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发明公开
一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN116511519A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310375692.7

申请日：2023-04-10

Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所

Inventor： 李娜 , 张培先 , 张珂 , 邵文生 , 全京敏 , 梁晓峰

IPC: B22F9/24 , H01J19/062

Abstract: 本发明公开了一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用，所述含铬发射活性材料包括：铬、钡、钙、铝、碳、氢和氧元素，其中，所述铬、钡、钙、铝的摩尔比为1‑36:18‑40:1‑15:2‑45。本发明研制的含铬发射活性材料与传统铝酸钡钙发射材料相比，创新性的引入了铬元素，在阴极工作过程中铬作为活性元素钡的载体，使其制备的覆膜扩散阴极在发射性能上显著优于普通覆膜扩散阴极。并且该含铬发射活性材料的制备工艺简单，重复性好，具备真空电子器件领域推广应用的潜力。

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