公开(公告)号：CN104183676A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410403083.9

申请日：2014-08-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王兴军 ,  李玉涟 ,  张波 ,  邱维阳 ,  何素明 ,  周书同 ,  罗向东 ,  翁钱春 ,  陆卫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明公开了一种γ射线辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法，该方法在标准大气压，普通空气氛围下，采用γ射线对LED芯片进行辐照。选择适当的辐照剂量，使辐照后LED内In组分起伏增强，In团簇对载流子的束缚能力增加，载流子局域能力增强，因此发生去局域时电流密度增大，从而降低LED的效率崩塌效应，增强大电流密度下的发光强度。本发明工艺简单，操作方便，可大面积使用，与LED复杂的外延片生长过程和芯片制作过程无关，因此适于对LED芯片的光学性能进行改进，以促进InGaN基白光LED的应用。