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公开(公告)号：CN111883647A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010717300.7
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/04 , H01L41/08 , H03H9/02 , H03H9/64
Abstract: 本发明公开了压电薄膜的制备方法、压电薄膜及声表面波滤波器，该方法包括：对压电晶圆进行离子注入剥离，得到表面具有离子注入损伤层的初始压电薄膜；在预设温度范围内，通过氟离子对初始压电薄膜进行低能离子辐照去除所述离子注入损伤层，得到辐照后的压电薄膜；辐照后的压电薄膜的表面具有非晶层，所述非晶层包含所述氟离子与初始压电薄膜在离子辐照过程中进行化学反应得到的成分；使用预设混合溶液去除辐照后的压电薄膜表面的非晶层，得到压电薄膜。本发明能够降低薄膜表面粗糙度和提高薄膜厚度均匀性，同时不在薄膜表面留下非晶层。
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公开(公告)号：CN103248597B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310185894.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 上海无线通信研究中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L25/49
Abstract: 本发明提供一种基于参考信号的自适应数字预失真系统及初始化校正方法。通过在数字域引入参考信号发生器模块，基于参考信号对预失真系统进行初始化训练，得到一系列的预失真初始化参数。当功率放大器的非线性变化触发校正使能信号时，基于参考信号对预失真系统进行校正，得到相应的预失真参数。本发明解决了传统预失真系统的盲点问题，可以准确跟踪功率放大器的非线性变化，并保证对所有传输信号的预失真处理，且参考信号在格式上、长度上、频带上等均具备较强的灵活性。
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公开(公告)号：CN110632687B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810651434.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及制备方法，制备包括：提供闪耀光栅衬底，表面形成有周期排布的锯齿状阵列结构，包括具有第一倾角的第一槽面及具有第二倾角的第二槽面；于闪耀光栅衬底上形成交替多层膜结构，包括若干个超材料结构单元，包括第一等效介电常数单元和第二等效介电常数单元，二者之间形成电磁波吸收界面，本发明的超材料晶体结构可按需调控电磁波的吸收，可以通过调控超材料晶体结构支持的界面波矢，所述多层膜的材料参数和光栅的闪耀角，可精确调控电磁波的特征吸收峰；通过调控超材料晶体结构的周期P，即光栅常数，可有效调控电磁波的吸收系数，可针对不同频段的电磁波的吸收调控，无需重新设计超材料晶体结构。
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公开(公告)号：CN103248597A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310185894.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 上海无线通信研究中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L25/49
Abstract: 本发明提供一种基于参考信号的自适应数字预失真系统及初始化校正方法。通过在数字域引入参考信号发生器模块，基于参考信号对预失真系统进行初始化训练，得到一系列的预失真初始化参数。当功率放大器的非线性变化触发校正使能信号时，基于参考信号对预失真系统进行校正，得到相应的预失真参数。本发明解决了传统预失真系统的盲点问题，可以准确跟踪功率放大器的非线性变化，并保证对所有传输信号的预失真处理，且参考信号在格式上、长度上、频带上等均具备较强的灵活性。
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公开(公告)号：CN111063788B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911186950.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种超导转变边探测器的制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射方法在衬底上制备铝(Al)薄膜；对Al薄膜进行光刻和湿法刻蚀处理；获取探测器薄膜和电极图形；对Al薄膜再次进行光刻处理，采用光刻胶覆盖电极图形区域；采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行锰(Mn)离子注入；通过调整Mn离子的注入量能够调整探测器薄膜的超导转变温度，超导转变温度范围为1.2K‑50mK；去除所述光刻胶；获取待处理器件。本申请实施例采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行Mn离子注入，电极区域不进行Mn离子注入，如此，能够实现基于同一层Al薄膜通过选区注入实现探测器和超导电极两种不同超导转变温度的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764569A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111039268.2
申请日：2021-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于离子注入的冷子管开关及其制备方法，冷子管开关包括门线和控制线，所述控制线与所述门线平行并叠加于所述门线上，所述门线的材料为通过离子注入方法得到的超导薄膜。本发明的基于离子注入的冷子管开关，采用离子注入方法得到的超导薄膜作为冷子管开关的门线材料，可以对超导薄膜的临界温度和临界磁场进行连续性调控，因此可以根据冷子管开关所需的工作参数来选择相应注入浓度的超导薄膜，从而使冷子管开关的工作参数具有灵活性。
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公开(公告)号：CN111883647B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010717300.7
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/04 , H01L41/08 , H03H9/02 , H03H9/64
Abstract: 本发明公开了压电薄膜的制备方法、压电薄膜及声表面波滤波器，该方法包括：对压电晶圆进行离子注入剥离，得到表面具有离子注入损伤层的初始压电薄膜；在预设温度范围内，通过氟离子对初始压电薄膜进行低能离子辐照去除所述离子注入损伤层，得到辐照后的压电薄膜；辐照后的压电薄膜的表面具有非晶层，所述非晶层包含所述氟离子与初始压电薄膜在离子辐照过程中进行化学反应得到的成分；使用预设混合溶液去除辐照后的压电薄膜表面的非晶层，得到压电薄膜。本发明能够降低薄膜表面粗糙度和提高薄膜厚度均匀性，同时不在薄膜表面留下非晶层。
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公开(公告)号：CN111081811A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811229790.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种陷光结构的制备方法及半导体陷光结构，制备包括：提供一衬底，至少包括第一化学元素及第二化学元素，第一化学元素具有第一饱和蒸气压，第二化学元素具有第二饱和蒸气压，第一饱和蒸气压小于第二饱和蒸气压；对衬底进行离子束辐照，使得所述第一化学元素逃逸出离子束辐照面，并基于第二化学元素于离子束辐照面上形成陷光结构。本发明通过离子辐照的技术，在衬底表面快速制备大面积陷光结构，且制绒高度可调，能够大大简化陷光结构的制备流程，降低成本，可以极大增加衬底光接收面积，减小光反射率，应用在太阳能电池中，能够有效降低光反射，提高转化率，只需要一步，大大简化了传统“制绒”方式，降低了成本，提高了可操控性。
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公开(公告)号：CN111063788A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911186950.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种超导转变边探测器的制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射方法在衬底上制备铝(Al)薄膜；对Al薄膜进行光刻和湿法刻蚀处理；获取探测器薄膜和电极图形；对Al薄膜再次进行光刻处理，采用光刻胶覆盖电极图形区域；采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行锰(Mn)离子注入；通过调整Mn离子的注入量能够调整探测器薄膜的超导转变温度，超导转变温度范围为1.2K-50mK；去除所述光刻胶；获取待处理器件。本申请实施例采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行Mn离子注入，电极区域不进行Mn离子注入，如此，能够实现基于同一层Al薄膜通过选区注入实现探测器和超导电极两种不同超导转变温度的薄膜。
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公开(公告)号：CN104168238B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201310185059.8
申请日：2013-05-17
Applicant: 上海无线通信研究中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L25/49
Abstract: 本发明提供一种降低自适应数字预失真算法计算复杂度的方法，针对原始多项式基函数自相关矩阵条件数较高的特性，在建立多项式预失真模型的非线性模型后，通过对原始多项式基函数得到的自相关矩阵的期望进行归一正交化，得到归一正交化的基函数，进一步对递归最小二乘算法的计算复杂度进行简化。本发明的降低自适应数字预失真算法计算复杂度的方法在保证收敛速度快、失调量小的前提下，使得传统递归最小二乘算法的计算复杂度降低为最小均方误差算法的复杂度。
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