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公开(公告)号：CN118169619A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410344019.1
申请日：2024-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , H01F6/06 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供一种低噪声超导量子干涉磁感线圈、超导线圈及排布结构，包括：第一约瑟夫森结、第二约瑟夫森结、第一电阻、第二电阻；第一约瑟夫森结与第一电阻并联形成第一并联结构；第二约瑟夫森结与第二电阻并联形成第二并联结构；第一并联结构与第二并联结构并联以形成闭合回路；偏置电流流经低噪声超导量子干涉磁感线圈后输出，以使得低噪声超导量子干涉磁感线圈基于偏置电流感应工作；其中，第一电阻与第二电阻不相等，以提高低噪声超导量子干涉磁感线圈的感应线性范围，降低低噪声超导量子干涉磁感线圈的噪声。本发明有效提高了低噪声超导量子干涉磁感线圈以及超导线圈的噪声性能，避免了超导量子干涉器件工作时的噪声性能较低的问题。
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公开(公告)号：CN110444658A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910745134.9
申请日：2019-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。
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公开(公告)号：CN109283395A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811456931.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多通道电阻测试系统及其测试方法，所述系统包括：样品支撑结构，用于放置N个待测试样品，N个待测试样品依次串联并引出2N+2个引出端；多通道切换开关控制模块，包括N个正电压端控制开关及N个负电压端控制开关，用于根据测试选择信号控制对应开关闭合，以从N个待测试样品中选出一与测试选择信号对应的实际测试样品；电流源，用于为N个串联的待测试样品提供恒定电流；数据读取模块，用于读取实际测试样品两端的电压差值；主控模块，用于向各开关发送所述测试选择信号。通过本发明解决了采用现有测试方法进行Tc值测试时，因引入热负载导致降温缓慢，同时因手动切换引线导致测试耗时较长的问题。
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公开(公告)号：CN105002562A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510434137.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法，所述单晶具有与ZrCuSiAs相同的四方的晶体结构，起始超导转变温度为21K。本发明的制备方法采用CaAs做自助熔剂，通过缓慢降温结晶的方法制得基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，该方法得到的单晶具有1-2毫米的尺寸。
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公开(公告)号：CN103871976A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410095131.2
申请日：2014-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法，其特征在于所述改进的封装结构是在底板（2）上放置中间层（4），将顶层盖板（1）放置于中间层（4）的上面；所述的中间层由内壁和外壁两部分构成，内壁和外壁之间形成一个槽形结构，槽形结构与顶层盖板和底板密封封闭在一起。在内壁上制作有均匀的小孔，中间层的内壁和外壁之间的槽形结构通过内壁的小孔的孔洞与器件封装的空间相通。槽形结构的内部填充活性吸附物质。由于中间层增加了槽形结构，虽对高温SQUID器封装器件体积影响不大，但与现有没有填充活性吸附物质的封装结构相比，显示出降低水分与芯片接触几率方面有很大优势，延长了HTS？SQUID器件的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111244259B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010066840.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1‑1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。
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公开(公告)号：CN111063788B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911186950.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种超导转变边探测器的制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射方法在衬底上制备铝(Al)薄膜；对Al薄膜进行光刻和湿法刻蚀处理；获取探测器薄膜和电极图形；对Al薄膜再次进行光刻处理，采用光刻胶覆盖电极图形区域；采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行锰(Mn)离子注入；通过调整Mn离子的注入量能够调整探测器薄膜的超导转变温度，超导转变温度范围为1.2K‑50mK；去除所述光刻胶；获取待处理器件。本申请实施例采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行Mn离子注入，电极区域不进行Mn离子注入，如此，能够实现基于同一层Al薄膜通过选区注入实现探测器和超导电极两种不同超导转变温度的薄膜。
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公开(公告)号：CN113764569A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111039268.2
申请日：2021-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于离子注入的冷子管开关及其制备方法，冷子管开关包括门线和控制线，所述控制线与所述门线平行并叠加于所述门线上，所述门线的材料为通过离子注入方法得到的超导薄膜。本发明的基于离子注入的冷子管开关，采用离子注入方法得到的超导薄膜作为冷子管开关的门线材料，可以对超导薄膜的临界温度和临界磁场进行连续性调控，因此可以根据冷子管开关所需的工作参数来选择相应注入浓度的超导薄膜，从而使冷子管开关的工作参数具有灵活性。
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公开(公告)号：CN110444658B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910745134.9
申请日：2019-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。
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公开(公告)号：CN111244259A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010066840.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1-1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。
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