公开(公告)号：CN112725884A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011515946.3

申请日：2020-12-21

Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 ,  中国矿业大学

Inventor： 陈正 ,  赵李新 ,  陈强 ,  樊宇 ,  王汝江 ,  刘雨雨 ,  徐杰 ,  张平 ,  吴亚娟 ,  郑加镇

IPC: C30B15/26 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法，该装置包括石英销和热屏，所述石英销包括水平部分和主体部分，水平部分设置于主体部分上方，并互相垂直，构成“T”字型，主体部分的外立面上设置有反光材料；所述热屏包括导流筒，导流筒底部开设有台阶式通孔，台阶式通孔由第一通孔和第二通孔组成，所述石英销的主体部分穿过第二通孔，并伸出于导流筒底部之下，石英销的水平部分置于第一通孔之中；石英销的主体部分垂直向下伸出导流筒的下沿以作为测量距离的标尺。本发明采用倒影法，由于直拉单晶炉内热屏内边缘在硅熔液液面上产生倒影，倒影法则利用相机采集液面上的倒影，进而检测熔硅液面位置倒影边缘在图像中的位置。

公开(公告)号：CN112661536A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011555259.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 ,  中国矿业大学

Inventor： 郑加镇 ,  陈正 ,  陈强 ,  张平 ,  樊宇 ,  徐杰 ,  何业增 ,  范贺良

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明涉及一种具有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层的单晶硅炉用加热器及制备方法，所述单晶硅炉用加热器包括加热部件，加热部件上覆有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层。本发明通过对加热器加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与加热部件的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。

公开(公告)号：CN112661515A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011556083.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 ,  中国矿业大学

Inventor： 单彩霞 ,  陈正 ,  樊宇 ,  陈强 ,  张平 ,  时晓 ,  顾申翔宇 ,  徐杰 ,  吴亚娟 ,  郑加镇

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/65 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层及制备方法，所述SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层覆于单晶硅炉用加热器的加热部件的表面。本发明通过对加热器的加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。

公开(公告)号：CN112645711A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011544365.2

申请日：2020-12-24

Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 ,  中国矿业大学

Inventor： 陈正 ,  单彩霞 ,  陈强 ,  樊宇 ,  王汝江 ,  刘雨雨 ,  徐杰 ,  张平 ,  吴亚娟 ,  郑加镇

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑BN复合涂层及制备方法，制备方法包括如下步骤：将Si粉、Zr粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨，得到混合粉体；将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中，将混合粉末覆盖加热部件；将石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理，得到所述SiC‑ZrC‑BN复合涂层。本发明通过对加热器发热体增加SiC‑ZrC‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对发热体的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。

公开(公告)号：CN112635733B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202011516545.X

申请日：2020-12-21

Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司

Inventor： 乔帅帅 ,  郑加镇 ,  江宏富 ,  吴亚娟 ,  燕靖

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了锂离子电池的负极材料及其制备的方法和锂离子电池。该方法包括：得到复合材料前驱体，进行煅烧处理，以获得复合材料；利用化学气相沉积，在所述复合材料的导电骨架上沉积形成硅颗粒，其中所述化学气相沉积是采用硅烷‑氢气‑惰性气体三组分反应体系，在流化床反应器中实现的；对形成有所述硅颗粒的所述复合材料进行碳包覆处理，以形成所述负极材料。本发明方法制备的硅碳复合材料，即负极材料具有循环稳定性好、容量保持率高、导电性好等特性。

公开(公告)号：CN112635733A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011516545.X

申请日：2020-12-21

Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司

Inventor： 乔帅帅 ,  郑加镇 ,  江宏富 ,  吴亚娟 ,  燕靖

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了锂离子电池的负极材料及其制备的方法和锂离子电池。该方法包括：得到复合材料前驱体，进行煅烧处理，以获得复合材料；利用化学气相沉积，在所述复合材料的导电骨架上沉积形成硅颗粒，其中所述化学气相沉积是采用硅烷‑氢气‑惰性气体三组分反应体系，在流化床反应器中实现的；对形成有所述硅颗粒的所述复合材料进行碳包覆处理，以形成所述负极材料。本发明方法制备的硅碳复合材料，即负极材料具有循环稳定性好、容量保持率高、导电性好等特性。