公开(公告)号：CN118713616A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410679131.0

申请日：2024-05-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所

Inventor： 何成勇 ,  梁柳洪 ,  田本朗 ,  罗淦 ,  廖钦渔

IPC: H03H3/08

Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种多工器的制作方法；该方法包括：在衬底上进行IDT镀膜操作；在IDT镀膜后的器件上进行光刻和刻蚀操作；在器件上进行IDT光刻操作，形成IDT图案；根据IDT图案对器件进行IDT刻蚀操作，得到制作完成的IDT结构；基于IDT结构制作完成多工器；本发明可避免多次IDT光刻和镀膜导致的套刻精度和接触电阻问题，减少因多次IDT光刻和镀膜对器件带来的性能恶化影响，有效提升工艺制作成功率及器件性能。

公开(公告)号：CN118508908A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410628173.1

申请日：2024-05-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所

Inventor： 罗淦 ,  梁柳洪 ,  田本朗 ,  何成勇 ,  廖钦渔

IPC: H03H3/08

Abstract: 本发明属于声表面波滤波器器件制造技术领域，具体涉及一种声表面滤波器的退火烘烤方法，包括：将声表面滤波器的烘烤温度从室温25℃升温至180℃，并在温度180℃下进行保温；保温结束后，将温度从180℃升温至280℃，并在温度280℃下进行保温；保温结束后，将温度从280℃升温至350℃，并在温度350℃下进行保温；保温结束后，将烘烤温度从350℃降温至室温25℃；本发明通过调整退火烘烤的升温时间、温度和降温时间来改善不同金属间界面电阻及调整金属内部组织，最终减小滤波器插损和扩大带宽，从而扩大产品工艺余量，提高探针产出率和晶圆良率，减少晶圆返工率。

公开(公告)号：CN117938102A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410112160.9

申请日：2024-01-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所

Inventor： 何成勇 ,  梁柳洪 ,  田本朗 ,  罗淦 ,  廖钦渔

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H10N30/081 ,  H10N30/082

Abstract: 本发明属于滤波器领域，具体涉及一种声表面波滤波器制造方法；该方法包括：在衬底上进行IDT层制作；在IDT层上进行调频层制作；在调频层上进行电极加厚层镀膜；采用湿法剥离工艺将镀膜后的器件存留的光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，得到制作好的声表面波滤波器；本发明减少一层光刻，提升了生产效率；且可减少掩膜版的使用，降低了成本，具有良好的应用前景。