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公开(公告)号:CN116937312A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310939899.2
申请日:2023-07-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H01S3/1118 , H01S3/067
Abstract: 一种基于结构介电常数近零薄膜的可饱和吸收体、制备方法及脉冲激光器方面的应用,属于激光技术及非线性光学技术领域。所述可饱和吸收体器件包括衬底、微结构阵列层和沉积在所述微结构陈列层上的结构ENZ薄膜。将结构ENZ可饱和吸收体放置在连续或长脉冲运转的激光谐振腔内,可以实现短脉冲激光输出。本发明提供的结构ENZ可饱和吸收体,具有在0°激光辐照下依然可以产生强的饱和吸收特性,可有效利用ENZ材料的ENZ效应引起的强的非线性光学性能;具有较高的损伤阈值,能够用于高功率激光器的研制;成本低,可大面积制备,便于集成,有利于产业化生产。本发明还提供了一种基于结构ENZ薄膜的可饱和吸收体的制备方法和应用。
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公开(公告)号:CN113437630A
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN202110631580.4
申请日:2021-06-07
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种基于1T‑TaS2的光学脉冲调制器及其在激光器中的应用,1T‑TaS2光学脉冲调制器由化学气相传输法制得,包括衬底和沉积在衬底上面的1T‑TaS2薄膜。将1T‑TaS2光学脉冲调制器放置在连续或长脉冲运转的激光谐振腔内,可以实现短脉冲激光输出。本发明1T‑TaS2光学脉冲调制器具有以下优势:1T‑TaS2具有恢复时间短、工作波段宽的特性,可对可见至红外波段的激光实现调制。1T‑TaS2薄膜采用化学气相输运法制得,制备工艺简单成熟,所得样品结晶质量高,在衬底的分布均匀,且厚度可控,更有利于实际应用。体积小、便于集成,可实现从材料到器件的一体化设计和集成,有利于产业化生产。
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公开(公告)号:CN118896758A
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202410916569.6
申请日:2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种评估激光光学元件安全运行通量和筛选元件的方法,该方法包括三步测试,分别达到确定激光光学元件无损伤激光通量、排除缺陷损伤影响和筛选合格样品,以及验证长期稳定性的目的,从而确保激光光学元件在高功率激光系统中的高可靠性。第一步测试通过逐步扫描测试,确定光学元件的无损伤激光通量Fun;第二步测试以无损伤激光通量Fun对光学元件进行多次全口径扫描,排除原生缺陷损伤和累积效应影响,获得合格样品;第三步测试利用多脉冲对合格的激光光学元件进行稳定性验证。与现有的激光损伤测试方法相比,该方法可有效评估高性能要求激光系统中激光光学元件的抗激光损伤能力,确定安全运行通量,筛选出高可靠性激光光学元件。
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