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公开(公告)号：CN114050387B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111278160.9
申请日：2021-10-30
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 发明公开的一种微系统射频电磁场微调介质腔体装置，具有良好电磁隔离性能。本发明通过下述技术方案实现：顶底金属层顶端中央设有非金属矩形隔离池和围绕金属化的中心通孔并连通介质腔体的金属化圆阵孔，以及形成十字型线阵交叉连线的十字连线孔；在介质腔体底端的底部金属层上制有被隔槽分隔的绝缘平台及级联的芯片组，被隔槽分隔延伸至介质开口射频信号交换端口的微带传输线，相连芯片组形成与底部金属层共面的波导结构，结合介质腔体内壁建立了具有IBC的电磁散射特性的物理模型,电磁波在介质腔体内多次反射,通过金属化圆阵孔和十字连线孔来对介质腔体内部的射频性能进行调节，达到对三维集成及微系统集成封装后射频性能的调试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471186A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110596453.5
申请日：2021-05-31
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种卫星通信多通道射频收发接口单元3D集成封装架构，旨在提供一种体积小重量轻，可靠性高，成本低，性能好的多路射频收发架构。本发明通过下述技术方案实现：PoP硅堆叠模块通过母板与封装在母板下方空气腔中的CPLD器件垂直互联，共形成2‑4层射频PoP堆的立体结构；校准/参考源PoP堆的下方，与封装在母板下方空气腔中的稳压电源，形成1～8个射频SiP模块封装堆和1个参考/校准源射频SiP模块的至少两层射频封装堆，从而构成了被上封盖板封装顶部盖板、底封装盖板封装底部盖板屏蔽封装，集成带备份的1～8路发射业务通道和2～16路接收业务通道的多通道射频收发接口单元3D集成封装架构。
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公开(公告)号：CN111342176A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010150991.7
申请日：2020-03-06
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开的一种非接触式射频层间传输结构，旨在提供一种结构简单，具有滤波性能的传输结构，本发明通过下述技术方案实现：在上介质板和下介质板的金属层上方向相反的传输线的金属耦合盘，以及围绕所述耦合盘的隔离槽，位于金属传输线两边的下陷槽，线阵排列在上述隔离槽和下陷槽两边的上接地通孔，上、下介质板上表面的下陷槽和金属传输线射频区域构成了平面波导结构，上、下介质板之间的金属耦合盘通过介质填充不相互接触，形成一对耦合结构来实现射频信号在不同介质层间的相互耦合、射频信号滤波和射频信号的垂直传输。本发明解决了TSV射频垂直传输需要设置连接孔金属化的过程，以及对射频滤波还需要单独设置滤波器来完成的缺陷。
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公开(公告)号：CN113471186B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110596453.5
申请日：2021-05-31
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种卫星通信多通道射频收发接口单元3D集成封装架构，旨在提供一种体积小重量轻，可靠性高，成本低，性能好的多路射频收发架构。本发明通过下述技术方案实现：PoP硅堆叠模块通过母板与封装在母板下方空气腔中的CPLD器件垂直互联，共形成2‑4层射频PoP堆的立体结构；校准/参考源PoP堆的下方，与封装在母板下方空气腔中的稳压电源，形成1～8个射频SiP模块封装堆和1个参考/校准源射频SiP模块的至少两层射频封装堆，从而构成了被上封盖板封装顶部盖板、底封装盖板封装底部盖板屏蔽封装，集成带备份的1～8路发射业务通道和2～16路接收业务通道的多通道射频收发接口单元3D集成封装架构。
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公开(公告)号：CN114050387A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111278160.9
申请日：2021-10-30
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 发明公开的一种微系统射频电磁场微调介质腔体装置，具有良好电磁隔离性能。本发明通过下述技术方案实现：顶底金属层顶端中央设有非金属矩形隔离池和围绕金属化的中心通孔并连通介质腔体的金属化圆阵孔，以及形成十字型线阵交叉连线的十字连线孔；在介质腔体底端的底部金属层上制有被隔槽分隔的绝缘平台及级联的芯片组，被隔槽分隔延伸至介质开口射频信号交换端口的微带传输线，相连芯片组形成与底部金属层共面的波导结构，结合介质腔体内壁建立了具有IBC的电磁散射特性的物理模型,电磁波在介质腔体内多次反射,通过金属化圆阵孔和十字连线孔来对介质腔体内部的射频性能进行调节，达到对三维集成及微系统集成封装后射频性能的调试。
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公开(公告)号：CN110212280A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910442317.3
申请日：2019-05-25
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种K频段砷化镓芯片滤波器制备方法，旨在提供一种、易于小型化、高性能的芯片滤波器。本发明通过下述技术方案予以实现：将短截线结构中的对称加载枝节1和加载枝节3进行高阻抗的并联分解，解成上下两个完全对称的高阻抗加载枝节，其长度在截止频率处1/8介质波长的基础上进行延长，并进行多次弯折，形成带外不同频率的传输零点；将直通微带传输线特征阻抗降低至50Ω以下，再对其长度进行调节；然后将短截线结构中的加载枝节2的特征阻抗提高，并将其分解为两个上下完全对称的并联枝节，对该两个完全对称的高阻抗加载枝节长度，在截止频率处1/8介质波长的基础上进行延长和多次弯折，减小版图纵向面积，形成K波段芯片滤波器。
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