公开(公告)号：CN117253763A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311164762.0

申请日：2023-09-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 张敏 ,  张珂 ,  刘继琛 ,  张培先

IPC: H01J9/02 ,  H01J23/04 ,  H01J25/34

Abstract: 本发明公开一种大电流密度微型阴极的制备方法及该制备方法制备得到的大电流密度微型阴极。该制备方法包括如下步骤：提供具有开口的阴极罩，所述开口对应阴极的阴极发射区；将钨与氧化钪的混合粉与乙二醇的乙醇溶液混匀，得混合物；将所述混合物填满所述开口，再向阴极罩内加入钨与氧化钪的混合粉，经压制成型，得到钪钨基半成品；将所述钪钨基半成品进行烧结，得到多孔的氧化钪掺杂钨海绵体；在该多孔的氧化钪掺杂钨海绵体中浸渍活性物质，得到所述大电流密度微型阴极。该方法简单，且能制备得到结构稳定、性能优异的大电流密度微型阴极，满足平面化行波管对大电流密度带状电子注微型阴极热子组件的需求。

公开(公告)号：CN116511519A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310375692.7

申请日：2023-04-10

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 李娜 ,  张培先 ,  张珂 ,  邵文生 ,  全京敏 ,  梁晓峰

IPC: B22F9/24 ,  H01J19/062

Abstract: 本发明公开了一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用，所述含铬发射活性材料包括：铬、钡、钙、铝、碳、氢和氧元素，其中，所述铬、钡、钙、铝的摩尔比为1‑36:18‑40:1‑15:2‑45。本发明研制的含铬发射活性材料与传统铝酸钡钙发射材料相比，创新性的引入了铬元素，在阴极工作过程中铬作为活性元素钡的载体，使其制备的覆膜扩散阴极在发射性能上显著优于普通覆膜扩散阴极。并且该含铬发射活性材料的制备工艺简单，重复性好，具备真空电子器件领域推广应用的潜力。