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公开(公告)号：CN108063302B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201711287762.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种射频基板垂直互联结构，旨在提供一种易于集成、色散效应小、具有良好电气性能的基板垂直互联结构。本发明通过下述就方案予以实现：第一介质基板层(1)、和第二介质基板层(15)上表面都设有U型共面波导结构，所述CPW结构是由制有U型开槽的从板体一侧中部沿U型开槽轨迹内侧边，绕中部金属化垂直过孔(4)圆弧走线与所述U型开槽轨迹路径平行的U形输入微带线构成的；两层介质基板的信号传输金属焊球(10)对应焊盘(16)、金属焊球(11)对应第二接地通孔(12)提供两层介质基板的连接与接地，接地通孔分别贯穿两层介质基板层和金属印刷层，通过接地金属焊球共同构成公共地。
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公开(公告)号：CN114050387B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111278160.9
申请日：2021-10-30
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 发明公开的一种微系统射频电磁场微调介质腔体装置，具有良好电磁隔离性能。本发明通过下述技术方案实现：顶底金属层顶端中央设有非金属矩形隔离池和围绕金属化的中心通孔并连通介质腔体的金属化圆阵孔，以及形成十字型线阵交叉连线的十字连线孔；在介质腔体底端的底部金属层上制有被隔槽分隔的绝缘平台及级联的芯片组，被隔槽分隔延伸至介质开口射频信号交换端口的微带传输线，相连芯片组形成与底部金属层共面的波导结构，结合介质腔体内壁建立了具有IBC的电磁散射特性的物理模型,电磁波在介质腔体内多次反射,通过金属化圆阵孔和十字连线孔来对介质腔体内部的射频性能进行调节，达到对三维集成及微系统集成封装后射频性能的调试。
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公开(公告)号：CN111342176A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010150991.7
申请日：2020-03-06
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开的一种非接触式射频层间传输结构，旨在提供一种结构简单，具有滤波性能的传输结构，本发明通过下述技术方案实现：在上介质板和下介质板的金属层上方向相反的传输线的金属耦合盘，以及围绕所述耦合盘的隔离槽，位于金属传输线两边的下陷槽，线阵排列在上述隔离槽和下陷槽两边的上接地通孔，上、下介质板上表面的下陷槽和金属传输线射频区域构成了平面波导结构，上、下介质板之间的金属耦合盘通过介质填充不相互接触，形成一对耦合结构来实现射频信号在不同介质层间的相互耦合、射频信号滤波和射频信号的垂直传输。本发明解决了TSV射频垂直传输需要设置连接孔金属化的过程，以及对射频滤波还需要单独设置滤波器来完成的缺陷。
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公开(公告)号：CN114050387A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111278160.9
申请日：2021-10-30
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 发明公开的一种微系统射频电磁场微调介质腔体装置，具有良好电磁隔离性能。本发明通过下述技术方案实现：顶底金属层顶端中央设有非金属矩形隔离池和围绕金属化的中心通孔并连通介质腔体的金属化圆阵孔，以及形成十字型线阵交叉连线的十字连线孔；在介质腔体底端的底部金属层上制有被隔槽分隔的绝缘平台及级联的芯片组，被隔槽分隔延伸至介质开口射频信号交换端口的微带传输线，相连芯片组形成与底部金属层共面的波导结构，结合介质腔体内壁建立了具有IBC的电磁散射特性的物理模型,电磁波在介质腔体内多次反射,通过金属化圆阵孔和十字连线孔来对介质腔体内部的射频性能进行调节，达到对三维集成及微系统集成封装后射频性能的调试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212280A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910442317.3
申请日：2019-05-25
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种K频段砷化镓芯片滤波器制备方法，旨在提供一种、易于小型化、高性能的芯片滤波器。本发明通过下述技术方案予以实现：将短截线结构中的对称加载枝节1和加载枝节3进行高阻抗的并联分解，解成上下两个完全对称的高阻抗加载枝节，其长度在截止频率处1/8介质波长的基础上进行延长，并进行多次弯折，形成带外不同频率的传输零点；将直通微带传输线特征阻抗降低至50Ω以下，再对其长度进行调节；然后将短截线结构中的加载枝节2的特征阻抗提高，并将其分解为两个上下完全对称的并联枝节，对该两个完全对称的高阻抗加载枝节长度，在截止频率处1/8介质波长的基础上进行延长和多次弯折，减小版图纵向面积，形成K波段芯片滤波器。
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公开(公告)号：CN108429456A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810143415.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H02M3/157
Abstract: 本发明公开的一种低负载调整率PSM功率变换控制器，旨在提供一种具有更好负载调整率的PSM模式功率变换控制器。本发明通过下述技术方案予以实现：电流、电压采样电路分别对功率变换器输出电流、电压采样，电流、电压采样电路输出端分别串接电流、电压比较器组，并联电流、电压比较器组输出端相连与门组；与门组输出端分别顺次串联或非门G5的三个输入端，或非门G5通过触发器D1串联与非门G4，电连接触发器D1时钟输入端的振荡器串联与非门G4，触发器D1通过与非门G4连接缓冲器组成数字逻辑电路，或非门G5产生的跨周控制信号经触发器连同振荡器产生的恒频恒宽周期脉冲信号送入与非门G4，与非门G4的输出经缓冲器后用于驱动外部功率开关管。
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公开(公告)号：CN108063302A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711287762.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种射频基板垂直互联结构，旨在提供一种易于集成、色散效应小、具有良好电气性能的基板垂直互联结构。本发明通过下述就方案予以实现：第一介质基板层(1)、和第二介质基板层(15)上表面都设有U型共面波导结构，所述CPW结构是由制有U型开槽的从板体一侧中部沿U型开槽轨迹内侧边，绕中部金属化垂直过孔(4)圆弧走线与所述U型开槽轨迹路径平行的U形输入微带线构成的；两层介质基板的信号传输金属焊球(10)对应焊盘(16)、金属焊球(11)对应第二接地通孔(12)提供两层介质基板的连接与接地，接地通孔分别贯穿两层介质基板层和金属印刷层，通过接地金属焊球共同构成公共地。
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公开(公告)号：CN108429456B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810143415.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H02M3/157
Abstract: 本发明公开的一种低负载调整率PSM功率变换控制器，旨在提供一种具有更好负载调整率的PSM模式功率变换控制器。本发明通过下述技术方案予以实现：电流、电压采样电路分别对功率变换器输出电流、电压采样，电流、电压采样电路输出端分别串接电流、电压比较器组，并联电流、电压比较器组输出端相连与门组；与门组输出端分别顺次串联或非门G5的三个输入端，或非门G5通过触发器D1串联与非门G4，电连接触发器D1时钟输入端的振荡器串联与非门G4，触发器D1通过与非门G4连接缓冲器组成数字逻辑电路，或非门G5产生的跨周控制信号经触发器连同振荡器产生的恒频恒宽周期脉冲信号送入与非门G4，与非门G4的输出经缓冲器后用于驱动外部功率开关管。
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公开(公告)号：CN110211884A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910442326.2
申请日：2019-05-25
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01L21/56 , H01L21/67 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开的一种高密度三维叠层自对准集成封装方法，旨在提供一种运用微BGA焊球作为多层基板自对准三维堆叠的层间机械支撑，同时又可作为高密度层间信号互联通道的集成封装方法，本发明通过下述技术方案实现：顶层基板的下表面，中间层基板上、下表面和底层基板的上表面均布有用于焊接微BGA焊球的焊盘，微BGA焊球附着在中间层基板上表面和底层基板上表面，中间层基板上表面的微BGA球焊盘对应顶层基板下表面，底层基板上表面微BGA球焊盘对应中间层基板下表面，形成垂直互连的矩形阵列微BGA球焊盘，中间层基板2上腔面和底层基板3上腔面基板外围呈“回”字形凸台的腔形盒体，通过工装堆叠放入回流焊炉中自对准叠层焊接形成封装体。
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