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公开(公告)号：CN102530843A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019354.1
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法。聚酰亚胺薄膜由光敏型聚酰亚胺树脂旋涂在基底表面，经亚胺化后获得；亚胺化使聚酰亚胺薄膜与基底形成良好粘附；采用光刻、显影工艺使聚酰亚胺在像元表面成型；疏松化通过腐蚀并去除混合在聚酰亚胺树脂中的铝粉末颗粒实现；采用氧等离子体刻蚀方法可控制聚酰亚胺的厚度，减轻热质量，同时保证铝粉末颗粒表面部分或完全露出，使铝粉末颗粒能完全去除。采用该方法制备的疏松化聚酰亚胺薄膜克服了黑金吸收薄膜机械强度差、不易图形化，热质量较高的缺点，相对于薄金属吸收薄膜也提高了红外吸收率，对非制冷探测器性能提高具有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN102060260A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010565106.8
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种以锡为牺牲层的微机械结构器件制备方法。该方法以锡为牺牲层，采用加热基底熔化锡的方法实现牺牲层表面平坦化；采用湿法腐蚀方法腐蚀锡牺牲层，使牺牲层成形；在牺牲层表面制作各种微机械结构图形后，将基底置于干冰液体中，使牺牲层粉末化并脱离基底，实现微机械结构悬空。由于牺牲层去除采用物理方法，不会对悬空微机械结构材料产生化学腐蚀作用，因此可提高器件合格率，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN101570311A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910052996.X
申请日：2009-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种高占空比绝热微桥结构及其实现方法，该微桥结构将桥面和桥腿从功能上分离，桥面为吸收结构，桥腿为支撑结构、导电结构和绝热结构，桥腿和桥面的重叠接触部分为敏感结构，将桥腿置于桥面下方，在不提高桥面热质量的前提下，提高器件的占空比。并给出一种有效而简便的实现方法，可以制备大规模微桥阵列。
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公开(公告)号：CN101298314A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810038328.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法。具体工艺方法是在微桥阵列的衬底上先涂一层牺牲层，在其上制备微桥阵列，然后将读出电路和微桥阵列倒转互连，最后去掉牺牲层，使微桥阵列的衬底自动脱离。该方法可以避免去除微桥阵列衬底过程中的芯片保护和终点监测问题，快速高效地实现大规模微桥阵列的转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102674239A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142982.9
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种混成式三维神经元探针阵列的制备方法，属于微机电系统技术领域。该三维神经元探针阵列在制备的过程中，在硅衬底与信号读出电路衬底之间倒焊互连后，通过在硅衬底的正面上切割形成多行多列的V形沟槽、以在所述硅衬底的正面形成锥形台阵列；将硅衬底铣切以形成分离的用于形成探针阵列的硅柱阵列，锥形台的锥角或部分锥角保留在所述硅柱之上用于形成探针的针尖。因此，该混成式三维神经元探针阵列的制备成品率高，并且制备工艺相对简单，适合大规模制备。
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公开(公告)号：CN102670193A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142795.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种混成式三维神经元探针阵列，它包括：信号读出电路衬底，与所述信号读出电路衬底倒焊互连的探针阵列；所述探针阵列的每个探针包括：针尖，针身，以及针底座；相邻探针之间的针底座之间相互分离；相邻所述探针的所述针底座之间的间距范围为25至75微米，针尖由两个相邻交接的斜面和两个相互垂直交接的垂直面围成，两个所述垂直面垂直于所述硅衬底，所述斜面与所述垂直面之间的夹角为V形沟槽的两个斜面的夹角的1/2。该混成式三维神经元探针阵列的制备成品率高，并且制备工艺相对简单，适合大规模制备。
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公开(公告)号：CN102060260B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010565106.8
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种以锡为牺牲层的微机械结构器件制备方法。该方法以锡为牺牲层，采用加热基底熔化锡的方法实现牺牲层表面平坦化；采用湿法腐蚀方法腐蚀锡牺牲层，使牺牲层成形；在牺牲层表面制作各种微机械结构图形后，将基底置于干冰液体中，使牺牲层粉末化并脱离基底，实现微机械结构悬空。由于牺牲层去除采用物理方法，不会对悬空微机械结构材料产生化学腐蚀作用，因此可提高器件合格率，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102530843B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210019354.1
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法。聚酰亚胺薄膜由光敏型聚酰亚胺树脂旋涂在基底表面，经亚胺化后获得；亚胺化使聚酰亚胺薄膜与基底形成良好粘附；采用光刻、显影工艺使聚酰亚胺在像元表面成型；疏松化通过腐蚀并去除混合在聚酰亚胺树脂中的铝粉末颗粒实现；采用氧等离子体刻蚀方法可控制聚酰亚胺的厚度，减轻热质量，同时保证铝粉末颗粒表面部分或完全露出，使铝粉末颗粒能完全去除。采用该方法制备的疏松化聚酰亚胺薄膜克服了黑金吸收薄膜机械强度差、不易图形化，热质量较高的缺点，相对于薄金属吸收薄膜也提高了红外吸收率，对非制冷探测器性能提高具有实际应用价值。
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