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公开(公告)号：CN115872447A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211679739.0
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国矿业大学 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C01G27/00
Abstract: 本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法，包括以下步骤：按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料，利用溶胶‑凝胶方法制得BCHT溶胶；对溶胶进行活化处理；将活化处理后的溶胶放入油浴锅中保温陈化得到凝胶，于真空干燥箱中干燥后得到凝胶干粉；对凝胶干粉进行煅烧、研磨，得到BCHT粉体。本发明克服了现有铪钛酸钡钙粉体制备方法存在的粉体球磨混料不均匀，引入外部杂质，煅烧温度高等问题，具有大幅降低煅烧温度、成分均匀、组分准确、纯度高、产物粉体细小、单分散等优势，有利于提升粉体的烧结性能，为进一步制备高磁电耦合性能多铁半导体压电相奠定了坚实基础。
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公开(公告)号：CN112661515A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011556083.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层及制备方法，所述SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层覆于单晶硅炉用加热器的加热部件的表面。本发明通过对加热器的加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112645711A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011544365.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑BN复合涂层及制备方法，制备方法包括如下步骤：将Si粉、Zr粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨，得到混合粉体；将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中，将混合粉末覆盖加热部件；将石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理，得到所述SiC‑ZrC‑BN复合涂层。本发明通过对加热器发热体增加SiC‑ZrC‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对发热体的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115872447B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202211679739.0
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国矿业大学 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C01G27/00
Abstract: 本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法，包括以下步骤：按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料，利用溶胶‑凝胶方法制得BCHT溶胶；对溶胶进行活化处理；将活化处理后的溶胶放入油浴锅中保温陈化得到凝胶，于真空干燥箱中干燥后得到凝胶干粉；对凝胶干粉进行煅烧、研磨，得到BCHT粉体。本发明克服了现有铪钛酸钡钙粉体制备方法存在的粉体球磨混料不均匀，引入外部杂质，煅烧温度高等问题，具有大幅降低煅烧温度、成分均匀、组分准确、纯度高、产物粉体细小、单分散等优势，有利于提升粉体的烧结性能，为进一步制备高磁电耦合性能多铁半导体压电相奠定了坚实基础。
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公开(公告)号：CN115818720A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211679893.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国矿业大学 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C01G45/12
Abstract: 本发明公开了一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法，包括如下步骤：首先，通过溶胶‑凝胶方法制备LBMO凝胶，将凝胶烘干后得到LBMO干粉前驱体；其次，将研磨后的干粉前驱体填入氧化锆模具后，装入真空气氛结炉中；最后，将真空气氛结炉进气阀口连接空气鼓风机，开启鼓风并进行煅烧；煅烧完毕后，取出炉中的产物，研磨后得到LBMO粉体。本发明克服了现有LBMO磁性粉体制备方法存在的成分偏离、引入杂质、粉体团聚、产物不纯、结晶程度低、煅烧温度高、保温时间长等问题，具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成粉体单分散、提高产物结晶程度、降低煅烧温度、缩短保温时间等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115818720B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211679893.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国矿业大学 , 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C01G45/12
Abstract: 本发明公开了一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法，包括如下步骤：首先，通过溶胶‑凝胶方法制备LBMO凝胶，将凝胶烘干后得到LBMO干粉前驱体；其次，将研磨后的干粉前驱体填入氧化锆模具后，装入真空气氛结炉中；最后，将真空气氛结炉进气阀口连接空气鼓风机，开启鼓风并进行煅烧；煅烧完毕后，取出炉中的产物，研磨后得到LBMO粉体。本发明克服了现有LBMO磁性粉体制备方法存在的成分偏离、引入杂质、粉体团聚、产物不纯、结晶程度低、煅烧温度高、保温时间长等问题，具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成粉体单分散、提高产物结晶程度、降低煅烧温度、缩短保温时间等优势。
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公开(公告)号：CN112725884A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011515946.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法，该装置包括石英销和热屏，所述石英销包括水平部分和主体部分，水平部分设置于主体部分上方，并互相垂直，构成“T”字型，主体部分的外立面上设置有反光材料；所述热屏包括导流筒，导流筒底部开设有台阶式通孔，台阶式通孔由第一通孔和第二通孔组成，所述石英销的主体部分穿过第二通孔，并伸出于导流筒底部之下，石英销的水平部分置于第一通孔之中；石英销的主体部分垂直向下伸出导流筒的下沿以作为测量距离的标尺。本发明采用倒影法，由于直拉单晶炉内热屏内边缘在硅熔液液面上产生倒影，倒影法则利用相机采集液面上的倒影，进而检测熔硅液面位置倒影边缘在图像中的位置。
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公开(公告)号：CN112661536A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011555259.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种具有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层的单晶硅炉用加热器及制备方法，所述单晶硅炉用加热器包括加热部件，加热部件上覆有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层。本发明通过对加热器加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与加热部件的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104388926B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410634749.1
申请日：2014-11-12
Applicant: 中国矿业大学 , 中国矿业大学盱眙矿山装备与材料研发中心
IPC: C23C24/10
Abstract: 一种耐磨损传送辊制造方法，属于轧钢设备用传送辊制造方法。方法：1.传送辊毛坯制造；2.过渡缓冲层成型制造，等离子一次熔敷1Cr18Ni9Ti缓冲层；3.传送辊工作面的成型制造，在缓冲熔敷层位置上等离子熔敷3～4mm厚1Cr18Ni9Ti+NiCrMoCo‑WC合金层；4.磨削加工为成型传送辊。1Cr18Ni9Ti和NiCrMoCo‑WC粉末的粒径分别为100～200目、200～300目，二者的质量配比为1Cr18Ni9Ti粉末为35～70％，NiCrMoCo‑WC粉末为65～30％。NiCrMoCo‑WC粉末的主要成分为10.5～15.5％Ni、12.5～25.0％Cr、2.0～5.5％Mo、0.2～1.0％Co、45～65％WC，NiCrMoCo‑WC粉末通过真空熔炼、气雾化成型球状颗粒，二者通过机械混合形成传送辊工作面熔敷粉末材料。优点：1.提高传送辊使用寿命。2.提高合金的相容性，使其熔敷层裂纹敏感性降低。3.两种合金充分混合，形成高性能表面质量。4.能够应用于传送辊成型制造。
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公开(公告)号：CN119750638A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411993656.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿前驱体卤化铅及其制备方法和应用，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明首先分别将含卤素化合物和含铅化合物溶于水，得到含卤素化合物溶液和含铅化合物溶液；将聚氧乙烯‑聚氧丙烯‑聚氧乙烯、十六烷基三甲基溴化铵混合于水中，得到的混合溶液调整pH值，制得模板剂溶液；再将模板剂溶液、含卤素化合物溶液加入到含铅化合物溶液中进行反应，制得粗品卤化铅；最后将粗品卤化铅进行洗涤，得到卤化铅。本发明制得的卤化铅的纯度高达99.99％。本发明在制备卤化铅的过程中，添加了模板剂溶液，通过两种模板剂的添加能够诱导卤化铅(001)面和(003)面择优生长，显著提高所制备的钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
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