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公开(公告)号：CN104986728B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510274630.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。
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公开(公告)号：CN105957831A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610527908.7
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法，包括：提供单晶衬底，以所述单晶衬底的一表面为注入面，在所述单晶衬底内进行第一类型离子及第二类型离子的共注入，以在所述单晶衬底的预设深度形成缺陷层；提供支撑衬底，使所述单晶衬底的注入面与所述支撑衬底的表面紧密接触；沿所述缺陷层剥离部分所述单晶衬底，使所述单晶衬底的一部分转移到所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成薄层结构。本发明在单晶衬底内采用两种不同类型离子进行共注入，可以制备出单晶材料薄膜，有效地降低剥离及转移单晶材料薄膜层所需的离子总注入剂量，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；还可以解决部分材料使用单一离子注入无法实现剥离的问题。
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公开(公告)号：CN105068166A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510275299.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
IPC: G02B5/18
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明的高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后在所述锯齿状纳米结构周期阵列的表面生长周期性多层膜，形成极紫外多层膜闪耀光栅。本发明制备极紫外多层膜闪耀光栅只需要两步，大大简化了传统制备方法的复杂工艺。此外，采用本发明的制备方法，将大大增加闪耀光栅的栅线密度，从而大幅度地提高极紫外多层膜闪耀光栅的衍射效率和光谱分辨率。
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公开(公告)号：CN109727850A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811564257.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量-注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。
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公开(公告)号：CN106209003B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610527875.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极‑单晶氧化物‑金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107910400A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711101757.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的超导纳米线单光子探测器保证器件材料层薄膜具有一定厚度的同时，可以降低器件材料的临界温度，并保证了器件材料的均一性及较小的转换温度宽度，提高器件的探测效率。
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公开(公告)号：CN105068166B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510275299.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
IPC: G02B5/18
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明的高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后在所述锯齿状纳米结构周期阵列的表面生长周期性多层膜，形成极紫外多层膜闪耀光栅。本发明制备极紫外多层膜闪耀光栅只需要两步，大大简化了传统制备方法的复杂工艺。此外，采用本发明的制备方法，将大大增加闪耀光栅的栅线密度，从而大幅度地提高极紫外多层膜闪耀光栅的衍射效率和光谱分辨率。
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公开(公告)号：CN104986728A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510274630.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。
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公开(公告)号：CN105895576B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201610527885.X
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑的厚膜。本发明通过高能量的离子注入，可以形成厚度足以自支撑的厚膜，不需要支撑衬底，可以从一块半导体材料上分离出多片厚膜，从而提高半导体材料的利用率，降低生产成本；同时，本发明制备的厚膜不需要键合工艺，简化了剥离制备工艺，提高了应用的可靠性。
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公开(公告)号：CN107910400B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201711101757.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的超导纳米线单光子探测器保证器件材料层薄膜具有一定厚度的同时，可以降低器件材料的临界温度，并保证了器件材料的均一性及较小的转换温度宽度，提高器件的探测效率。
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