-
公开(公告)号：CN111277240A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010154050.0
申请日：2020-03-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法；所述膜层结构包括硅晶圆衬底，在所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔，在所述硅晶圆衬底上依次制备支撑层、下电极、压电层、上电极、保护层以及加厚层；所述下电极的厚度为50～350nm；所述压电层为氮化铝，其厚度为300～1000nm；所述上电极的厚度为50～350nm；所述加厚层为氮化硅，其厚度为30～300nm；本发明在不改变滤波器性能的情况下采用氮化硅代替钼，可以增加加厚层的厚度，减小工艺难度，提高膜厚的精度，进而提高滤波器的高频性能；另外，本发明在保护层上制作加厚层，可避免对电极的影响和滤波器性能的影响。
-
公开(公告)号：CN118074654A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410211432.0
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明属于声表面波滤波器的制备工艺技术领域，具体涉及一种单晶薄膜SAW滤波器的膜层结构及其制备方法，所述所述膜层结构包括POI晶圆衬底以及在所述POI晶圆衬底的上方依次制备的IDT层、SiO2保护层、电极加厚层，所述IDT层厚度为100～300nm；所述SiO2保护层厚度为20～80nm；所述加厚层为铝层，其厚度为600～2000nm。本发明的SiO2保护层制备厚度为20～80nm，能够对FSAW IDT指条起保护作用的同时，减少UHAST频偏达4MHz以上。
-
公开(公告)号：CN111555732B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010397564.9
申请日：2020-05-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板，在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片；在功能芯片的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；在焊盘电极的周围安装有机感光膜支撑墙，所述有机感光膜支撑墙通过热固化连接在硅晶圆上；在功能芯片正下方设置有功能区下空腔；在所述有机感光膜支撑墙的上方安装有机感光膜盖板，从而在功能芯片上方形成功能区上空腔；在所述有机感光膜盖板以及所述有机感光膜支撑墙上设置有相同圆心不同直径的电极孔，并在电极孔内镀有金属。本专利制备工艺简单、成本较低、适合大规模稳定量产。
-
公开(公告)号：CN107093665A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710339899.3
申请日：2017-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/18
CPC classification number: H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/29 , H01L41/39
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。
-
公开(公告)号：CN104803347A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510211321.0
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明提供的Mo基金属薄膜的刻蚀方法，首先在半导体衬底上依次形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层和Mo基金属层；然后对形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层、Mo基金属层后的半导体衬底进行光刻工艺；其次采用干法刻蚀工艺对Mo基金属层进行刻蚀，刻蚀后的图形角度为10至45°；最后采用干法去胶和湿法去胶，清洗处理。本发明采用干法刻蚀小角度Mo基薄膜图形，与大角度图形相比，具有更好的台阶覆盖性和有益于优质AlN薄膜的生长，可促进FBAR器件性能的提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118713616A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410679131.0
申请日：2024-05-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种多工器的制作方法；该方法包括：在衬底上进行IDT镀膜操作；在IDT镀膜后的器件上进行光刻和刻蚀操作；在器件上进行IDT光刻操作，形成IDT图案；根据IDT图案对器件进行IDT刻蚀操作，得到制作完成的IDT结构；基于IDT结构制作完成多工器；本发明可避免多次IDT光刻和镀膜导致的套刻精度和接触电阻问题，减少因多次IDT光刻和镀膜对器件带来的性能恶化影响，有效提升工艺制作成功率及器件性能。
-
公开(公告)号：CN111277240B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010154050.0
申请日：2020-03-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法；所述膜层结构包括硅晶圆衬底，在所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔，在所述硅晶圆衬底上依次制备支撑层、下电极、压电层、上电极、保护层以及加厚层；所述下电极的厚度为50～350nm；所述压电层为氮化铝，其厚度为300～1000nm；所述上电极的厚度为50～350nm；所述加厚层为氮化硅，其厚度为30～300nm；本发明在不改变滤波器性能的情况下采用氮化硅代替钼，可以增加加厚层的厚度，减小工艺难度，提高膜厚的精度，进而提高滤波器的高频性能；另外，本发明在保护层上制作加厚层，可避免对电极的影响和滤波器性能的影响。
-
公开(公告)号：CN112865743A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110017097.7
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明涉及薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种低温漂薄膜体声波滤波器的膜层结构及制备方法，包括硅晶圆衬底，所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔，在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极1、温补层、上电极和保护层，所述温补层设置于上电极1和上电极之间，且温补层包裹于上电极1。采用复合上电极的膜层结构，在常规上电极中插入温补层，进而影响压电材料的取向变差，使压电材料的有效机电耦合系数下降；复合上电极不影响压电层的取向和有效机电耦合系数，可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。
-
公开(公告)号：CN112803915A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110017007.4
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种温度补偿型薄膜体滤波器及膜层制备方法，该滤波器的电路结构包括串联谐振器和并联谐振器，谐振器的膜层结构包括硅晶圆衬底，在硅晶圆衬底的中央开设有空腔；串联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、温补层以及保护层；并联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、加厚层、温补层以及保护层；本发明采用直接在上电极上生长温补层，压电层直接淀积于下电极之上，避免了压电层直接生长在二氧化硅薄膜上；在上电极上生长温补层不影响压电层的取向和有效机电耦合系数，可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。
-
公开(公告)号：CN104803347B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510211321.0
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明提供的Mo基金属薄膜的刻蚀方法，首先在半导体衬底上依次形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层和Mo基金属层；然后对形成SiO2绝缘层、硅基介质层、AlN层、Mo基金属层后的半导体衬底进行光刻工艺；其次采用干法刻蚀工艺对Mo基金属层进行刻蚀，刻蚀后的图形角度为10至45°；最后采用干法去胶和湿法去胶，清洗处理。本发明采用干法刻蚀小角度Mo基薄膜图形，与大角度图形相比，具有更好的台阶覆盖性和有益于优质AlN薄膜的生长，可促进FBAR器件性能的提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.038 seconds)
