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公开(公告)号：CN117595807A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311617124.X
申请日：2023-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明提供一种宽带功放电路，属于射频技术领域，解决了现有射频功率放大器的宽带匹配问题；所述宽带功放电路包括差分放大电路、偏置电路和输出巴伦；所述差分放大电路包括耦合单元和放大单元，耦合单元包括多个电容，用于对输入信号进行耦合、隔直和滤波处理；放大单元包括多个双极型晶体管和多个电阻，用于对耦合单元处理后的输入信号进行放大处理；所述偏置电路用于为所述差分放大电路提供偏置电压，使所述差分放大电路中的对应晶体管工作在相应的静态工作点，所述输出巴伦用于对所述差分放大电路处理后的信号进行宽带匹配并形成输出信号；本发明采用无源巴伦与晶体管堆叠相结合的方式，实现了宽带高输出功率的功率放大电路。
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公开(公告)号：CN114566490A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210075871.4
申请日：2022-04-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开的一种垂直布局MSM电容结构及其制作方法，可应用于各类中小容值和小型化需求的半导体集成/封装结构中。其包括两个插入半导体介质基板的扁平金属化通槽或者盲槽，半导体介质基板特定位置制有垂直其表面，且被介质隔墙S1分隔的两个扁平金属化通槽、盲槽或者埋槽，垂直于半导体介质基板上下表面一种垂直布局MSM电容结构介质隔墙构成电容的介质层；两个相互平行的矩形通槽、盲槽或者埋槽镶嵌有构成电容体同质外延的金属电极板P1、P2，两个金属电极板通过半导体介质基板表面刻蚀的金属层微带连线，向介质隔墙S1两端延伸，形成一个从MSM电容引出端L1和L2引出的电极结构，从而形成垂直布局的MSM电容等效电路结构。
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公开(公告)号：CN108063302B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201711287762.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种射频基板垂直互联结构，旨在提供一种易于集成、色散效应小、具有良好电气性能的基板垂直互联结构。本发明通过下述就方案予以实现：第一介质基板层(1)、和第二介质基板层(15)上表面都设有U型共面波导结构，所述CPW结构是由制有U型开槽的从板体一侧中部沿U型开槽轨迹内侧边，绕中部金属化垂直过孔(4)圆弧走线与所述U型开槽轨迹路径平行的U形输入微带线构成的；两层介质基板的信号传输金属焊球(10)对应焊盘(16)、金属焊球(11)对应第二接地通孔(12)提供两层介质基板的连接与接地，接地通孔分别贯穿两层介质基板层和金属印刷层，通过接地金属焊球共同构成公共地。
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公开(公告)号：CN105932379A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610436304.1
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开的一种异面端口SIW滤波器，旨在提供一种信号传输损耗小，可以方便的直接通过双端异面端口微带引出线实现上下两层间的信号传输，便于三维集成的异面端口基片集成波导滤波器。本发明通过下述技术方案予以实现：金属化过孔以相互平行的线阵和对称间隔排列在所述相互平行线阵内侧两边的矩形点阵，贯穿于介质基板层、第一金属印刷层(1)和第二金属印刷层(3),并与第一、第二金属印刷层相连接；输入/输出端与介质基板层谐振腔体结构异面，双端异面端口微带引出线位于介质基板层两个不同平面的两端，第一表面端口微带引出线(4)和第二表面端口微带引出线(5)形成相向对称的内形线喇叭口渐变线，喇叭口大端连线分别连接平行线阵的端口。
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公开(公告)号：CN118783068A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410948499.2
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明提供一种超宽带RLC结构功分器，采用完全对称化结构：电感L1与电感L2感值相等，电容C2与电容C3容值相等，电阻R1与电阻R2阻值相等，电感L3与电感L4感值相等，电容C5与电容C6容值相等；从输入端口1至输出端口2和输出端口3的具体结构依次为并联接地电容C1，串联电感L1和串联电感L2，并联接地电容C2和并联接地电容C3，并联电阻R1、并联电阻R2和跨接电容C4，串联电感L3和串联电感L4，并联电容C5、并联电容C6和跨接电阻R3。本发明采用两级电感、电容组成的二阶等效传输线，结合超宽带匹配，可实现微波信号的超宽带功率分配；并且本发明电路简单，可实现性强，兼容多种工艺方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114566490B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210075871.4
申请日：2022-04-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开的一种垂直布局MSM电容结构及其制作方法，可应用于各类中小容值和小型化需求的半导体集成/封装结构中。其包括两个插入半导体介质基板的扁平金属化通槽或者盲槽，半导体介质基板特定位置制有垂直其表面，且被介质隔墙S1分隔的两个扁平金属化通槽、盲槽或者埋槽，垂直于半导体介质基板上下表面一种垂直布局MSM电容结构介质隔墙构成电容的介质层；两个相互平行的矩形通槽、盲槽或者埋槽镶嵌有构成电容体同质外延的金属电极板P1、P2，两个金属电极板通过半导体介质基板表面刻蚀的金属层微带连线，向介质隔墙S1两端延伸，形成一个从MSM电容引出端L1和L2引出的电极结构，从而形成垂直布局的MSM电容等效电路结构。
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公开(公告)号：CN114050387B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111278160.9
申请日：2021-10-30
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 发明公开的一种微系统射频电磁场微调介质腔体装置，具有良好电磁隔离性能。本发明通过下述技术方案实现：顶底金属层顶端中央设有非金属矩形隔离池和围绕金属化的中心通孔并连通介质腔体的金属化圆阵孔，以及形成十字型线阵交叉连线的十字连线孔；在介质腔体底端的底部金属层上制有被隔槽分隔的绝缘平台及级联的芯片组，被隔槽分隔延伸至介质开口射频信号交换端口的微带传输线，相连芯片组形成与底部金属层共面的波导结构，结合介质腔体内壁建立了具有IBC的电磁散射特性的物理模型,电磁波在介质腔体内多次反射,通过金属化圆阵孔和十字连线孔来对介质腔体内部的射频性能进行调节，达到对三维集成及微系统集成封装后射频性能的调试。
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公开(公告)号：CN114613751A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210198450.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/373 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种大功率立体堆叠三维集成射频前端微系统，所述射频前端微系统为立体堆叠结构，所述立体堆叠结构包括下SiP和上SiP，所述下SiP与上SiP之间通过球栅阵列封装BGA或SMD实现信号互联，所述射频前端微系统信号输出通过下SiP的下底面以BGA或SMD的形式完成；所述下SiP与上SiP分别包括若干介质层，各介质层的上下表面均生长有金属布线层，各介质层通过晶圆级键合的方式完成堆叠与密封，各介质层间通过金属化介质通孔完成信号垂直互连；所述下SiP与上SiP中通过对各层介质的选择性刻蚀与晶圆级键合形成供器件异构掩埋的若干独立微腔。该射频前端微系统具有集成度高、体积小、重量轻、通用性强的优点。
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公开(公告)号：CN111342176A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010150991.7
申请日：2020-03-06
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开的一种非接触式射频层间传输结构，旨在提供一种结构简单，具有滤波性能的传输结构，本发明通过下述技术方案实现：在上介质板和下介质板的金属层上方向相反的传输线的金属耦合盘，以及围绕所述耦合盘的隔离槽，位于金属传输线两边的下陷槽，线阵排列在上述隔离槽和下陷槽两边的上接地通孔，上、下介质板上表面的下陷槽和金属传输线射频区域构成了平面波导结构，上、下介质板之间的金属耦合盘通过介质填充不相互接触，形成一对耦合结构来实现射频信号在不同介质层间的相互耦合、射频信号滤波和射频信号的垂直传输。本发明解决了TSV射频垂直传输需要设置连接孔金属化的过程，以及对射频滤波还需要单独设置滤波器来完成的缺陷。
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公开(公告)号：CN106025477A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610429499.7
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC: H01P5/18
CPC classification number: H01P5/18
Abstract: 本发明公开的一种多孔波导定向耦合器，旨在提供一种开孔少、承受功率大，耦合度和方向性好，隔离度高，同时满足插入损耗小、结构简单的定向耦合器。本发明通过下述技术方案予以实现：耦合波导（6）垂直设置在主波导（5）的宽边上部，构成一个耦合波导的一端作为耦合输出端，另一端作为隔离输出端的耦合单元，每个耦合单元至少设置有两个耦合孔组成的耦合孔阵，且孔阵耦合的耦合孔数小于10个，耦合波导（6）的窄边通过两个耦合孔形成的耦合结构（7）与主波导（5）的宽边相连，两个耦合孔非对称于耦合波导（7）的窄边底部。本发明可广泛用于微波、毫米波雷达系统和通信系统。
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