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公开(公告)号：CN107093665B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710339899.3
申请日：2017-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/18
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。
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公开(公告)号：CN109905098A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910181632.5
申请日：2019-03-11
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明提供一种薄膜体声波谐振器及制备方法，所述薄膜体声波谐振器从下到上依次包括高阻硅片基底，高温氧化二氧化硅隔离层，第一氮化铝种子层，钼下电极层，第二氮化铝种子层，掺杂钪的氮化铝压电层，钼上电极层，氮化铝保护层；本发明的双层氮化铝种子层，可以使隔离层与下电极钼之间、压电层掺杂钪的氮化铝与下电极钼之间的匹配度提高；在上电极上方的氮化铝保护层，预留一定的厚度增量，用于抵消膜厚生长的误差，为制备加工提供一定的容错率；并且该保护层还能起到保护金属上电极，防止氧化导致器件性能下降的作用。
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公开(公告)号：CN109361372A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811189479.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，包括15°铌酸锂基片，所述基片上梳状设置有金属指条，所述基片及金属指条上设置有一层二氧化硅温度补偿层，所述金属指条的宽度d与所述超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取值范围为0.28-0.38，且所述金属指条的厚度h与所述超宽带声表面波谐振器的一个谐振周期2p的比值的取值范围为0.08-0.11。本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，在基片及金属指条上设置一层二氧化硅温度补偿层，能够使其频率温度系数小于-30ppm/℃，从而是谐振器及滤波器的温度稳定性。此外，本发明还公开了一种温度补偿型低损耗超宽带滤波器。
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公开(公告)号：CN109286385A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811070101.0
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种声表面波器件晶圆级封装结构，包括功能晶圆和封盖晶圆，封盖晶圆上朝向每片功能芯片的工作面的外围区域的位置具有凸起的键合台阶部，封盖晶圆与功能芯片通过键合台阶部键合连接在一起；功能芯片工作面上的电路的连接部通过导通孔与外部电极连接。与现有技术相比，本发明中功能晶圆和封盖晶圆直接键合，不需要聚合物框粘接，降低了加工成本，并可以提高器件的可靠性；本发明还公开了一种声表面波器件晶圆级封装结构的封装方法，此方法无需将功能晶圆切割成单颗芯片，直接将整片包括多片功能芯片的功能晶圆直接与封盖晶圆进行键合，大大提高了加工效率，便于大批量生产。
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公开(公告)号：CN107819449B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201711258998.5
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种超宽带声表面波谐振器，包括15°铌酸锂基片，基片上梳状设置有金属指条，金属指条的宽度d与超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取值范围为0.28‑0.38，且金属指条的厚度h与超宽带声表面波谐振器的一个谐振周期2p的比值的取值范围为0.08‑0.11。本发明通过对谐振器占空比和镀膜相对厚度的优化，采用在15°铌酸锂材料镀铜的工艺方法实现横向模和瑞利波寄生的有效抑制，使通带波纹限制在1dB范围内，可实现相对带宽20%可工程应用的小型化、超宽带的声表面波滤波器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108091982B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201711462035.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种微纳薄膜磁声天线，包括底座，在底座上表面中部开设有空腔，在空腔底部和侧壁上以及底座上表面设有连为一体的绝缘层，在底座上表面绝缘层上设有支撑层，支撑层中部悬置于空腔之上；在支撑层上设有由磁致伸缩薄膜与薄膜体声波谐振器构成的磁‑声‑电耦合结构，磁‑声‑电耦合结构位于空腔正上方。所述磁致伸缩薄膜每张由多层磁致伸缩薄膜层与多层缓冲层组成，磁致伸缩薄膜层的层数与缓冲层的层数相同并间隔设置。本发明在实现小型化的同时保持天线具备比传统电天线更好的性能。
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公开(公告)号：CN107093665A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710339899.3
申请日：2017-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/18
CPC classification number: H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/29 , H01L41/39
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。
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公开(公告)号：CN103078603B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310047775.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC: H03H9/64
Abstract: 本发明公开了一种具有高功率承受力的声表面波滤波器，它包括若干声表面波谐振器，每个声表面波谐振器包括叉指换能器以及反射栅，至少部分声表面波谐振器为高阻抗声表面波谐振器，高阻抗声表面波谐振器的叉指换能器为并排设置的两个，两叉指换能器共用两反射栅，第一叉指换能器的输出汇流条与第二叉指换能器的输入汇流条电连接，第一叉指换能器的输入汇流条和第二叉指换能器的输出汇流条位于同一端；两反射栅位于两叉指换能器的外侧。本发明在相同的阻抗下，高阻抗声表面波谐振器具有更多的指对数或更短的孔径，削弱了每根换能器指条上的电流，使得在不改变声表面波滤波器电性能的前提下，大幅提高了声表面波滤波器的功率承受能力。
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公开(公告)号：CN103698642B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410001479.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种防止声表面波器件在温度试验中静电烧伤的方法，先将声表面波器件放入导电容器中，然后加入导电介质以将声表面波器件完全填埋，再盖上导电容器盖，最后将导电容器放入温度试验装置，使声表面波器件在整个温度试验过程中有效接地。取出时，先将声表面波器件冷却至室温，然后将导电容器取出，将导电介质和声表面波器件通过导电筛网分离即可。本发明使输入、输出电极与接地电极在整个温度试验过程中有效电连通，彻底避免静电积累造成器件烧伤。本方法不需要专用夹具，操作简单方便，成本低，原材料具有通用性，防护效果显著。
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公开(公告)号：CN102820504B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210322603.4
申请日：2012-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种全密封结构的微机械滤波器。该滤波器基本结构为交指型带状线滤波器结构，由两层介质材料上下叠加构成，两层介质层之间有采用微机械工艺制作的交指型金属电极层；下介质层上表面有采用刻蚀工艺制备的空腔；在上、下两层介质层上均设有通孔，通孔内壁制备有金属层；上、下介质层表面均有微机械工艺制作的表面电极层，其中一个介质层表面设有输入、输出引出线。该滤波器较现有微机械滤波器体积得到进一步缩小，并采用晶圆级封装方法，克服了现有微机械滤波器结构无法实现全密封的缺点，无需外壳封装，简化了装配。
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