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公开(公告)号：CN115639454B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211272452.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路。电路包括：待测的目标SiC MOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiC MOSFET的栅极、第一试验电路以及源极可形成第一回路，以及漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以通过第一回路和第二回路对目标SiC MOSFET进行目标试验，目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；漏极和栅极可形成短路回路，以及漏极、测试电路和源极可形成第三回路，以测量目标SiC MOSFET的阈值电压。本申请能够更准确地监测SiC MOSFET器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN119125830B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411612484.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种GaN器件近结区热阻测试方法和计算机设备，所述方法包括：采用与待测GaN器件相同的制作工艺制作第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括衬底层、AlN缓冲层、GaN层，第二测试结构包括衬底层；利用3ω法对第一测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到GaN器件的片内热阻；利用3ω法对第二测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到衬底层的体热阻；根据第一测试结构和第二测试结构的3ω法测试结果，计算得到GaN层的综合热导率，根据GaN层的综合热导率，计算得到GaN层的结构热阻；基于GaN器件的片内热阻、衬底层的体热阻、GaN层的结构热阻，计算AlN缓冲层的接触热阻。本发明能够高效地测试获取GaN器件近结区的不同材料层的热阻。
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公开(公告)号：CN119004856A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411465284.1
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G01R31/00 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种电迁移加速寿命试验评估方法和计算机设备，所述方法包括：确定多组加速寿命试验条件，所述加速寿命试验条件包括温度、电流密度、正反向电流时间占比；基于所确定的多组加速寿命试验条件实施互连结构的加速寿命试验，得到多组加速寿命试验条件下的寿命数据以及互连结构的温升数据；基于Black方程建立寿命预测模型；基于寿命数据分别拟合得到电流影响指数、激活能和损伤恢复系数；将得到的参数代入寿命预测模型，获得完整的寿命预测模型，基于完整的寿命预测模型对互连结构实际工作条件下的电迁移寿命进行预测。本发明能够解决现有的电迁移性能评价模式与实际应用不匹配的问题，有效支撑互连结构的筛选、鉴定以及可靠性评价等工作。
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公开(公告)号：CN119881576A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510091355.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种动态应力评估及参数检测方法、系统、设备、存储介质及程序产品，应用于动态应力评估及参数检测系统，动态应力评估及参数检测系统包括上位机、测试电路板和信号采集器，其中，测试电路板上部署有被测功率器件；方法包括：在施加于被测功率器件的栅应力对应的应力施加时间耗尽的情况下，通过上位机向测试电路板发送测试回路接入指令；通过测试电路板基于测试回路接入指令，控制被测功率器件处于对应的第一应力测试回路；通过信号采集器采集第一应力测试回路下被测功率器件的栅极测试信号；通过上位机基于栅极测试信号，检测被测功率器件的电性能参数。采用本方法提升进行动态应力评估及参数检测的检测准确性。
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公开(公告)号：CN119004856B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411465284.1
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G01R31/00 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种电迁移加速寿命试验评估方法和计算机设备，所述方法包括：确定多组加速寿命试验条件，所述加速寿命试验条件包括温度、电流密度、正反向电流时间占比；基于所确定的多组加速寿命试验条件实施互连结构的加速寿命试验，得到多组加速寿命试验条件下的寿命数据以及互连结构的温升数据；基于Black方程建立寿命预测模型；基于寿命数据分别拟合得到电流影响指数、激活能和损伤恢复系数；将得到的参数代入寿命预测模型，获得完整的寿命预测模型，基于完整的寿命预测模型对互连结构实际工作条件下的电迁移寿命进行预测。本发明能够解决现有的电迁移性能评价模式与实际应用不匹配的问题，有效支撑互连结构的筛选、鉴定以及可靠性评价等工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119125830A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411612484.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种GaN器件近结区热阻测试方法和计算机设备，所述方法包括：采用与待测GaN器件相同的制作工艺制作第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括衬底层、AlN缓冲层、GaN层，第二测试结构包括衬底层；利用3ω法对第一测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到GaN器件的片内热阻；利用3ω法对第二测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到衬底层的体热阻；根据第一测试结构和第二测试结构的3ω法测试结果，计算得到GaN层的综合热导率，根据GaN层的综合热导率，计算得到GaN层的结构热阻；基于GaN器件的片内热阻、衬底层的体热阻、GaN层的结构热阻，计算AlN缓冲层的接触热阻。本发明能够高效地测试获取GaN器件近结区的不同材料层的热阻。
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公开(公告)号：CN119827939A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510094757.X
申请日：2025-01-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种功率器件动态导通电阻检测方法、系统、设备、存储介质及程序产品，应用于功率器件动态导通电阻检测系统，功率器件动态导通电阻检测系统包括上位机、控制器、双脉冲测试电路和信号采集器，其中，双脉冲测试电路安装有被测氮化镓功率器件；方法包括：在被测氮化镓功率器件的测试温度满足预设测试条件的情况下，通过控制器向双脉冲测试电路发送多组双脉冲测试信号；通过信号采集器采集被测氮化镓功率器件在多组双脉冲测试信号下的多组电气测试参数；通过上位机基于多组电气测试参数，检测被测氮化镓功率器件的导通电阻。采用本方法提升进行功率器件动态导通电阻检测的检测准确性。
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公开(公告)号：CN119555711B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510120710.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种材料均匀性的自动化检测方法和计算机设备，所述方法包括：设置X射线发射器的电压、电流和曝光时间条件，并且设置待测材料的观察区域和均匀性判定标准；对探测器表面直接照射X射线，获得空场探测图像像素点灰度值：将待测材料放置在探测器表面，对探测器表面照射X射线，获得满场探测图像像素点灰度值；根据空场探测图像的像素点灰度值和满场探测图像的像素点灰度值，计算获取待测材料在观察区域的变异系数；将观察区域的变异系数与所设置的均匀性判定标准进行对比，当变异系数低于判定标准时判断材料均匀性满足要求，否则判断材料均匀性不合格。本发明能够对材料不同区域的致密性、厚度的一致性等进行快速检验判断。
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公开(公告)号：CN119555711A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510120710.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种材料均匀性的自动化检测方法和计算机设备，所述方法包括：设置X射线发射器的电压、电流和曝光时间条件，并且设置待测材料的观察区域和均匀性判定标准；对探测器表面直接照射X射线，获得空场探测图像像素点灰度值：将待测材料放置在探测器表面，对探测器表面照射X射线，获得满场探测图像像素点灰度值；根据空场探测图像的像素点灰度值和满场探测图像的像素点灰度值，计算获取待测材料在观察区域的变异系数；将观察区域的变异系数与所设置的均匀性判定标准进行对比，当变异系数低于判定标准时判断材料均匀性满足要求，否则判断材料均匀性不合格。本发明能够对材料不同区域的致密性、厚度的一致性等进行快速检验判断。
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公开(公告)号：CN115639454A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211272452.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种SiC MOSFET高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路。电路包括：待测的目标SiC MOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiC MOSFET的栅极、第一试验电路以及目标SiC MOSFET的源极可形成第一回路，以及目标SiC MOSFET的漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以通过第一回路和第二回路对目标SiC MOSFET进行目标试验，目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；漏极和栅极可形成短路回路，以及漏极、测试电路和源极可形成第三回路，以供测试电路在目标试验结束后，在短路回路和第三回路导通的情况下，测量目标SiC MOSFET的阈值电压。本申请通过快速导通不同的电路，实现SiC MOSFET器件阈值电压的监测，能够更准确地监测SiC MOSFET器件的阈值电压。
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