一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116511519A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310375692.7

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本发明公开了一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用,所述含铬发射活性材料包括:铬、钡、钙、铝、碳、氢和氧元素,其中,所述铬、钡、钙、铝的摩尔比为1‑36:18‑40:1‑15:2‑45。本发明研制的含铬发射活性材料与传统铝酸钡钙发射材料相比,创新性的引入了铬元素,在阴极工作过程中铬作为活性元素钡的载体,使其制备的覆膜扩散阴极在发射性能上显著优于普通覆膜扩散阴极。并且该含铬发射活性材料的制备工艺简单,重复性好,具备真空电子器件领域推广应用的潜力。

    一种低蒸散的覆膜扩散阴极,制备及应用

    公开(公告)号:CN117747381A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202211114489.6

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 本发明公开一种低蒸散的覆膜扩散阴极,制备及应用。所述覆膜扩散阴极包括阴极基体、发射材料以及贵金属膜层;其中,所述发射材料为钡锶钙铝氧化物四元阴极发射物质;所述钡锶钙铝各元素的摩尔比为10‑35:1‑20:1‑20:2‑50。本发明通过大量实验研究设计出一种新的发射材料配方组合,在锶元素的引入下有利于降低发射材料的蒸散速率,同时在钡锶钙铝元素的合适配比下,进一步降低发射材料的蒸散速率,同时使电流密度保持较高的水平。因此,以上述发射材料制备得到的覆膜扩散阴极具有较低的蒸散速率、高可靠的性能,同时阴极发射性能能够满足真空器件的使用条件,尤其适合有低蒸散长寿命需求的行波管、速调管等真空器件中使用。

    一种收集极
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212874420U

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202021828580.0

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种收集极,包括具有内腔的绝缘瓷筒,收容固定在所述绝缘瓷筒内腔中的具有内收集极端盖的内收集极,以及固设在绝缘瓷筒外壁上的具有外收集极端盖的外收集极;所述外收集极端盖上包括有贯穿所述外收集极端盖两侧表面的通孔;所述内收集极端盖上包括有贯穿所述内收集极端盖两侧表面的,且与所述通孔对应的开孔;所述收集极还包括有固定于通孔处的至少覆盖部分通孔的测温窗件。本实用新型从微波电真空器件的应用需求出发,利用可测温的测温窗件的引入,完成了器件工作过程中对阴极温度的测量和对阴极状态的监控。

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