、第一级源极跟随管M2、第一级源极跟随负载管M3、全局采样管M4、第二级源极跟随管M5和像素选通管M6，构成一种全局快门6T像素读出电路；所述控制信号，包括：控制信号PDrst、Vdd_控制信号PDrst、Pre、SH、mem、Vdd_pixsf和row_sel。本发明基于PD光电二极管结构，增大了图像传感器的动态范围，实现了全局快门工作方式。
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公开(公告)号：CN105516625A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610020794.7
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3741 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器像元合并读出电路结构及信号处理读出方法。该结构包括列总线，列放大器，列读出复位开关、列选通开关，列合并电容，列合并控制开关，列合并总线，列合并输出开关，行合并电容，合并复位开关，行合并控制开关，行合并总线及输出放大器。系统工作时，由列总线依次选取待合并像元所在行，通过列合并控制开关和行合并控制开关完成行列像元合并操作，最终经输出放大器输出像元合并后的信号。本发明的优点在于实现了CMOS图像传感器任意规模的像元合并功能，同时提升了信噪比和帧频。
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公开(公告)号：CN104359562A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546324.5
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明公开了一种电流镜方式的非制冷红外探测器读出电路，该电路为CTIA读出电路，输入电路采用电流镜方式，电流镜布局在线列电路的左右两端，电流镜地线采用宽度大于100微米的金属线，电流镜调节端设计有粗调和微调两个调节端口；积分电路中，积分电容由三个电容并联组成的多级放大结构；输出电路中，电路CDS输出端采用由开关控制的低功耗N管跟随结构。本发明的优点在于：电路输入端采用电流镜方式降低了探测器工艺制作的复杂性；输入端设计有粗调和微调两个调节端口既扩大了电路对非致冷红外探测器工作电流的适用范围又能精确调节系统的工作状态；电路的功耗低，放大倍数多级可调，采用亚微米CMOS工艺制造的重复性好。
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公开(公告)号：CN102510452A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110317208.2
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS有源像素传感器的相关三采样电路，它涉及CMOS有源像素传感器(APS)信号噪声处理电路设计。传感器的行列级采用了相关三采样电路，即三个行列级的采样保持电路对CMOS有源像素的输出信号进行采样保持，为在不同的工作情况下有效的抑制像素输出信号中的随机噪声提供了两种选择：同一帧里像素的“信号电压”和“复位电压”采样保持后做差以消除FPN和抑制低频噪声；以及像素的“信号电压”和下一帧的“复位电压”采样保持后做差来消除FPN和抑制低频噪声。相关三采样电路可为不同的工作情况，如积分时间的变化，提供不同的噪声差除方案，可更好的抑制噪声。
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