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公开(公告)号：CN119403026A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411516621.5
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)
Abstract: 本发明公开了一种空心阴极组件，包括发射体、顶孔板、热子、导气管、辅助极以及触持极；触持极为圆筒结构，一端结合固定有板体，板体的中心开设有通孔，发射体、顶孔板、热子、辅助极和导气管均与触持极同轴设置；导气管为空心管体结构，穿设于触持极内；顶孔板结合固定于导气管靠近板体的一端，顶孔板的中心开设有小孔；热子包裹于导气管的外周面；发射体位于导气管内，与顶孔板抵接，发射体的中心开设有贯穿发射体的空腔，空腔和小孔连通；辅助极穿设于导气管且其中一端位于空腔内，空腔为锥形结构，靠近顶孔板一侧开口的内径小于远离顶孔板一侧开口的内径，有利于减小放电电流震荡，提高空心阴极组件的稳定性。
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公开(公告)号：CN116511519A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310375692.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: B22F9/24 , H01J19/062
Abstract: 本发明公开了一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用，所述含铬发射活性材料包括：铬、钡、钙、铝、碳、氢和氧元素，其中，所述铬、钡、钙、铝的摩尔比为1‑36:18‑40:1‑15:2‑45。本发明研制的含铬发射活性材料与传统铝酸钡钙发射材料相比，创新性的引入了铬元素，在阴极工作过程中铬作为活性元素钡的载体，使其制备的覆膜扩散阴极在发射性能上显著优于普通覆膜扩散阴极。并且该含铬发射活性材料的制备工艺简单，重复性好，具备真空电子器件领域推广应用的潜力。
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公开(公告)号：CN102522297A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110441920.3
申请日：2011-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 一种可控孔度阴极及其制备方法，属于微波真空电子器件领域，包括一个含有活性物质的阴极基体，该阴极基体上顶面溅射沉积一层厚度为3～5μm的锇膜，下底面支撑在一个热丝加热屏蔽筒上。该制备方法流程为：a.制备阴极基体；b.阴极基体与屏蔽筒装配；c.装阴极热丝组合件；d.用等离子体溅射沉积锇贵金属膜；用该方法所制阴极具有发射均匀性好、耐离子轰击能力强、寿命长、发射电流密度和蒸发速率完全可控等特点。
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公开(公告)号：CN119208111A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411300485.6
申请日：2024-09-18
Applicant: 北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)
Abstract: 本发明提供一种脉冲栅控微波管用阴极组件及其制备方法，该阴极组件包括阴极和阴影栅；所述阴极的发射面包括与阴影栅仿形设置的栅槽；所述阴影栅位于栅槽内且与阴极无接触；所述阴影栅背向栅槽底壁的表面与阴极的发射面齐平，使所述阴影栅与阴极保持电场等位面一致。该阴极组件能够解决现有的无截获栅控电子枪在工作一段时间后，由于阴影栅温度过高导致阴极发射减少，最终缩短微波管的寿命和可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN115332026B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210830350.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开一种可快速启动的阴极组件，该阴极组件中包含：阴极主体，包含含孔的钨基体，且所述钨基体的表面和孔道中结合有含钪铝酸盐；与该阴极主体相结合的热子组件，包含热丝以及共熔瓷。该阴极组件可以解决现有技术中针对大功率快启行波管对高电流密度、3秒启动以及高可靠性的需求并不能得到满足的问题。本发明还公开了该可快速启动的阴极组件的制备方法和应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107895681B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201711272587.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
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公开(公告)号：CN109859998B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811534674.4
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种太阳能能量转换器件，该光电转换器件包括：至少一个光透射窗、阴极引出电极和阳极引出电极、以及多个绝缘环，共同提供具有真空腔的结构，设置在真空腔内的阴极组件、阳极组件及其间的绝缘子，所述阴极引出电极电接触阴极组件，所述阳极引出电极电接触阳极组件；以及提供在能量转换器件中的激活原子，其中所述阴极组件中形成有多个贯穿其中的阴极通道，且所述阴极组件与所述真空腔内壁之间存在空隙。本发明提供的太阳能能量转换器件可有效地改善激活原子的运动路径，促进激活原子在阴极表面动态吸附，有效地提高了太阳能能量转换效率。与其它真空型太阳能能量转换器件相比，该太阳能能量转换器件中新型结构可以有效地提高阴极表面激活原子的吸附效率，具有更高的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN112696328B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011444824.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的绝缘环；所述绝缘环位于所述发射体与所述顶孔板之间。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
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公开(公告)号：CN112696328A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011444824.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的绝缘环；所述绝缘环位于所述发射体与所述顶孔板之间。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
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公开(公告)号：CN112682286A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011453132.1
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种高可靠性电推进用空心阴极结构，所述空心阴极结构包括：具有出射孔的触持极；沿触持极上出射孔的轴线依次设置的导气管、发射体以及顶孔板；所述导气管的外壁上包括有热子；所述阴极结构还包括有用以增强发射体表面的电场强度的内电极；所述内电极穿过所述导气管插设在所述发射体的内腔中。本发明所提供的空心阴极结构可有效降低发射体的点火时间，提高电推进设备启动时间的可控性，本发明还可以短时间内清除发射体表面变质的物质，使发射体性能迅速恢复，保障空心阴极点火时间的一致性以及电推进设备的可控性。
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